本實(shí)用新型涉及連接在天線與供電電路之間的變壓器型移相器、移相電路以及具備變壓器型移相器、移相電路的通信終端裝置。

背景技術(shù)：

例如，在以便攜式電話為代表的通信終端裝置中，一般希望構(gòu)成小型且高效率的高頻電路。

在高頻電路中，為了以給定的相位將傳輸信號(hào)提供給后級(jí)(下一級(jí))的電路，作為一個(gè)電路要素而利用使相位角旋轉(zhuǎn)的相位移動(dòng)電路，即，移相電路。

例如，在設(shè)置于發(fā)送電路的高頻功率放大器與天線之間設(shè)置移相電路和天線匹配電路，并適當(dāng)?shù)卦O(shè)定移相電路的移相量，謀求功率放大器與天線匹配電路的匹配，從而能夠提高功率放大器的效率并抑制高次諧波的產(chǎn)生。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2003-32003號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)用新型要解決的課題

以往，例如如專利文獻(xiàn)1所示的傳輸線路型的移相器雖然在插入損耗特性和頻率依賴性方面優(yōu)異，但是存在當(dāng)想要得到大的移相量時(shí)會(huì)大型化的缺點(diǎn)。此外，傳輸線路型的移相器的移相量具有頻率依賴性，因此難以應(yīng)用于寬頻帶的高頻電路。

另一方面，在使用了分布常數(shù)型延遲線等部件的移相電路中，因?yàn)橐葡嗔康念l率依賴性大，所以難以應(yīng)用于寬頻帶的高頻電路。因此，難以利用于正在發(fā)展寬頻帶化的便攜式電話終端等。此外，存在當(dāng)想要增大移相量時(shí)信號(hào)的插入損耗增大的缺點(diǎn)。

圖15是示出設(shè)置了現(xiàn)有的利用了分布常數(shù)型延遲線的移相器的傳輸線路的移相特性的圖。其中，橫軸為頻率，縱軸為移相量。特性線A是傳輸線路單體中的特性，特性線B是設(shè)置了移相器的狀態(tài)下的特性。兩者的移相量之差為由移相器引起的移相量。在該例子中，由傳輸線路引起的移相量在頻率1GHz處為-30°，在頻率1.9GHz處為-60°，連接了移相器的狀態(tài)下的移相量在頻率1GHz處為-90°，在頻率1.9GHz處為-180°。因此，移相器單體的移相量在頻率1GHz處為-60°，在頻率1.9GHz處為-120°。

像這樣，無(wú)論是在傳輸線路中還是在分布常數(shù)型延遲線等移相器中，頻率依賴性都大。即，所需的移相量越大，越難以在寬頻帶中使用。此外，無(wú)論是在傳輸線路中還是在分布常數(shù)型延遲線中，越是高頻，插入損耗越大，特別是，在分布常數(shù)型延遲線中，高頻下的插入損耗的增大尤為顯著。因此，越想增大移相量，插入損耗也越增大。

本實(shí)用新型的目的在于，提供一種有利于小型化、低損耗化、降低移相量的頻率依賴性的變壓器型移相器、移相電路以及具備變壓器型移相器、移相電路的通信終端裝置。

用于解決課題的技術(shù)方案

(1)本實(shí)用新型的變壓器型移相器的特征在于，具備：

變壓器，具有第一線圈和以小于1的耦合系數(shù)與所述第一線圈進(jìn)行磁場(chǎng)耦合的第二線圈，且包含并聯(lián)電感成分和串聯(lián)電感成分；以及

阻抗調(diào)整用電路，包含用于使所述變壓器的阻抗匹配的電抗元件。

(2)優(yōu)選的是，在上述(1)中，所述阻抗調(diào)整用電路包含：

第一電容元件，與所述第一線圈并聯(lián)連接；

第二電容元件，與所述第二線圈并聯(lián)連接；以及

第三電容元件，連接在所述第一線圈與所述第二線圈之間。所述第一電容元件、所述第二電容元件以及所述第三電容元件中的至少任一個(gè)可以由所述變壓器的雜散電容構(gòu)成，也可以由雜散電容和實(shí)體部件構(gòu)成。

