本申請是申請日為2013年7月6日、申請?zhí)枮?01380046576.5(國際申請?zhí)枮閜ct/us2013/049500)、發(fā)明名稱為“與基于絕緣體上的硅的射頻開關(guān)有關(guān)的電路、器件和方法及其組合”的發(fā)明專利申請的分案申請。相關(guān)申請本申請根據(jù)35u.s.c§119(e)要求下列美國臨時申請的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益：2012年7月7日提交的、名稱為“radio-frequencyswitchhavingdynamicbodycoupling”的美國臨時申請no.61/669,034；2012年7月7日提交的、名稱為“switchlinearizationbynon-linearcompensationofafield-effecttransistor”的美國臨時申請no.61/669,035；2012年7月7日提交的、名稱為“radio-frequencyswitchhavingdynamicgatebiasresistanceandbodycontact”的美國臨時申請no.61/669,037；2012年7月7日提交的、名稱為“radio-frequencyswitcheshavingfrequency-tunedbodybias”的美國臨時申請no.61/669,039；2012年7月7日提交的、名稱為“body-gatecouplingtoreducedistortioninradio-frequencyswitch”的美國臨時申請no.61/669,054；2013年2月4日提交的、名稱為“rfswitcheshavingincreasedvoltageswinguniformity”的美國臨時申請no.61/760,561；2012年7月7日提交的、名稱為“switchingdevicehavingadischargecircuitforimprovedintermodulationdistortionperformance”的美國臨時申請no.61/669,042；2012年7月7日提交的、名稱為“feed-forwardcircuittoimproveintermodulationdistortionperformanceofradio-frequencyswitch”的美國臨時申請no.61/669,044；2012年7月7日提交的、名稱為“radio-frequencyswitchsystemhavingimprovedintermodulationdistortionperformance”的美國臨時申請no.61/669,045；2012年7月7日提交的、名稱為“adjustablegateand/orbodyresistanceforimprovedintermodulationdistortionperformanceofradio-frequencyswitch”的美國臨時申請no.61/669,047；2012年7月7日提交的、名稱為“radio-frequencyswitchhavinggatenodevoltagecompensationnetwork”的美國臨時申請no.61/669,049；2012年7月7日提交的、名稱為“body-gatecouplingtoimprovelinearityofradio-frequencyswitch”的美國臨時申請no.61/669,050；以及2012年7月7日提交的、名稱為“circuits,devices,methodsandapplicationsrelatedtosilicon-on-insulatorbasedradio-frequencyswitches”的美國臨時申請no.61/669,055，其公開明確地通過引用整體合并于此。本公開涉及射頻開關(guān)、用于操作射頻開關(guān)的方法、半導(dǎo)體裸芯、用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法、射頻開關(guān)模塊以及無線設(shè)備。
背景技術(shù)：
：：例如晶體管開關(guān)的射頻(rf)開關(guān)可以用于在一個或多個刀以及一個或多個擲之間切換信號。晶體管開關(guān)或其部分可以通過晶體管偏置和/或耦接來控制。結(jié)合rf開關(guān)的偏置和/或耦接電路的設(shè)計和使用可以影響開關(guān)性能。技術(shù)實現(xiàn)要素：尤其公開了用于耦接場效應(yīng)晶體管(fet)的不同部分和/或不同fet以產(chǎn)生期望的rf開關(guān)系統(tǒng)的性能改進的電路的各種示例。在一些實施例中，給定示例的一個或多個特征可以提供這種性能改進。在一些實施例中，可以結(jié)合來自不同示例的特征以產(chǎn)生這種性能改進。例如，在下文的情境中，文本公開的某些實施例提供射頻(rf)開關(guān)，該射頻(rf)開關(guān)包含在第一和第二節(jié)點之間串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，每一個fet具有柵極和體(body)。rf開關(guān)可以進一步包含補償網(wǎng)絡(luò)，該補償網(wǎng)絡(luò)包含用于耦接每一對相鄰fet的柵極的柵極耦接電路，該補償網(wǎng)絡(luò)進一步包含用于耦接每一對相鄰fet的體的體耦接電路。在某些實施例中，fet中的至少一些是絕緣體上的硅(soi)fet。