本實(shí)用新型涉及一種安全保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

對(duì)于傳統(tǒng)的指示類燈具電路輸出開路時(shí)，電路輸入仍與市電連接，難以做到隔離，電路本身還是處于工作狀態(tài)，不能給外界正確的指示信號(hào)，這可能會(huì)造成嚴(yán)重的生命財(cái)產(chǎn)損失。因此，有必要在電路輸出開路時(shí)，讓電路輸入與市電隔離。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中電路輸入與市電難以隔離的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種安全保護(hù)電路，解決了因電路輸入與市電難以隔離而造成的安全性隱患。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

一種安全保護(hù)電路，包括依次連接的保險(xiǎn)絲F1、橋式整流芯片BR1、高壓MOS管Q1、光電耦合器U1、穩(wěn)壓二極管Z1以及輸出端U0；

當(dāng)所述輸出端U0輸出正常時(shí)，高壓MOS管Q1處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)所述輸出端U0輸出開路時(shí)，高壓MOS管Q1閉合導(dǎo)通，瞬間產(chǎn)生大電流熔斷保險(xiǎn)絲F1，使電路的輸入與市電隔離。

進(jìn)一步地，所述安全保護(hù)電路還包括電阻R1、電阻R2、電阻R3以及供電腳VOUT；

所述橋式整流芯片BR1的2號(hào)引腳與市電的零線AC-N相連接，3號(hào)引腳通過保險(xiǎn)絲F1連接到市電的相線AC-L，1號(hào)引腳與高壓MOS管Q1的漏級(jí)D相連接，4號(hào)引腳同時(shí)連接到高壓MOS管Q1的源級(jí)S和地，高壓MOS管Q1的柵級(jí)G通過電阻R2連接到地；

所述光電耦合器U1包括光敏三極管Q2和發(fā)光二極管D1；所述光敏三極管Q2的集電極c通過電阻R1與 供電腳VOUT相連接，發(fā)射極e通過電阻R2連接到地，所述發(fā)光二極管D1的陽極與穩(wěn)壓二極管Z1的陽極相連，穩(wěn)壓二極管Z1的陰極連接到輸出端的正極，發(fā)光二極管D1的陰極通過電阻R3連接到輸出端的負(fù)極。

優(yōu)選地，所述保險(xiǎn)絲F1為額定電流比高壓MOS管Q1小的慢熔型保險(xiǎn)絲。

優(yōu)選地，所述高壓MOS管Q1為額定電流比保險(xiǎn)絲F1大的TO-220封裝的高壓MOS管。

本實(shí)用新型的有益效果至少包括以下幾點(diǎn)：

本實(shí)用新型的安全保護(hù)電路在驅(qū)動(dòng)輸出開路時(shí)使電路輸入與市電隔離，對(duì)于指示類的燈具在給外界信號(hào)指示時(shí)更加的穩(wěn)定安全可靠，且電路結(jié)構(gòu)簡單，成本低。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種安全保護(hù)電路的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖以及具體實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述：

如圖1所示，一種安全保護(hù)電路包括串聯(lián)連接的保險(xiǎn)絲F1、橋式整流芯片BR1、高壓MOS管Q1、光電耦合器U1、穩(wěn)壓二極管Z1、電阻R1、電阻R2、電阻R3、供電腳VOUT以及輸出端U0；橋式整流芯片BR1的2號(hào)引腳與市電的零線AC-N相連接，3號(hào)引腳通過保險(xiǎn)絲F1連接到市電的相線AC-L，1號(hào)引腳與高壓MOS管Q1的漏級(jí)D相連接，4號(hào)引腳同時(shí)連接到高壓MOS管Q1的源級(jí)S和地，高壓MOS管Q1的柵級(jí)G通過電阻R2連接到地；光電耦合器U1包括光敏三極管Q2和發(fā)光二極管D1；光敏三極管Q2的集電極c通過電阻R1與 供電腳VOUT相連接，發(fā)射極e通過電阻R2連接到地，發(fā)光二極管D1的陽極與穩(wěn)壓二極管Z1的陽極相連，穩(wěn)壓二極管Z1的陰極連接到輸出端的正極，發(fā)光二極管D1的陰極通過電阻R3連接到輸出端的負(fù)極。

安全保護(hù)電路工作過程如下：當(dāng)輸出端U0輸出正常工作時(shí)，穩(wěn)壓二極管Z1未達(dá)到自身的反向擊穿電壓而處于截止?fàn)顟B(tài)，發(fā)光二極管D1截止，光電耦合器U1斷開，光敏三極管Q2也截止，高壓MOS管Q1的柵級(jí)G被電阻R2拉到零電位，高壓MOS管Q1處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)輸出端U0輸出開路時(shí)，因?yàn)檩敵龆薝0的電壓突然上升，當(dāng)達(dá)到反向擊穿電壓時(shí)擊穿穩(wěn)壓二極管Z1，此時(shí)光電耦合器U1閉合，發(fā)光二極管D1導(dǎo)通，光敏三極管Q2也導(dǎo)通，由供電腳VOUT供電,使得高壓MOS管Q1的柵級(jí)G電壓上升，高壓MOS管Q1閉合導(dǎo)通，瞬間產(chǎn)生大電流熔斷保險(xiǎn)絲F1，使電路的輸入與市電隔離。

本安全保護(hù)電路具有開路保護(hù)功能，且所用器件少，成本低；另外，保險(xiǎn)絲F1為額定電流比高壓MOS管Q1小的慢熔型保險(xiǎn)絲，高壓MOS管Q1為額定電流比保險(xiǎn)絲F1大的TO-220封裝的高壓MOS管，以確保保險(xiǎn)絲F1比高壓MOS管Q1先熔斷，且TO-220封裝的高壓大電流高壓MOS管Q1擊穿時(shí)不會(huì)產(chǎn)生爆裂及明火等現(xiàn)象。

最后應(yīng)說明的是：以上實(shí)施例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，其依然可以對(duì)前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。