(3)本實(shí)用新型的變壓器型移相器的特征在于，具備：

變壓器，具有第一線圈和以小于1的耦合系數(shù)與所述第一線圈進(jìn)行磁場(chǎng)耦合的第二線圈，且連接在第一端口與第二端口之間；

第一電容元件，連接在所述變壓器的第一端口與接地線之間；

第二電容元件，連接在所述變壓器的第二端口與接地線之間；以及

第三電容元件，連接在所述變壓器的第一端口與第二端口之間。所述第一電容元件、所述第二電容元件以及所述第三電容元件中的至少任一個(gè)可以由所述變壓器的雜散電容構(gòu)成，也可以由雜散電容和實(shí)體部件構(gòu)成。

在上述(1)、(2)、(3)中的任一種結(jié)構(gòu)中，均能夠進(jìn)行將所述變壓器電路的對(duì)所述第一線圈的輸入輸出信號(hào)與對(duì)所述第二線圈的輸入輸出信號(hào)的相位差(180°)和由所述變壓器電路的并聯(lián)電感成分和串聯(lián)電感成分引起的移相量相加的移相，即，能夠進(jìn)行超過180°的移相。

此外，由于所述變壓器具有的并聯(lián)寄生電感成分和串聯(lián)寄生電感成分的存在，變壓器的阻抗會(huì)偏離規(guī)定值(例如50Ω)，但是通過具備所述電抗元件(電容元件)，從而能夠?qū)ψ杩惯M(jìn)行調(diào)整。

(4)優(yōu)選的是，在上述(2)或(3)中，所述變壓器設(shè)置在層疊有多個(gè)基材層的單個(gè)層疊體內(nèi)，所述第一線圈和所述第二線圈由形成在所述基材層的導(dǎo)體圖案構(gòu)成。由此，僅將作為單個(gè)部件的移相器安裝在印刷布線板等即可，容易安裝到通信終端裝置等。

(5)優(yōu)選的是，在上述(4)中，所述第一線圈和所述第二線圈具有實(shí)質(zhì)上相同的內(nèi)徑和外徑，線圈軸為同軸關(guān)系。由此，雖然第一線圈和第二線圈的卷繞數(shù)少，即，雖然是小型的，但是也可得到耦合系數(shù)適度高的變壓器。

(6)優(yōu)選的是，在上述(2)至(5)中的任一項(xiàng)中，所述第三電容元件主要由在所述第一線圈與所述第二線圈之間產(chǎn)生的線圈間電容構(gòu)成。由此，不需要第三電容元件形成用的圖案，或者不需要作為部件的第三電容元件，因此能夠小型化、低成本化。

(7)優(yōu)選的是，在上述(2)至(6)中的任一項(xiàng)中，所述第一電容元件主要由所述第一線圈的線間電容構(gòu)成，所述第二電容元件主要由所述第二線圈的線間電容構(gòu)成。由此，不需要第一電容元件和第二電容元件形成用的圖案，或者不需要作為部件的第一電容元件和第二電容元件，因此能夠小型化、低成本化。

(8)在上述(1)至(7)中的任一項(xiàng)中，也能夠使所述第一線圈與所述第二線圈的變壓比設(shè)為1∶n(n為1以外的值)。由此，能夠在進(jìn)行移相的同時(shí)通過變壓器進(jìn)行阻抗變換，能夠兼具連接到第一端口的電路與連接到第二端口的電路的阻抗匹配電路的功能。

(9)本實(shí)用新型的移相電路的特征在于，具備：上述(1)至(8)中的任一項(xiàng)所述的變壓器型移相器；以及移相線路，與所述變壓器型移相器串聯(lián)連接，且移相量小于90°。通過該結(jié)構(gòu)，能夠在超過180°的寬范圍進(jìn)行移相，且能夠進(jìn)行微調(diào)后的給定的移相。當(dāng)然，所述移相線路也可以由基板和形成在該基板的導(dǎo)體圖案構(gòu)成。

(10)本實(shí)用新型的通信終端裝置具備：供電電路，具有功率放大電路；以及天線元件，與所述供電電路連接，所述通信終端裝置的特征在于，

在所述供電電路與所述天線元件之間具備上述(1)至(8)中的任一項(xiàng)所述的變壓器型移相器或上述(9)所述的移相電路。由此，可在包括天線的發(fā)送電路系統(tǒng)中謀求高效率化或小型化。

