本實(shí)用新型涉及電磁加熱領(lǐng)域，特別涉及一種線圈盤組件和電磁烹飪器具。
背景技術(shù)：
：相比傳統(tǒng)的加熱方式，電磁加熱具有效率高、安全性好、簡單方便等優(yōu)勢，基于電磁加熱原理的電磁烹飪器具受到了廣大用戶的喜愛。線圈盤組件是電磁烹飪器具的重要組件之一，線圈盤組件所產(chǎn)生的高頻交變電磁場在待加熱的鍋具中產(chǎn)生渦流以實(shí)現(xiàn)加熱?，F(xiàn)有線圈盤組件的線圈繞組通常為圓環(huán)形線圈繞組，磁場較強(qiáng)的區(qū)域通常集中于線圈繞組所在的環(huán)帶上，由于散熱條件和磁場分布的差別，線圈盤組件靠近環(huán)心的內(nèi)部區(qū)域以及線圈繞組所在的環(huán)帶區(qū)域上的加熱效果更強(qiáng)，導(dǎo)致線圈盤組件的局部區(qū)域溫度過高，整體的加熱效果不均勻，進(jìn)而導(dǎo)致糊鍋、鍋具變形，烹飪效果不佳等問題，加熱效果差。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的主要目的是提出一種線圈盤組件，旨在解決上述加熱不均勻的問題，改善線圈盤組件的加熱效果。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出的線圈盤組件，用于電磁烹飪器具，包括線圈盤座和線圈繞組，所述線圈盤座設(shè)有繞線槽，所述線圈繞組繞設(shè)于所述繞線槽中，所述線圈繞組呈環(huán)形，至少一個所述線圈繞組為異形線圈繞組，所述異形線圈繞組具有沿環(huán)周間隔設(shè)置的多個凸部，每一所述凸部由所述異形線圈繞組的一部分相對相鄰部分向外凸出而形成，相鄰兩所述凸部之間形成所述異形線圈繞組的凹部。優(yōu)選地，所述異形線圈繞組的同一匝線圈中，相鄰兩所述凸部的最凸點(diǎn)之間的距離為15～130毫米，相鄰兩所述凹部的最凹點(diǎn)之間的距離為15～110毫米。優(yōu)選地，所述凸部的數(shù)量為4～12個。優(yōu)選地，所述異形線圈繞組的所述凸部和/或所述凹部呈圓弧狀。優(yōu)選地，所述凸部和/或所述凹部所對的圓心角小于180度。優(yōu)選地，多個所述線圈繞組內(nèi)外相間設(shè)置。優(yōu)選地，位于外側(cè)的所述線圈繞組的匝數(shù)與位于內(nèi)側(cè)的所述線圈繞組的匝數(shù)的比值為0.6～1.7。優(yōu)選地，位于外側(cè)的所述線圈繞組的層數(shù)不小于位于內(nèi)側(cè)的所述線圈繞組的層數(shù)。優(yōu)選地，內(nèi)外相鄰的兩所述線圈繞組之間的最小距離為5～30毫米。優(yōu)選地，至少一個所述線圈繞組為圓環(huán)形線圈繞組。優(yōu)選地，所述圓環(huán)形線圈繞組設(shè)于所述異形線圈繞組的內(nèi)側(cè)或外側(cè)。優(yōu)選地，多個所述線圈繞組為異形線圈繞組，相鄰兩所述異形線圈繞組的至少部分凸部相錯設(shè)置。本實(shí)用新型進(jìn)一步提出一種電磁烹飪器具，包括線圈盤組件，所述線圈盤組件包括線圈盤座和線圈繞組，所述線圈盤座設(shè)有繞線槽，所述線圈繞組繞設(shè)于所述繞線槽中，所述線圈繞組呈環(huán)形，至少一個所述線圈繞組為異形線圈繞組，所述異形線圈繞組具有沿環(huán)周間隔設(shè)置的多個凸部，每一所述凸部由所述異形線圈繞組的一部分相對相鄰部分向外凸出而形成，相鄰兩所述凸部之間形成所述異形線圈繞組的凹部。優(yōu)選地，所述電磁烹飪器具為電磁爐、電飯煲或電壓力鍋。本實(shí)用新型技術(shù)方案中，異形線圈繞組設(shè)置在線圈盤座的繞線槽中，呈環(huán)形并具有沿環(huán)周間隔設(shè)置的多個凸部，異形線圈繞組的每一凸部由其一部分相對相鄰部分向外凸出而形成，相鄰兩凸部之間形成異形線圈繞組的凹部，異形線圈繞組的結(jié)構(gòu)使其區(qū)域內(nèi)的磁場強(qiáng)度重新分布，形成了強(qiáng)弱間隔的磁場，進(jìn)而形成了多個加熱中心，相比現(xiàn)有的僅具有單個加熱中心的線圈盤組件，異形線圈繞組提高了線圈盤組件加熱的均勻性，改善了其加熱效果。附圖說明為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。