本發(fā)明涉及一種電路板的加工方法及通過該加工方法得到的電路板，屬于電路板加工技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

電子產(chǎn)品向著輕、薄、短、小的方向發(fā)展，對印制電路板高密度互連(High Density Interconnect，HDI)的可靠性有了更高的要求，印制電路板各層間的可靠性連接則主要依賴于通孔與盲孔。通孔或盲孔通過鍍銅、塞孔的方式。

VIPPO取英文單詞的前一個字母縮寫的簡稱：Via-In-Pad Plated Over，VIPPO的工藝即在PAD上鉆VIA孔，再用電鍍蓋孔的工藝。在此工藝制得的盲孔+高縱深比VIPPO復(fù)雜設(shè)計PCB成品中，發(fā)現(xiàn)外層盲孔銅層之間有一層異物，經(jīng)過分析，外層盲孔銅層之間的異物為盲孔填孔一定存在6～10um Dimple值，在真空整板樹脂塞孔時盲孔Dimple處涂滿了樹脂，由于此處比銅面凹下6～10um，無法將Dimple里的樹脂磨干凈。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的第一個目的在于提供一種電路板的加工方法，有效改善解決了外層盲孔銅層上的樹脂磨不干凈的問題，從而實現(xiàn)了外層盲孔+高縱深比VIPPO復(fù)雜設(shè)計的可行的生產(chǎn)流程。

實現(xiàn)本發(fā)明的目的可以通過采取如下技術(shù)方案達到：一種電路板的加工方法，包括以下步驟：

1)在電路板上鉆出盲孔；

2)貼上干膜，然后對電路板進行開窗處理；

3)在干膜上切出干膜通孔；所述干膜通孔與電路板的盲孔相對應(yīng)；所述干膜通孔的直徑為a，盲孔的直徑為b，a>b；

4)對盲孔內(nèi)壁和干膜通孔區(qū)域內(nèi)的電路板板面進行沉銅；

5)除去干膜，然后進行樹脂塞孔；

6)將電路板的表面磨平。

作為優(yōu)選，步驟1)中，所述盲孔的直徑為4～14mil。

作為優(yōu)選，步驟1)中，所述盲孔的縱深比為6～8：1。

作為優(yōu)選，步驟4)中，所述電路板板面的沉銅厚度為18～20um。

作為優(yōu)選，步驟6)中，使用陶瓷磨板將電路板的表面磨平。

本發(fā)明的第二個目的是為了提供一種通過上述方法得到的電路板。

實現(xiàn)本發(fā)明的目的可以通過采取如下技術(shù)方案達到：

一種電路板，通過如上所述的加工方法得到。

本發(fā)明的設(shè)計原理如下：

在干膜原來開窗的基礎(chǔ)上，增加設(shè)置比盲孔直徑更大的干膜通孔，這樣在后面沉銅鍍孔流程會將盲孔上的銅厚比之前面多鍍厚18～20um，而18～20um銅厚會使得在樹脂塞孔時樹脂不會流到Dimple中，然后將盲孔的表面磨平，從而解決了外層盲孔銅層上的樹脂異物問題。

相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果在于：

1、本發(fā)明有效改善解決了外層盲孔銅層之間的樹脂磨不干凈的問題，從而實現(xiàn)了外層盲孔+高縱深比VIPPO復(fù)雜設(shè)計的可行的生產(chǎn)流程；

2、本發(fā)明加工方法簡單高效。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的電路板加工時的示意圖；

其中，1、盲孔；2、干膜；21、干膜通孔。

具體實施方式

下面，結(jié)合附圖以及具體實施方式，對本發(fā)明做進一步描述：

實施例

參照圖1，一種電路板的加工方法，包括以下步驟：

1)在電路板上鉆出盲孔1；所述盲孔1的直徑為14mil，所述盲孔1的縱深比為8：1；

2)貼上干膜2，然后對電路板進行開窗處理；

3)在干膜2上切出干膜通孔21；所述干膜通孔21與電路板的盲孔1相對應(yīng)；所述干膜通孔21的直徑為a，盲孔1的直徑為b，a>b；

4)對盲孔1內(nèi)壁和干膜2通孔區(qū)域內(nèi)的電路板板面進行沉銅；所述電路板板面的沉銅厚度為18～20um；

5)除去干膜2，然后進行樹脂塞孔；

6)用陶瓷磨板將電路板的表面磨平。

通過以上加工方法，得到一種電路板；經(jīng)檢測，該電路板的盲孔Dimple沒有樹脂異物。

對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。