實(shí)用新型效果

根據(jù)本實(shí)用新型的變壓器型移相器，在小型、低損耗的同時(shí)可得到超過180°的大的移相量。此外，可得到移相量的頻率依賴性小的移相特性。此外，通過具備阻抗調(diào)整用電路，從而能夠?qū)σ葡嗔窟M(jìn)行微調(diào)。

根據(jù)本實(shí)用新型的移相電路，能夠在確保小型化、低損耗化、降低移相量的頻率依賴性的情況下容易地得到比180°更大的移相量。

根據(jù)本實(shí)用新型的通信終端裝置，可在包括天線的發(fā)送電路系統(tǒng)中謀求高效率化或小型化。

附圖說明

圖1是第一實(shí)施方式涉及的變壓器型移相器11的電路圖。

圖2(A)、圖2(B)是變壓器T的等效電路圖。

圖3是變壓器型移相器11的外觀立體圖。

圖4是變壓器型移相器11的各層的俯視圖。

圖5是變壓器型移相器11的縱剖視圖。

圖6(A)是變壓器型移相器11的電路圖。圖6(B)是變壓器型移相器11的等效電路圖。

圖7是在史密斯圓圖上示出變壓器T的移相作用的圖。

圖8是示出變壓器型移相器11的移相量的頻率特性的圖。

圖9是示出變壓器型移相器11的插入損耗的頻率特性的圖。

圖10(A)、圖10(B)是示出第二實(shí)施方式涉及的移相電路30A、30B的結(jié)構(gòu)的框圖。

圖11(A)、圖11(B)、圖11(C)、圖11(D)是示出第二實(shí)施方式涉及的4個(gè)移相電路31、32、33、34的電路結(jié)構(gòu)的圖。

圖12是第三實(shí)施方式涉及的變壓器型移相器13的電路圖。

圖13是第四實(shí)施方式涉及的變壓器型移相器14的電路圖。

圖14是第五實(shí)施方式涉及的通信終端裝置200的框圖。

圖15是示出設(shè)置了現(xiàn)有的利用分布常數(shù)型延遲線的移相器的傳輸線路的移相特性的圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖舉出幾個(gè)具體的例子，示出用于實(shí)施本實(shí)用新型的多個(gè)方式。在各圖中相同部分標(biāo)注相同附圖標(biāo)記。在第二實(shí)施方式以后，對(duì)于與第一實(shí)施方式共同的事項(xiàng)，將省略說明，只對(duì)不同點(diǎn)進(jìn)行說明。特別是，對(duì)于基于同樣的結(jié)構(gòu)的同樣的作用效果，將不在每個(gè)實(shí)施方式中逐次進(jìn)行說明。

《第一實(shí)施方式》

圖1是第一實(shí)施方式涉及的變壓器型移相器11的電路圖。變壓器型移相器11具備變壓器T。變壓器T具有第一線圈L1和以小于1的耦合系數(shù)與第一線圈L1進(jìn)行磁場(chǎng)耦合的第二線圈L2。此外，變壓器型移相器11具備由第一電容元件C1、第二電容元件C2以及第三電容元件C3構(gòu)成的阻抗調(diào)整用電路。

第一電容元件C1與第一線圈L1并聯(lián)連接，第二電容元件C2與第二線圈L2并聯(lián)連接。此外，第三電容元件C3連接在第一線圈L1與第二線圈L2之間。

圖2(A)、圖2(B)是上述變壓器T的各種等效電路圖。變壓器T的等效電路能夠用幾種形式來(lái)表示。在圖2(A)的圖示中，表示為理想變壓器IT、與其初級(jí)側(cè)串聯(lián)連接的電感器La、與初級(jí)側(cè)并聯(lián)連接的電感器Lb、以及與次級(jí)側(cè)串聯(lián)連接的電感器Lc。

在圖2(B)的圖示中，表示為理想變壓器IT、與其初級(jí)側(cè)串聯(lián)連接的兩個(gè)電感器La、Lc1、以及與初級(jí)側(cè)并聯(lián)連接的電感器Lb。

在此，將變壓器T的變壓比表示為1：n，將第一線圈L1與第二線圈L2(參照?qǐng)D1)的耦合系數(shù)表示為k，將第一線圈L1的電感表示為L(zhǎng)1，將第二線圈L2的電感表示為L(zhǎng)2，此時(shí)，上述電感器La、Lb、Lc的電感為如下關(guān)系。

La：L1(1-k)