圖1為本實(shí)用新型線圈盤組件一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型線圈盤組件一實(shí)施例的另一示例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型線圈盤組件一實(shí)施例的又一示例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖1中線圈盤組件的加熱區(qū)域分布示意圖；圖5為圖1中線圈盤組件凸部與凸部、凹部與凹部之間的距離示意圖；圖6為本實(shí)用新型線圈盤組件另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖6中線圈盤組件的加熱區(qū)域分布示意圖；圖8為本實(shí)用新型線圈盤組件又一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為圖1中線圈盤組件的側(cè)面剖視示意圖；圖10為圖1中線圈盤組件的相鄰兩個線圈繞組的距離示意圖。附圖標(biāo)號說明：標(biāo)號名稱標(biāo)號名稱100線圈盤座200異形線圈繞組210凸部220凹部300圓環(huán)形線圈繞組本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。需要說明，若本實(shí)用新型實(shí)施例中有涉及方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后……)，則該方向性指示僅用于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對位置關(guān)系、運(yùn)動情況等，如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時(shí)，則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。另外，若本實(shí)用新型實(shí)施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，則該“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示其相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。另外，各個實(shí)施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合，但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ)，當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實(shí)現(xiàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在，也不在本實(shí)用新型要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。本實(shí)用新型提出一種線圈盤組件。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，如圖1所示，該線圈盤組件包括線圈盤座100和線圈繞組，線圈盤座100設(shè)有繞線槽，線圈繞組繞設(shè)于繞線槽中，線圈繞組呈環(huán)形，至少一個線圈繞組為異形線圈繞組200，異形線圈繞組200具有沿環(huán)周間隔設(shè)置的多個凸部210，每一凸部210由異形線圈繞組200的一部分相對相鄰部分向外凸出而形成，相鄰兩凸部210之間形成異形線圈繞組的凹部220。可選地，線圈繞組可以采用疏繞或密繞的方式。當(dāng)采用密繞方式時(shí)，線圈盤座100無需設(shè)置繞線槽；當(dāng)采用疏繞方式時(shí)，線圈盤座100設(shè)有容納線圈繞組的繞線槽。具體的，以靠近線圈盤組件的盤心為內(nèi)，遠(yuǎn)離線圈盤組件的盤心為外。在線圈盤組件中，加熱區(qū)域的分布與磁場區(qū)域的分布基本相對應(yīng)，在線圈盤組件中磁場較強(qiáng)的區(qū)域，相應(yīng)形成加熱中心。因此，可通過改變線圈繞組的繞設(shè)方式，改變線圈盤組件中的磁場分布，進(jìn)而改變加熱區(qū)域的分布。