柵極耦接電路可以包含電容器并且可能包含與該電容器串聯(lián)的電阻器。在某些實施例中，柵極耦接電路包含電阻器。體耦接電路可以包含電容器。體耦接電路可以進一步包含與電容器串聯(lián)的電阻器。在某些實施例中，體耦接電路包含電阻器。文本公開的某些實施例提供一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的過程。該過程可以包含控制在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得fet共同處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中。每一個fet具有柵極和體。該過程可以進一步包含將每一個相鄰fet的柵極耦接以減少在多個fet中的每一個上的電壓擺幅，并且耦接每一個相鄰fet的體以減少在多個fet中的每一個上的電壓擺幅。文本公開的某些實施例提供一種包含半導(dǎo)體裸芯，該半導(dǎo)體裸芯包含半導(dǎo)體基底和形成在該半導(dǎo)體基底上并且串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，每一個fet包含柵極和體。半導(dǎo)體裸芯可以進一步包含在該半導(dǎo)體裸芯上形成的補償網(wǎng)絡(luò)，該補償網(wǎng)絡(luò)包含耦接每一對相鄰fet的柵極的柵極耦接電路，該補償網(wǎng)絡(luò)進一步包含耦接每一對相鄰fet的體的體耦接電路。半導(dǎo)體裸芯可以進一步包含被布置在fet和半導(dǎo)體裸芯之間的絕緣體層。在某些實施例中，該裸芯是絕緣體上的硅(soi)裸芯。某些實施例提供一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的過程。該過程可以包含提供半導(dǎo)體基底并在該半導(dǎo)體基底上形成多個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得該多個場效應(yīng)晶體管(fet)串聯(lián)連接，每一個fet具有柵極和體。該過程可以進一步包含在半導(dǎo)體基底上形成柵極耦接電路以耦接每一對相鄰fet的柵極，并且在半導(dǎo)體基底上形成體耦接電路以耦接每一對相鄰fet的體。在某些實施例中，該過程進一步包含在fet和半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。本文公開的某些實施例提供一種射頻(rf)開關(guān)模塊，該射頻(rf)開關(guān)模塊包含：封裝基底，該封裝基底被配置為容納多個組件；和被安裝在該封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，該裸芯包含串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，每一個fet包含柵極和體。該rf開關(guān)模塊進一步包含補償網(wǎng)絡(luò)，該補償網(wǎng)絡(luò)包含耦接每一對相鄰fet的柵極的柵極耦接電路，該補償網(wǎng)絡(luò)進一步包含耦接每一對相鄰fet的體的體耦接電路。半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在某些實施例中，補償網(wǎng)絡(luò)是與多個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的部分。補償網(wǎng)絡(luò)可以是被安裝在封裝基底上的第二裸芯的部分。在某些實施例中，補償網(wǎng)絡(luò)被布置在半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。本文公開的某些實施例提供一種無線設(shè)備，該無線設(shè)備包含收發(fā)器和與該收發(fā)器通信的天線，該收發(fā)器被配置為處理rf信號，該天線被配置為有助于傳輸放大的rf信號。該無線設(shè)備進一步包含連接到該收發(fā)器并且被配置為生成放大的rf信號的功率放大器，以及連接到天線和功率放大器并且被配置為將放大的rf信號選擇性地路由到天線的開關(guān)，該開關(guān)包含串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，每一個fet包含柵極和體，該開關(guān)進一步包含補償網(wǎng)絡(luò)，該補償網(wǎng)絡(luò)具有耦接每一對相鄰fet的柵極的柵極耦接電路以及耦接每一對相鄰fet的體的體耦接電路。本文公開的某些實施例提供一種射頻(rf)開關(guān)，該rf開關(guān)包括：至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，被布置在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間，所述fet中的每一個具有相應(yīng)的體和柵極；以及可調(diào)節(jié)電阻電路，連接到所述至少一個fet的相應(yīng)的柵極和體之一或兩者。本文公開的某些實施例提供一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法，所述方法包括：控制被布置在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得所述至少一個fet中的每一個處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中；以及調(diào)節(jié)與所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的柵極和體之一或兩者連接的電路的電阻。