Lb：k*L1

Lc：L2(1-k)

Lc1：n²*L2*(1-k)

理想變壓器的變壓比是基于第一線圈L1與第二線圈L2的卷繞數(shù)的變壓比。

無(wú)論在哪種情況下，本實(shí)施方式的變壓器T伴隨著第一線圈L1與第二線圈L2的耦合系數(shù)k小于1，均會(huì)產(chǎn)生串聯(lián)電感成分和并聯(lián)電感成分。

圖3是本實(shí)施方式的變壓器型移相器11的外觀立體圖，圖4是變壓器型移相器11的各層的俯視圖。此外，圖5是變壓器型移相器11的剖視圖。變壓器型移相器11具備多個(gè)絕緣性的基材S1～S9。在基材S1～S9形成有各種導(dǎo)體圖案?！案鞣N導(dǎo)體圖案”不僅包括形成在基材的表面的導(dǎo)體圖案，還包括層間連接導(dǎo)體。層間連接導(dǎo)體不僅包括過孔導(dǎo)體，還包括形成在層疊體100的端面的端面電極。

基材S1的上表面相當(dāng)于層疊體100的安裝面(下表面)。在基材S1形成有作為第一端口P1的端子T1、作為第二端口P2的端子T2、接地端子GND、空端子NC。

在基材S5、S4分別形成有導(dǎo)體L1A1、L1A2。在基材S3形成有導(dǎo)體L1A3、L1B1。在基材S2形成有導(dǎo)體L1B2、L1C。

導(dǎo)體L1A1的第一端與第一端口的端子T1連接。導(dǎo)體L1A1的第二端經(jīng)由過孔導(dǎo)體V1而與導(dǎo)體L1A2的第一端連接。導(dǎo)體L1A2的第二端經(jīng)由過孔導(dǎo)體V2而與導(dǎo)體L1A3的第一端連接。導(dǎo)體L1A3的第二端與導(dǎo)體L1B1的第一端連接。導(dǎo)體L1A3的第二端和導(dǎo)體L1B1的第一端經(jīng)由過孔導(dǎo)體V3而與導(dǎo)體L1B2的第一端連接。導(dǎo)體L1B1的第二端經(jīng)由過孔導(dǎo)體V4而與導(dǎo)體L1B2的第二端連接。導(dǎo)體L1B2的第二端與導(dǎo)體L1C的第一端連接。導(dǎo)體L1C的第二端與接地端子GND連接。

在基材S6、S7分別形成有導(dǎo)體L2A1、L2A2。在基材S8形成有導(dǎo)體L2A3、L2B1。在基材S9形成有導(dǎo)體L2B2、L2C。

導(dǎo)體L2A1的第一端與第二端口的端子T2連接。導(dǎo)體L2A1的第二端經(jīng)由過孔導(dǎo)體V5而與導(dǎo)體L2A2的第一端連接。導(dǎo)體L2A2的第二端經(jīng)由過孔導(dǎo)體V6而與導(dǎo)體L2A3的第一端連接。導(dǎo)體L2A3的第二端與導(dǎo)體L2B1的第一端連接。導(dǎo)體L2A3的第二端和導(dǎo)體L2B1的第一端經(jīng)由過孔導(dǎo)體V7而與導(dǎo)體L2B2的第一端連接。導(dǎo)體L2B1的第二端經(jīng)由過孔導(dǎo)體V8而與導(dǎo)體L2B2的第二端連接。導(dǎo)體L2B2的第二端與導(dǎo)體L2C的第一端連接。導(dǎo)體L2C的第二端與接地端子GND連接。

由上述導(dǎo)體L1A1、L1A2、L1A3、L1B1、L1B2、L1C以及過孔導(dǎo)體V1、V2、V3、V4構(gòu)成第一線圈L1。此外，由上述導(dǎo)體L2A1、L2A2、L2A3、L2B1、L2B2、L2C以及過孔導(dǎo)體V5、V6、V7、V8構(gòu)成第二線圈L2。第一線圈L1、第二線圈L2均為矩形螺旋狀的線圈。

層疊體100的各基材層可以是由LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低溫共燒陶瓷)等構(gòu)成的非磁性陶瓷層疊體，也可以是由聚酰亞胺、液晶聚合物等樹脂材料構(gòu)成的樹脂層疊體。像這樣，由于基材層是非磁性體(因?yàn)椴皇谴判泽w鐵氧體)，所以即使在超過700MHz的高頻帶也能夠用作給定電感、給定耦合系數(shù)的變壓器以及移相器。

