本發(fā)明屬于PCB(Printed Circuit Board印制電路板)生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種PCB Cavity(局部凹陷)設(shè)計區(qū)域的制作工藝。

背景技術(shù)：

高瀕板在normal(普通)材料與loss(高頻)材料傳輸中,普通材料會造成一定的延時,因此，客戶要求高瀕板需使用高頻材料,但因成本原因及技術(shù)要求,則出現(xiàn)normal材料與loss材料混壓的設(shè)計,上層為高頻要求使用的高頻材料，而高頻區(qū)域下方的normal材料會被去掉,去掉的區(qū)域?yàn)閏avity區(qū)域，部分客戶要求該cavity區(qū)域要在壁上設(shè)計有銅，在底部設(shè)計無銅，以滿足高速高頻信號的傳輸要求，而目前暫無相關(guān)制作工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于提供一種滿足高速高頻信號的傳輸要求的PCB Cavity設(shè)計區(qū)域的制作工藝。

本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，提供一種PCB Cavity設(shè)計區(qū)域的制作工藝，所述PCB由多個銅箔層與多個絕緣基板交替層疊而成；所述PCB Cavity設(shè)計區(qū)域的制作工藝包括如下步驟：

a、在Cavity設(shè)計區(qū)域的位置定深成型出回型槽；

b、通過鐳射將所述回型槽的深度精確打通至最上層的絕緣板下表面；

c、在回型槽內(nèi)曝光的最底層的銅箔層壁上通過影像轉(zhuǎn)移及顯影蝕刻生產(chǎn)銅墊；

d、通過PTH電鍍在所述回型槽的槽壁上鍍銅；

e、將所述回型槽的中間部分成型掉，形成內(nèi)壁有銅、底部無銅的局部凹陷。

進(jìn)一步地，在所述步驟a與b中，當(dāng)回型槽定深至與最上層的絕緣板下表面距離為2-4mil時，再利用鐳射打掉。

進(jìn)一步地，在所述步驟d中，通過光刻工藝進(jìn)行光刻掩模之后，以一定深度進(jìn)行蝕刻形成所述局部凹陷。

進(jìn)一步地，在步驟a之前，首先對PCB板進(jìn)行鉆孔。

進(jìn)一步地，對鉆孔進(jìn)行PTH電鍍，使鉆孔內(nèi)壁鍍銅。

本發(fā)明實(shí)施例與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于：本發(fā)明在Cavity設(shè)計區(qū)域位置精確定深成型出回型槽，并在回型槽內(nèi)曝光的最底層的銅箔層上形成銅墊，然后在回型槽的槽壁上通過PTH電鍍鍍銅，使回型槽槽壁鍍上的銅便于與銅墊連接，最后將回型槽的中間部分成型掉，從而形成內(nèi)壁有銅、底部無銅的局部凹陷，局部凹陷的內(nèi)壁有銅能夠使外部的銅箔層與內(nèi)部的銅箔層導(dǎo)通，局部凹陷的底部無銅能夠確保其上方高頻區(qū)域不受信號傳輸?shù)挠绊憽?/p>

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的鉆完孔后的PCB剖面示意圖；

圖2是圖1中的PCB定深成型出回型槽后的剖面示意圖；

圖3是圖2中的PCB定深成型出回型槽底部經(jīng)過鐳射之后的剖面示意圖；

圖4是圖3中的回型槽槽壁經(jīng)過PTH電鍍之后的剖面示意圖；

圖5是將圖4中的回型槽中間部分成型掉之后的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

如圖1所示，為鉆完孔后的PCB剖面示意圖，如圖2至圖5所示，為本發(fā)明實(shí)施例是PCB Cavity設(shè)計區(qū)域的制作工藝流程示意圖。該P(yáng)CB由多個銅箔層1與多個絕緣基板2交替層疊而成；在PCB Cavity設(shè)計區(qū)域的制作工藝之前，首先對PCB進(jìn)行鉆孔。該P(yáng)CB Cavity設(shè)計區(qū)域的制作工藝包括如下步驟：

a、在Cavity設(shè)計區(qū)域的位置通過定深機(jī)定深成型出回型槽3；回型槽3的寬度以1mm為優(yōu)，深度以客戶要求為準(zhǔn)。

b、當(dāng)回型槽3定深至與最上層的絕緣板2下表面距離為2-4mil時，通過鐳射將回型槽3的深度精確打通至最上層的絕緣板2下表面。

c、在回型槽3內(nèi)曝光的最底層的銅箔層1壁上通過影像轉(zhuǎn)移及顯影蝕刻生產(chǎn)銅墊4。

d、通過PTH(plated through holeb板子通孔)電鍍在回型槽3的槽壁上鍍銅5以及對鉆孔內(nèi)壁鍍銅5，便于回型槽3槽壁上的銅5與銅箔層1壁上的銅墊4連接，形成導(dǎo)通。

e、通過光刻工藝進(jìn)行光刻掩模之后，以一定深度進(jìn)行蝕刻，將回型槽3的中間部分成型掉，形成內(nèi)壁有銅、底部無銅的局部凹陷30。

綜上所述，PCB Cavity設(shè)計區(qū)域的制作工藝是在Cavity設(shè)計區(qū)域位置精確定深成型出回型槽3，并在回型槽3內(nèi)曝光的最底層的銅箔層1上形成銅墊4，然后在回型槽3的槽壁上通過PTH電鍍鍍銅5，使回型槽3的槽壁鍍上的銅5便于與銅墊4連接，最后將回型槽3的中間部分成型掉，從而形成內(nèi)壁有銅、底部無銅的局部凹陷30。該局部凹陷30的內(nèi)壁有銅5能夠使底層的銅箔層1與內(nèi)部的銅箔層1導(dǎo)通，局部凹陷30的底部無銅能夠確保其上方高頻區(qū)域不受信號傳輸影響。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。