本發(fā)明涉及開關(guān)負(fù)壓技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單片機(jī)用隔離高電壓開關(guān)控制電路。

背景技術(shù)：

絕緣監(jiān)測(cè)儀：一種專門用于測(cè)量絕緣的裝置；photoMOS(光MOS)：它是以光為媒介來傳輸電信號(hào)的器件，通常把發(fā)光器(紅外線發(fā)光二極管LED)與受光器(光敏MOS管)封裝在同一管殼內(nèi)。目前傳統(tǒng)的技術(shù)是采用光MOS開關(guān)負(fù)壓，若負(fù)壓達(dá)到800V以上，有且僅有松下一家的AQV258可以作開

關(guān)，而這種開關(guān)受國外進(jìn)口等諸多限制，且成本較高。

目前傳統(tǒng)的技術(shù)是采用光MOS開關(guān)負(fù)壓，若負(fù)壓達(dá)到800V以上，有且僅有松下一家的AQV258可以作開關(guān)，而這種開關(guān)受國外進(jìn)口等限制，且成本較高，極大地限制了客戶的使用，且最高電壓僅能作到1500V。

另外一種方案是采用繼電器，而高壓繼電器成本是光MOS開關(guān)的一倍以上，且極難采購，國內(nèi)普通繼電器目前只能作到500V耐壓，且體積大，不利于絕緣監(jiān)測(cè)儀小型化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種單片機(jī)用隔離高電壓開關(guān)控制電路，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種單片機(jī)用隔離高電壓開關(guān)控制電路，包括MCU微型控制器，所述MCU微型控制器一個(gè)引腳電性連接開關(guān)S2的控制端，開關(guān)S2的一個(gè)觸點(diǎn)電性連接變壓器T2，開關(guān)S2的另一個(gè)觸點(diǎn)與地連接，所述MCU微型控制器一個(gè)引腳電性連接開關(guān)S1的控制端，開關(guān)S1的一個(gè)觸點(diǎn)電性連接變壓器T1，開關(guān)S1的另一個(gè)觸點(diǎn)與地連接，所述變壓器T2電性連接二極管D2正極，二極管D2負(fù)極電性連接電阻R3，所述電阻R3電性連接電容C2和場(chǎng)效應(yīng)管Q2的G級(jí)，所述電容C2與場(chǎng)效應(yīng)管Q2的S級(jí)連接，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的D級(jí)電性連接電阻R4，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的S級(jí)電性連接電源負(fù)極，所述變壓器T1電性連接二極管D1正極，二極管D1負(fù)極電性連接電阻R1，所述電阻R1電性連接電容C1和場(chǎng)效應(yīng)管Q1的G級(jí)，所述電容C1與場(chǎng)效應(yīng)管Q1的S級(jí)連接,所述場(chǎng)效應(yīng)管Q1的D級(jí)電性連接電阻R2，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q1的S級(jí)電性連接電源負(fù)極。

優(yōu)選的，所述開關(guān)S2和開關(guān)S1均為單刀雙擲開關(guān)。

優(yōu)選的，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q1均為N型。

優(yōu)選的，所述變壓器T2和變壓器T1的為相同型號(hào)。

優(yōu)選的，所述二極管D1和二極管D2均為普通二極管。

優(yōu)選的，所述開關(guān)S1和開關(guān)S2均為高頻電子開關(guān)。

本發(fā)明的技術(shù)效果和優(yōu)點(diǎn)：

1.電路拓樸結(jié)構(gòu)簡單，易于制作；

2.通過提升變壓器和開關(guān)的耐壓等級(jí)，能夠達(dá)到1000V以上的信號(hào)控制，解決上千伏絕緣監(jiān)測(cè)儀開關(guān)控制的問題。

3.不受正負(fù)電壓影響，見第二張圖，也可以用于控制正端。

4.可有效保證絕緣檢測(cè)儀的小型化；

本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單，方便實(shí)用的特點(diǎn)，適合進(jìn)一步推廣。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的電路示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1，一種單片機(jī)用隔離高電壓開關(guān)控制電路，包括MCU微型控制器，所述MCU微型控制器一個(gè)引腳電性連接開關(guān)S2的控制端，開關(guān)S2的一個(gè)觸點(diǎn)電性連接變壓器T2，開關(guān)S2的另一個(gè)觸點(diǎn)與地連接，所述MCU微型控制器一個(gè)引腳電性連接開關(guān)S1的控制端，開關(guān)S1的一個(gè)觸點(diǎn)電性連接變壓器T1，開關(guān)S1的另一個(gè)觸點(diǎn)與地連接，所述變壓器T2電性連接二極管D2正極，二極管D2負(fù)極電性連接電阻R3，所述電阻R3電性連接電容C2和場(chǎng)效應(yīng)管Q2的G級(jí)，所述電容C2與場(chǎng)效應(yīng)管Q2的S級(jí)連接，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的D級(jí)電性連接電阻R4，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的S級(jí)電性連接電源負(fù)極，所述變壓器T1電性連接二極管D1正極，二極管D1負(fù)極電性連接電阻R1，所述電阻R1電性連接電容C1和場(chǎng)效應(yīng)管Q1的G級(jí)，所述電容C1與場(chǎng)效應(yīng)管Q1的S級(jí)連接,所述場(chǎng)效應(yīng)管Q1的d級(jí)電性連接電阻R2，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q1的s級(jí)電性連接電源負(fù)極。所述開關(guān)S2和開關(guān)S1均為單刀雙擲開關(guān)。所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2和場(chǎng)效應(yīng)管Q1均為N型。所述變壓器T2和變壓器T1的為相同型號(hào)。所述二極管D1和二極管D2均為普通二極管。所述開關(guān)S1和開關(guān)S2均為高頻電子開關(guān)。

最后應(yīng)說明的是：以上所述僅為優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換，在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。