上述導(dǎo)體圖案和層間連接導(dǎo)體由以Ag、Cu為主成分的電阻率小的導(dǎo)體材料構(gòu)成。如果基材層是陶瓷，則可通過例如以Ag、Cu為主成分的導(dǎo)電性膏的絲網(wǎng)印刷以及燒成來(lái)形成。此外，如果基材層是樹脂，則可通過利用蝕刻等對(duì)例如Al箔、Cu箔等金屬箔進(jìn)行圖案化來(lái)形成。

第一線圈L1和第二線圈L2具有大致相同的內(nèi)徑和外徑，并且具有線圈卷繞軸CA相同(同軸)的關(guān)系。因此，雖然第一線圈L1和第二線圈L2的卷繞數(shù)少，即，雖然是小型的，但是也可得到耦合系數(shù)k適度高的變壓器。此外，能夠在第一線圈L1與第二線圈L2之間產(chǎn)生大的線圈間電容，能夠構(gòu)成給定電容的第三電容元件C3。

圖6(A)是本實(shí)施方式的變壓器型移相器11的電路圖。在此，由第一線圈L1和第二線圈L2構(gòu)成變壓器。

第一電容元件C1主要由在形成于基材S2、S3、S4、S5的導(dǎo)體的層間產(chǎn)生的雜散電容構(gòu)成。同樣地，第二電容元件C2主要由在形成于基材S6、S7、S8、S9的導(dǎo)體的層間產(chǎn)生的雜散電容構(gòu)成。此外，第三電容元件C3主要是在第一線圈L1與第二線圈L2之間產(chǎn)生的線圈間雜散電容，特別是，主要由在導(dǎo)體L1A1與導(dǎo)體L2A1之間產(chǎn)生的電容構(gòu)成。

如果通過縮小構(gòu)成第一線圈L1和第二線圈L2的多個(gè)導(dǎo)體的層間距離而只由雜散電容來(lái)構(gòu)成電容元件C1、C2、C3，則能夠提高第一線圈L1和第二線圈L2的自感和互感。

另外，第一電容元件C1、第二電容元件C2以及第三電容元件C3中的至少任一個(gè)也可以由雜散電容和實(shí)體部件構(gòu)成。

圖6(B)是將變壓器型移相器11分為理想變壓器IT和寄生電感表示的等效電路圖。電感器La、Lc表示串聯(lián)寄生電感成分，電感器Lb表示并聯(lián)寄生電感成分。

由于上述寄生電感成分(電感器La、Lb、Lc)，變壓器的電感會(huì)偏離規(guī)定值(例如50Ω)，但是通過具備電容元件C1、C2、C3，從而可將變壓器的阻抗調(diào)整為規(guī)定值。特別是，電容元件C1、C2發(fā)揮作用以對(duì)由并聯(lián)寄生電感成分Lb引起的阻抗的偏離進(jìn)行修正，電容元件C3發(fā)揮作用以對(duì)由串聯(lián)寄生電感成分La、Lc引起的阻抗的偏離進(jìn)行修正。

另外，通過圖4所示的過孔導(dǎo)體V3、V4的位置來(lái)確定在圖6(A)所示的第一線圈L1中導(dǎo)體L1B1、L1B2的并聯(lián)連接部所占的比例。同樣地，通過圖4所示的過孔導(dǎo)體V7、V8的位置來(lái)確定在圖6(A)所示的第二線圈L2中導(dǎo)體L2B1、L2B2的并聯(lián)連接部所占的比例。因此，能夠通過這些過孔導(dǎo)體V3、V4的位置對(duì)第一線圈L1的電感進(jìn)行微調(diào)，能夠通過過孔導(dǎo)體V7、V8的位置對(duì)第二線圈L2的電感進(jìn)行微調(diào)。

在上述導(dǎo)體L1B1、L1B2的并聯(lián)連接部中電流分散流過，相對(duì)于此，在導(dǎo)體L1A1不存在這樣的電流的分散。同樣地，在導(dǎo)體L2B1、L2B2的并聯(lián)連接部中電流分散流過，相對(duì)于此，在導(dǎo)體L2A1不存在這樣的電流的分散。