線圈盤座100對線圈繞組起到支撐的作用。線圈繞組通常呈環(huán)形，環(huán)心位于線圈繞組的內(nèi)部，以便于繞制。異形線圈繞組的凸部210或凹部220為異形線圈繞組200的一部分相對相鄰部分外凸或內(nèi)凹而形成，并具有多種形式。如圖1所示，在一示例中，凸部210由線圈繞組的一部分外凸，凹部220由線圈繞組的一部分內(nèi)凹而形成，當(dāng)凸部210和凹部220為圓弧狀時(shí)，其對應(yīng)的圓的圓心分別位于異形線圈繞組200的內(nèi)側(cè)和外側(cè)。在本示例中，凸部210和凹部220之間的區(qū)別較大，有利于形成差別明顯的磁場強(qiáng)弱區(qū)域，進(jìn)一步形成多個加熱中心。在另一示例中，如圖2所示，凹部220由線圈繞組的一部分內(nèi)凹形成，相應(yīng)的，凹部220之間的部分形成凸部210。在又一示例中，如圖3所示，凸部210由線圈繞組的一部分外凸形成，相應(yīng)的，凸部210之間的部分形成凹部220。需要注意的是，圖1至圖3所示僅為本實(shí)施例的部分示例，異形線圈繞組200的具體形式并不僅限此。在異形線圈繞組200中，高頻交流電所激發(fā)的磁場分布可根據(jù)安培定則確定，電流沿異形線圈繞組200的線圈流動，在環(huán)周上形成強(qiáng)弱間隔的磁場分布區(qū)域，進(jìn)而在環(huán)周上形成小加熱中心，在每一加熱中心附近，沿線圈盤組件內(nèi)外方向上的加熱范圍增大，同時(shí)，每一加熱中心在環(huán)周方向上也具有一定的擴(kuò)散范圍，從而使線圈盤組件的加熱區(qū)域分布更加均勻，改善了加熱效果。如圖4所示，虛線所圍成的區(qū)域?yàn)閳D1中線圈盤組件的加熱中心分布區(qū)域。本實(shí)用新型技術(shù)方案中，線圈盤組件的線圈盤座100設(shè)置有異形線圈繞組200，其中，異形線圈繞組200呈環(huán)形，并具有沿環(huán)周間隔設(shè)置的多個凸部210，每一凸部210由異形線圈繞組的一部分相對相鄰部分向外凸出而形成，相鄰兩凸部之間形成異形線圈繞組的凹部220，異形線圈繞組的結(jié)構(gòu)使其分布區(qū)域內(nèi)形成了強(qiáng)弱間隔的磁場分布，進(jìn)而形成了多個加熱中心，從而提高了線圈盤組件加熱的均勻性，改善了其加熱效果。在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，如圖5所示，異形線圈繞組200的同一匝線圈中，相鄰兩凸部210的最凸點(diǎn)之間的距離為15～130毫米，相鄰兩凹部220的最凹點(diǎn)之間的距離為15～110毫米。在異形線圈繞組200中，加熱中心的分布與凸部210和凹部220的尺寸相關(guān)。為了避免相鄰兩個加熱中心之間的距離過大形成加熱效果微弱的加熱盲區(qū)，或相鄰兩個加熱中心之間的距離過小使得加熱中心重疊相連，導(dǎo)致線圈盤的加熱不均勻，在異形線圈繞組200的同一匝線圈中，相鄰兩凸部210的最凸點(diǎn)之間的距離為15～130毫米。其中，最凸點(diǎn)為凸部210上距離異形線圈繞組200的環(huán)心最遠(yuǎn)的點(diǎn)。如圖5所示，D1為最內(nèi)匝的線圈上、相鄰兩凸部210的最凸點(diǎn)之間的距離，D1不小于15毫米；D2為最外匝的線圈上、相鄰兩凸部210的最凸點(diǎn)之間的距離，D2不大于130毫米；在最內(nèi)匝和最外匝之間的線圈上，相鄰兩凸部210的最凸點(diǎn)之間的距離在D1和D2之間，即15～130毫米。如圖5所示，在異形線圈繞組200的同一匝線圈中，凹部220上距離異形線圈繞組200的環(huán)心最近的點(diǎn)為最凹點(diǎn)，相鄰兩凹部220的最凹點(diǎn)之間的距離為15～110毫米。其中，D3為最內(nèi)匝的線圈上、相鄰兩凹部220的最凹點(diǎn)之間的距離，D3不小于15毫米；D4為最外匝的線圈上、相鄰兩凹部220的最凹點(diǎn)之間的距離，D4不大于110毫米；在最內(nèi)匝和最外匝之間的線圈上，相鄰兩凹部220的最凹點(diǎn)之間的距離在D3和D4之間，即15～110毫米。在上述尺寸范圍內(nèi)，異形線圈繞組200所產(chǎn)生的多個加熱中心之間的距離適中，可避免加熱盲區(qū)的產(chǎn)生和加熱中心的重疊，從而促進(jìn)加熱的均勻性。