本申請涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶振元件的制作方法及晶振元件。

背景技術(shù)：

針對插件的晶振，一般都是在雙列直插式封裝技術(shù)(英文：dual inline-pin package，簡稱：DIP)工段人工插件后過波峰焊進(jìn)行生產(chǎn)即可。

但對于一些需要過認(rèn)證的機(jī)器，比如出中國或者歐洲國家，需要過3C或者CE認(rèn)證，但對于一些主控芯片，自身的功率輻射比較大，導(dǎo)致指標(biāo)嚴(yán)重超標(biāo)，這時(shí)就需要在主控的晶振處加錫處理，使得晶振外殼和主板的地連在一起，降低功率輻射和空間輻射。但此時(shí)，又帶來一個(gè)問題，晶振外殼加錫需要人工手動加錫處理，使得制造成本增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種晶振元件的制作方法及晶振元件，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中晶振外殼加錫需要人工手動加錫處理，使得制造成本增加的問題。

其具體的技術(shù)方案如下：

一種晶振元件的制作方法，所述方法包括：

在所述晶振元件的主控晶振上開設(shè)一段凹槽；

對開設(shè)的所述凹槽的槽壁進(jìn)行金屬化處理；

通過波峰焊對金屬化處理的所述晶振元件進(jìn)行處理，使得晶振外殼與所述主控晶振上的金屬化槽連接。

可選的，在所述晶振元件的主控晶振上開設(shè)一段凹槽，包括：

在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置開設(shè)第一凹槽，其中，所述第一凹槽為圓弧形凹槽；

在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置開設(shè)第二凹槽，其中，所述第二凹槽為圓弧形凹槽；

其中，所述第一凹槽與第二凹槽為對稱凹槽。

可選的，在所述晶振元件的主控晶振上開設(shè)一段凹槽，具體為：

按照設(shè)定的凹槽深度以及設(shè)定的晶振罩到的凹槽的間隙開設(shè)所述凹槽。

一種晶振元件，所述晶振元件包括：

外殼；

主控晶振，所述主控晶振設(shè)置于所述外殼內(nèi)，所述主控晶振設(shè)置第一連接端以及第二連端，所述主控晶振上設(shè)置有凹槽。

可選的，在所述主控晶振的凹槽內(nèi)壁設(shè)置金屬層。

可選的，所述第一凹槽開設(shè)在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置，所述第二凹槽開設(shè)在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置。

可選的，所述第一凹槽為圓弧形凹槽，所述第二凹槽為圓弧形凹槽，所述第一凹槽與所述第二凹槽對稱設(shè)置在所述主控晶振上。

通過本發(fā)明所提供的方法，將晶振物料插到主板上后，晶振元件本體的下方就和PCB上的晶振封裝金屬化槽已經(jīng)接觸，然后主板過波峰焊，錫膏就自動被波峰上到晶振封裝的金屬化槽內(nèi)，這樣晶振外殼就通過錫膏和金屬化槽連接在一起，進(jìn)而使得晶振外殼接到主板的地上。這樣就能避免人工手動加錫，提高產(chǎn)品的品質(zhì)，制造成本也大大降低。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中一種晶振元件的制作方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中一種晶振元件的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中一種晶振元件的結(jié)構(gòu)示意圖之二。

具體實(shí)施方式

下面通過附圖以及具體實(shí)施例對本發(fā)明技術(shù)方案做詳細(xì)的說明，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明實(shí)施例以及實(shí)施例中的具體技術(shù)特征只是對本發(fā)明技術(shù)方案的說明，而不是限定，在不沖突的情況下，本發(fā)明實(shí)施例以及實(shí)施例中的具體技術(shù)特征可以相互組合。

如圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例中一種晶振元件的制作方法的流程圖，該方法包括：

S101，在所述晶振元件的主控晶振上開設(shè)一段凹槽；

S102，對開設(shè)的所述凹槽的槽壁進(jìn)行金屬化處理；

S103，通過波峰焊對金屬化處理的所述晶振元件進(jìn)行處理，使得晶振外殼與所述主控晶振上的金屬化槽連接。

具體來講，所述晶振元件包括：外殼、主控晶振，所述主控晶振設(shè)置于所述外殼內(nèi)，所述主控晶振設(shè)置第一連接端以及第二連端，所述主控晶振上設(shè)置有凹槽。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中晶振外殼加錫需要人工手動加錫處理，使得制造成本增加的問題，所以在本發(fā)明實(shí)施例中可以直接在主控晶振上進(jìn)行開槽，也就是在所述晶振元件的主控晶振上的第一位置開設(shè)第一凹槽，其中，所述第一凹槽為圓弧形凹槽；在所述晶振元件的主控晶振上的第二位置開設(shè)第二凹槽，其中，所述第二凹槽為圓弧形凹槽。

這里的第一凹槽以及第二凹槽在主控晶振上的結(jié)構(gòu)如圖2所示，在圖2中第一凹槽以及第二凹槽為圓弧形結(jié)構(gòu)，在主控晶振上還設(shè)置有第一連接端以及第二連接端，第一凹槽與第二凹槽為關(guān)于第一連接端以及第二連接端的中點(diǎn)對稱設(shè)置。

進(jìn)一步，在本發(fā)明實(shí)施例中，在主控晶振上開設(shè)了第一凹槽以及第二凹槽之后，對開設(shè)的凹槽的槽壁進(jìn)行金屬化處理，也就是對第一凹槽的槽壁以及第二凹槽的槽壁進(jìn)行金屬化處理，這里的金屬化處理可以理解為當(dāng)前的任何金屬化處理方式。

在金屬化處理完成之后，通過波峰焊的方式對金屬化處理的晶振元件進(jìn)行處理，使得晶振外殼與主控晶振上的金屬化槽連接。

通過上述方式，當(dāng)主板在DIP工段進(jìn)行加工時(shí)，將晶振物料插到主板上后，這時(shí)晶振本體的下方就和PCB上的晶振封裝金屬化槽已經(jīng)接觸，然后主板過波峰焊，錫膏就自動被波峰上到晶振封裝的金屬化槽內(nèi)，這樣晶振外殼就通過錫膏和金屬化槽連接在一起，進(jìn)而使得晶振外殼接到主板的地上。這樣就能避免人工手動加錫，提高產(chǎn)品的品質(zhì)，制造成本也大大降低。

對應(yīng)本發(fā)明實(shí)施例中的一種晶振元件的制作方法，本發(fā)明實(shí)施例中還提供了一種晶振元件，如圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例中一種晶振元件的結(jié)構(gòu)示意圖，該晶振元件包括：

外殼301；

主控晶振302，所述主控晶振302設(shè)置于所述外殼301內(nèi)，所述主控晶振302設(shè)置第一連接端302a以及第二連端302b，所述主控晶振302上設(shè)置有凹槽303。

進(jìn)一步，在所述主控晶振302的凹槽303內(nèi)壁設(shè)置金屬層。

進(jìn)一步，所述第一凹槽303a開設(shè)在所述晶振元件的主控晶振302上的第一位置，所述第二凹槽303b開設(shè)在所述晶振元件的主控晶振302上的第二位置。

所述第一凹槽303a為圓弧形凹槽，所述第二凹槽303b為圓弧形凹槽，所述第一凹槽303a與所述第二凹槽303b對稱設(shè)置在所述主控晶振303上。

盡管已描述了本申請的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本申請范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本申請進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本申請的精神和范圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。