在第一線圈L1和第二線圈L2中，在層疊方向上靠近的導(dǎo)體部分對(duì)耦合貢獻(xiàn)最大。即，全周在層疊方向上對(duì)置的導(dǎo)體L1A1、L2A1部分對(duì)第一線圈L1和第二線圈L2的耦合有貢獻(xiàn)。如上所述，在該導(dǎo)體L1A1、L2A1部分不存在由上述并聯(lián)連接部引起的電流的分散，因此第一線圈L1與第二線圈L2的耦合度高。

像這樣，通過將并聯(lián)連接部設(shè)置在相對(duì)于對(duì)方側(cè)線圈的導(dǎo)體圖案而在層疊方向上分開的位置，從而可抑制由于設(shè)置并聯(lián)連接部而引起的耦合度的降低。

此外，通過將與端子T1、T2連接的導(dǎo)體L1A1、L2A1配置在層疊方向上的中央附近，并將連接有接地端子GND的導(dǎo)體L1C、L2C配置在層疊方向上的上下，從而具有如下效果，即，能夠在不成為復(fù)雜的構(gòu)造的情況下構(gòu)成第一線圈L1和第二線圈L2共有磁通量的變壓器，進(jìn)而容易調(diào)整電容元件C3。

圖7是在史密斯圓圖上示出變壓器T的移相作用的圖。如果是變壓比為1∶1且沒有寄生成分的變壓器(變壓比為1∶1的理想變壓器)，則從該變壓器的第一端口P1觀察的阻抗和從第二端口P2觀察的阻抗均會(huì)落在史密斯圓圖上的中心。但是，端口P1-P2之間的相位差為180°。圖7中的半圓狀的箭頭表示該情況。

圖8是示出本實(shí)施方式的變壓器型移相器11的移相量的頻率特性的圖。在圖8中，橫軸為頻率，縱軸為移相量。移相量在±180°的范圍內(nèi)表示。在該例子中，標(biāo)記m1表示頻率1GHz處的移相量，標(biāo)記m2表示頻率1.9GHz處的移相量。在圖8的記載中，將從上邊的180°減去讀取值的值與180°相加的值為移相量。即，移相量在1GHz處為180°+65°＝245°，在1.9GHz處為180°+115°＝295°。

像這樣，即使頻率相差大約2倍，移相量也只是大約1.2倍(只是變化兩成)。

圖9是示出本實(shí)施方式的變壓器型移相器11的插入損耗的頻率特性的圖。在頻率1GHz處為大約-0.4dB，在頻率1.9GHz處為大約-0.3dB，可得到低插入損耗特性。在該例子中，之所以插入損耗在頻率1.9GHz處比在頻率1GHz處更低，是因?yàn)椴唤?jīng)過變壓器T而直接通過第三電容元件C3的信號(hào)成分增大的緣故。

另外，第一電容元件C1、第二電容元件C2不僅限于由線圈的線間電容構(gòu)成，也可以由線圈以外的導(dǎo)體圖案構(gòu)成。進(jìn)而，也可以連接作為外設(shè)部件的電容器。此外，第三電容元件C3不僅限于由線圈間電容構(gòu)成，也可以由線圈以外的導(dǎo)體圖案構(gòu)成。進(jìn)而，也可以連接作為外設(shè)部件的電容器。

《第二實(shí)施方式》

圖10(A)、圖10(B)是示出第二實(shí)施方式涉及的移相電路30A、30B的結(jié)構(gòu)的框圖。移相電路30A、30B連接在供電電路9與天線1之間。移相電路30A由變壓器型移相器10和與變壓器型移相器10串聯(lián)連接的移相線路20構(gòu)成。此外，移相電路30B由移相線路20和與移相線路20串聯(lián)連接的變壓器型移相器10構(gòu)成。變壓器型移相器10的基本結(jié)構(gòu)與在第一實(shí)施方式中示出的變壓器型移相器11相同。移相線路20是移相量小于90°的移相線路。

移相電路30A、30B使端口P1-P2之間產(chǎn)生與由變壓器型移相器10引起的移相量和由移相線路20引起的移相量相加的相位角對(duì)應(yīng)的量的相位差。