進(jìn)一步的，凸部210的數(shù)量為4～12個。在凸部210與凸部210、凹部220與凹部220之間的距離一定的情況下，凸部210和凹部220的數(shù)目越多，線圈盤組件的整體尺寸越大。在實(shí)際使用中，線圈盤組件的整體尺寸與待加熱區(qū)域的大小相關(guān)。待加熱區(qū)域越大，相應(yīng)選擇整體尺寸更大的線圈盤組件有利于在待加熱區(qū)域內(nèi)形成均勻的加熱效果。通常情況下，凸部210的數(shù)量為4～12個。當(dāng)異形線圈繞組200位于線圈盤組件的內(nèi)側(cè)時(shí)，凸部210數(shù)量相應(yīng)較少以便于繞制，當(dāng)異形線圈繞組200位于線圈盤組件的外側(cè)時(shí)，凸部210數(shù)量可適當(dāng)增多，以形成數(shù)量和范圍適當(dāng)?shù)亩鄠€加熱中心，改善加熱效果。進(jìn)一步的，異形線圈繞組200的凸部210和/或凹部220呈圓弧狀，以便于異形線圈繞組200的繞制，避免在異形線圈繞組200中引入銳利的轉(zhuǎn)折角。在較銳的轉(zhuǎn)折角處，通常具有較大的發(fā)熱量，容易引起安全隱患。進(jìn)一步的，凸部210和/或凹部220所對的圓心角小于180度，在這種情況下，繞制異形線圈繞組200的過程中，凸部210和凹部220之間可以平滑地過渡，走線方向一致，有利于簡化繞制工藝，提高繞制效率。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，線圈盤組件可包括多個線圈繞組，多個線圈繞組內(nèi)外相間設(shè)置。其中，每一線圈繞組所產(chǎn)生的加熱區(qū)域與線圈繞組本身的分布區(qū)域基本相當(dāng)，多個內(nèi)外相間設(shè)置的線圈繞組進(jìn)而在線圈盤組件上形成多個內(nèi)外相間分布的加熱區(qū)域，以改善線圈盤組件在內(nèi)外方向上加熱的均勻性。進(jìn)一步的，至少一個線圈繞組為圓環(huán)形線圈繞組300。圓環(huán)形線圈繞組300所產(chǎn)生的磁場沿環(huán)周均勻分布，在線圈盤組件中形成連續(xù)分布的圓形或圓環(huán)形加熱區(qū)域，以改善線圈盤組件的加熱效果。如圖1和圖4所示，在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，圓環(huán)形線圈繞組300設(shè)于異形線圈繞組200的內(nèi)側(cè)。由于異形線圈繞組200的繞制工藝較為復(fù)雜，在異形線圈繞組200的尺寸較大的情況下，繞制更加方便，然而此時(shí)異形線圈繞組200的內(nèi)側(cè)的磁場強(qiáng)度較弱，容易形成加熱盲區(qū)。為了補(bǔ)償上述加熱盲區(qū)，將圓環(huán)形線圈繞組300設(shè)于異形線圈繞組200的內(nèi)側(cè)，形成圓形的連續(xù)加熱區(qū)域，從而改善線圈盤組件加熱的均勻性。如圖6和圖7所示，在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，圓環(huán)形線圈繞組300設(shè)于異形線圈繞組200的外側(cè)，從而在線圈盤組件內(nèi)部形成多個分散的加熱中心，以滿足一定情況下的加熱需求。當(dāng)異形線圈繞組200位于內(nèi)側(cè)時(shí)，相應(yīng)的凸部210的數(shù)量有所減少，以便于繞制。圖7中所示為線圈盤組件的加熱區(qū)域分布，內(nèi)側(cè)的虛線所圍成的多個閉合區(qū)域即異形線圈繞組200所產(chǎn)生的多個加熱中心，外側(cè)的兩虛線所圍成的圓環(huán)形區(qū)域即圓環(huán)形線圈繞組300所形成的連續(xù)加熱區(qū)域。在本實(shí)用新型的又一實(shí)施例中，如圖8所示，多個線圈繞組為異形線圈繞組200，相鄰兩異形線圈繞組200的至少部分凸部210相錯設(shè)置。以圖8中虛線所指示的凸部210為例，兩凸部210的中心相對線圈盤組件的盤心錯開一定角度，同理，兩凹部220的中心相對線圈盤組件的盤心錯開一定角度，以避免內(nèi)外設(shè)置的異形線圈繞組200所形成的多個加熱中心在內(nèi)外方向上距離過小而重疊連成一片。在本實(shí)用新型的上述實(shí)施例中，位于外側(cè)的線圈繞組的匝數(shù)與位于內(nèi)側(cè)的線圈繞組的匝數(shù)的比值為0.6～1.7。線圈繞組所產(chǎn)生的磁場的強(qiáng)度與其匝數(shù)相關(guān)，匝數(shù)越多，磁場越強(qiáng)，在線圈盤組件中，通過設(shè)置外側(cè)的線圈繞組的匝數(shù)和內(nèi)側(cè)的線圈繞組的匝數(shù)的比值為0.6～1.7，使線圈盤組件中多個線圈繞組所產(chǎn)生的磁場的整體強(qiáng)度在線圈盤座的盤面上均勻分布，以補(bǔ)償線圈盤組件中的磁場差異，避免線圈盤組件的外側(cè)或內(nèi)側(cè)的局部磁場過強(qiáng)或過弱，從而改善加熱的均勻性，進(jìn)而改善線圈盤組件的加熱效果。線圈繞組所產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度還與其層數(shù)有關(guān)，進(jìn)一步的，加熱效果也與線圈繞組的層數(shù)相關(guān)。在本實(shí)用新型的上述實(shí)施例中，每一線圈繞組可包括一層或多層線圈，各層沿垂直于線圈盤組件底面的方向重疊排布，以增強(qiáng)磁場，進(jìn)而增強(qiáng)加熱效果。由于線圈盤組件內(nèi)外的磁場分布和散熱條件的差別，其內(nèi)部的加熱效果更強(qiáng)且散熱更差，為了補(bǔ)償上述差別，設(shè)置位于外側(cè)的線圈繞組的層數(shù)不大于位于內(nèi)側(cè)的線圈繞組的層數(shù)，使得線圈盤組件內(nèi)外方向上的加熱效果更均勻。在一示例中，如圖9所示，為圖1中線圈盤組件的剖視圖，其中，異形線圈繞組200位于外側(cè)，圓環(huán)形線圈繞組300位于內(nèi)側(cè)，外側(cè)的線圈繞組層數(shù)大于內(nèi)側(cè)線圈繞組的層數(shù)。進(jìn)一步的，線圈繞組所產(chǎn)生磁場的分布區(qū)域相對線圈繞組本身的分布區(qū)域具有一定的擴(kuò)展范圍，因此，相鄰的兩個線圈繞組所產(chǎn)生的磁場可能產(chǎn)生重疊。在磁場的重疊區(qū)域內(nèi)，加熱效果更強(qiáng)，導(dǎo)致線圈盤組件的加熱不均勻。一方面，為了避免相鄰兩線圈繞組所產(chǎn)生的磁場區(qū)域發(fā)生重疊，進(jìn)而導(dǎo)致加熱區(qū)域的重疊，相鄰兩線圈繞組的最小距離不小于5毫米。其中，相鄰兩線圈繞組的最小距離為位于外側(cè)的線圈繞組的最內(nèi)層線圈和位于內(nèi)側(cè)的線圈繞組的最外層線圈上、相距最近的兩點(diǎn)之間的距離。如圖10所示，在一示例中，外側(cè)的線圈繞組為異形線圈繞組200、內(nèi)側(cè)的線圈繞組為圓環(huán)形線圈繞組300，相鄰兩線圈繞組的最小距離為異形線圈繞組的最內(nèi)側(cè)線圈上凹部的最凹點(diǎn)，與圓環(huán)形線圈繞組的最外側(cè)線圈上距離最凹點(diǎn)最近的點(diǎn)之間的距離，即圖10中D5的長度，D5≥5mm。另一方面，磁場分布較強(qiáng)的區(qū)域相對線圈繞組的擴(kuò)展區(qū)域是有限的，為了避免在線圈盤組件的內(nèi)外方向上產(chǎn)生加熱盲區(qū)，內(nèi)外側(cè)相鄰兩線圈繞組之間的最小距離不大于30毫米，即D5≤30mm。本實(shí)用新型進(jìn)一步提出一種電磁烹飪器具，該電磁烹飪器具包括線圈盤組件，該線圈盤組件的具體結(jié)構(gòu)參照上述實(shí)施例，由于本電磁烹飪器具采用了上述所有實(shí)施例的全部技術(shù)方案，因此至少具有上述實(shí)施例的技術(shù)方案所帶來的所有有益效果，在此不再一一贅述。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是在本實(shí)用新型的發(fā)明構(gòu)思下，利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接/間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
均包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁1 2 3