當(dāng)將通過附加并聯(lián)連接的電容元件和串聯(lián)連接的電容元件而對(duì)由變壓器的寄生電感成分引起的阻抗的偏離進(jìn)行微調(diào)之后的移相量表示為α?xí)r，變壓器型移相器10的移相量為180°+α。當(dāng)將由移相線路20引起的移相量設(shè)為β時(shí)，移相電路30A、30B的移相量為180°+α+β。

像這樣，通過附加移相線路20，從而能夠進(jìn)行大幅超過180°的移相，能夠通過由變壓器型移相器10引起的上述α的移相量對(duì)整體的移相量進(jìn)行微調(diào)。

另外，在圖10(A)、圖10(B)中，也可以在移相電路30A、30B與天線1之間設(shè)置有天線匹配電路。

圖11(A)、圖11(B)、圖11(C)、圖11(D)是示出4個(gè)移相電路31、32、33、34的電路結(jié)構(gòu)的圖。在圖11(A)、圖11(B)、圖11(C)、圖11(D)中，雖然移相線路21、22等是分布常數(shù)電路，但是將它們表示為集總常數(shù)電路。各移相線路均具備與傳輸線路串行連接的電感器Ld1、Ld2以及與接地線分路連接的電容器Cd1、Cd2。

在圖11(A)的例子中，由變壓器型移相器11和移相線路21構(gòu)成移相電路31。變壓器型移相器11與在第一實(shí)施方式中圖1所示的變壓器型移相器相同。

在圖11(B)的例子中，由變壓器型移相器主要部分11B和移相線路22構(gòu)成移相電路32。由變壓器型移相器主要部分11B和作為移相線路22的一部分的電容元件C2構(gòu)成變壓器型移相器。

在圖11(C)的例子中，由變壓器型移相器主要部分11C、電容元件C2以及移相線路21構(gòu)成移相電路33。由變壓器型移相器主要部分11C和作為外設(shè)部件的電容元件C2構(gòu)成變壓器型移相器。

在圖11(D)的例子中，圖11(A)所示的移相電路構(gòu)成為單個(gè)部件。

另外，上述移相線路20可以通過確定傳輸線路(50Ω線路)的電長(zhǎng)度來(lái)設(shè)定移相量，也可以通過附加電感器、電容器等集總常數(shù)元件或LC電路來(lái)調(diào)整移相量。

如上所述，圖10(A)、圖10(B)所示的移相電路30A、30B的移相量為180°+α+β，當(dāng)變壓器型移相器包含的變壓器的寄生成分(并聯(lián)電感成分和串聯(lián)電感成分)大(耦合系數(shù)k小)時(shí)，能夠增大上述α。但是，在通過電容元件C1、C2、C3等的阻抗調(diào)整用電路使阻抗匹配的情況下，難以進(jìn)行寬頻帶的阻抗匹配(難以使通過頻率掃描繪出的阻抗軌跡集中在史密斯圓圖的中心附近)。因此，在應(yīng)用的頻帶寬的情況下，優(yōu)選減小上述α，相應(yīng)地，通過β得到給定的移相量。由此，能夠在保持阻抗匹配的同時(shí)進(jìn)行移相。相反，在應(yīng)用頻帶為窄頻帶的情況下，只要增大α，相應(yīng)地減小β即可。由此，可抑制相對(duì)于頻率的移相量變化。例如，在寬頻帶中使用的情況下，將變壓器T的耦合系數(shù)k在0.5≤k＜1.0的范圍內(nèi)確定，在窄頻帶中使用的情況下，將變壓器T的耦合系數(shù)k在0.3≤k＜1.0的范圍內(nèi)確定。

《第三實(shí)施方式》

圖12是第三實(shí)施方式涉及的變壓器型移相器13的電路圖。在第一實(shí)施方式中，在圖1、圖2(A)、圖2(B)等所示的例子中，示出了使用阻抗變換比為1∶1的變壓器的移相器，但是阻抗變換比也可以是1∶n(n為1以外的值)。例如，如果n＜1，則能夠使阻抗比供電電路的阻抗低的天線與供電電路的阻抗匹配。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，能夠進(jìn)行給定的移相，并且進(jìn)行阻抗匹配。

《第四實(shí)施方式》

圖13是第四實(shí)施方式涉及的變壓器型移相器14的電路圖。本實(shí)施方式的變壓器型移相器14具備由彼此進(jìn)行磁場(chǎng)耦合的第一線圈L1和第二線圈L2構(gòu)成的自耦變壓器型的變壓器。在第一端口P1與接地線之間連接有第一電容元件C1，在第二端口P2與接地線之間連接有第二電容元件C2。此外，在第一端口P1與第二端口P2之間連接有第三電容元件C3。

像本實(shí)施方式那樣，對(duì)于自耦變壓器型的變壓器，由于第一線圈L1與第二線圈L2的耦合系數(shù)小于1，所以也會(huì)產(chǎn)生并聯(lián)電感成分和串聯(lián)電感成分。而且，通過電容元件C1、C2、C3使阻抗匹配。

《第五實(shí)施方式》

在第五實(shí)施方式中，示出通信終端裝置。圖14是第五實(shí)施方式涉及的通信終端裝置200的框圖。本實(shí)施方式的通信終端裝置200具備天線1、天線匹配電路40、移相電路30、通信電路41、基帶電路42、應(yīng)用處理器43以及輸入輸出電路44。通信電路41具備關(guān)于低頻帶(700MHz～1.0GHz)和高頻帶(1.4GHz～2.7GHz)的發(fā)送電路和接收電路，進(jìn)而具備天線共用器。天線1是與低頻帶和高頻帶對(duì)應(yīng)的單極天線或倒F型天線。

上述構(gòu)成要素容納在一個(gè)框體內(nèi)。例如，天線匹配電路40、移相電路30、通信電路41、基帶電路42、應(yīng)用處理器43安裝在印刷布線板，印刷布線板容納在框體內(nèi)。輸入輸出電路44作為顯示/觸摸面板組裝于框體。天線1安裝在印刷布線板，或者配置在框體的內(nèi)表面或內(nèi)部。

通過以上示出的結(jié)構(gòu)，可得到具備在寬頻帶匹配的天線的通信終端裝置。

另外，如圖14所示，移相電路30除了插入到多頻帶的通信信號(hào)路徑的結(jié)構(gòu)以外，例如也可以應(yīng)用于低頻帶(700MHz～1.0GHz)和高頻帶(1.4GHz～2.7GHz)中的一方的線路。

另外，在以上所示的實(shí)施方式中，示出了由3個(gè)電容元件C1、C2、C3構(gòu)成對(duì)變壓器的阻抗進(jìn)行調(diào)整的阻抗調(diào)整用電路的例子。阻抗調(diào)整用電路是用于對(duì)由作為變壓器的寄生成分的并聯(lián)電感成分和串聯(lián)電感成分引起的阻抗的位移進(jìn)行修正或積極地進(jìn)行修正的電路，因此不限于3個(gè)電容元件。只要通過與變壓器并聯(lián)連接或串聯(lián)連接給定的電抗元件來(lái)對(duì)變壓器T的阻抗進(jìn)行微調(diào)即可。

最后，上述的實(shí)施方式的說明在所有的方面都是例示性的，不是限制性的。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，能夠適當(dāng)進(jìn)行變形和變更。例如，能夠?qū)υ诓煌膶?shí)施方式中示出的結(jié)構(gòu)進(jìn)行部分的置換或組合。本實(shí)用新型的范圍不是由上述的實(shí)施方式示出，而是由權(quán)利要求書示出。進(jìn)而，本實(shí)用新型的范圍旨在包括與權(quán)利要求書等同的意思和范圍內(nèi)的所有的變更。

附圖標(biāo)記說明

C1：第一電容元件；

C2：第二電容元件；

C3：第三電容元件；

CA：線圈卷繞軸；

Cd1、Cd2：電容器；

IT：理想變壓器；

L1：第一線圈；

L2：第二線圈；

L1a、L1b、L1c：導(dǎo)體圖案；

L2a、L2b、L2c：導(dǎo)體圖案；

La、Lb、Lc：電感器；

Ld1、Ld2：電感器；

P1：第一端口；

P2：第二端口；

S1～S9：基材；

T：變壓器；

T1、T2：端子；

GND：接地端子；

NC：空端子；

1：天線；

9：供電電路；

10、11、13、14：變壓器型移相器；

11B、11C：變壓器型移相器主要部分；

21、22：移相線路；

30、30A、30B、31、32、33、34：移相電路；

40：天線匹配電路；

41：通信電路；

42：基帶電路；

43：應(yīng)用處理器；

44：輸入輸出電路；

100：層疊體；

200：通信終端裝置。