本文公開的某些實施例提供一種半導(dǎo)體裸芯，所述半導(dǎo)體裸芯包括：半導(dǎo)體基底；至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，形成在所述半導(dǎo)體基底上；以及可調(diào)節(jié)電阻電路，連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的柵極和體中的一個或二者。本文公開的某些實施例提供一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法，所述方法包括：提供半導(dǎo)體基底；在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的柵極和體；在所述半導(dǎo)體基底上形成可調(diào)節(jié)電阻電路；以及將所述可調(diào)節(jié)電阻電路連接到所述至少一個fet的相應(yīng)的柵極和體之一或兩者。本文公開的某些實施例提供一種射頻(rf)開關(guān)模塊，所述rf開關(guān)模塊包括：封裝基底，被配置為容納多個組件；半導(dǎo)體裸芯，被安裝在所述封裝基底上，所述裸芯包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)；以及可調(diào)節(jié)電阻電路，連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的柵極和體之一或兩者。本文公開的某些實施例提供一種無線設(shè)備，所述無線設(shè)備包括：收發(fā)器，被配置為處理rf信號；天線，與所述收發(fā)器通信，被配置為有助于傳輸放大的rf信號；功率放大器，連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號；以及開關(guān)，連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線，所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，所述開關(guān)進一步包含可調(diào)節(jié)電阻電路，該可調(diào)節(jié)電阻電路連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的柵極和體之一或兩者。附圖說明各種實施例出于示例的目的被描繪在附圖中，并且絕不應(yīng)被解釋為限制本發(fā)明的范圍。此外，可以組合公開的不同實施例的各種特征以形成額外的實施例，該額外的實施例是本公開的一部分。在整個附圖中，可以重復(fù)使用參考標(biāo)號以指示參考元件之間的對應(yīng)關(guān)系。圖1示意性示出被配置為在一個或多個刀和一個或多個擲之間切換一個或多個信號的射頻(rf)開關(guān)。圖2示出圖1的rf開關(guān)100可以包含rf核和能量管理(em)核。圖3示出在單刀雙擲(spdt)配置中實現(xiàn)的rf核的示例。圖4示出在spdt配置中實現(xiàn)的rf核的示例，其中每一個開關(guān)臂可以包含串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)。圖5示意性地示出通過被配置為偏置和/或耦接fet的一個或多個部分的電路可以有助于rf開關(guān)中的一個或多個fet的控制。圖6示出在開關(guān)臂中的多個fet的不同部分上實現(xiàn)的偏置/耦接電路的示例。圖7a和7b示出在絕緣體上的硅(soi)配置中實現(xiàn)的示例基于梳指的(finger-based)fet器件的俯視剖視圖和側(cè)面剖視圖。圖8a和8b示出在soi配置中實現(xiàn)的多梳指(multiple-finger)fet器件的示例的俯視剖視圖和側(cè)面剖視圖。圖9示出具有非線性電容器的rf開關(guān)電路的第一示例，該非線性電容器連接到fet的源極端子并且被配置為例如消除或減少由fet生成的非線性效應(yīng)。圖10示出可以在具有多個fet的開關(guān)臂中實現(xiàn)的圖9的一個或多個特征。圖11a-11f示出rf開關(guān)電路的第二示例的變化，其中fet的柵極端子和體端子之一或兩者可以通過具有與電阻器串聯(lián)的電容器的一個或多個耦接電路耦接到源極端子以例如允許從耦接的柵極和/或體進行接口電荷的放電。圖12a-12f示出可以在具有多個fet的開關(guān)臂中實現(xiàn)圖11a-11f的一個或多個特征。圖13示出具有體偏置電路的rf開關(guān)電路的第三示例，該體偏置電路包含lc電路，該lc電路可以被配置為例如當(dāng)開關(guān)電路導(dǎo)通時提供減少的或最小插入損耗、以及當(dāng)開關(guān)電路斷開時向體提供dc短路或固定dc電壓。圖14示出可以在具有多個fet的開關(guān)臂中實現(xiàn)圖13的一個或多個特征。圖15示出具有耦接電路的rf開關(guān)電路的第四示例，該耦接電路通過與電阻器串聯(lián)的二極管耦接fet的體和柵極以例如有助于來自體的多余電荷的改進分布。圖16示出可以在具有多個fet的開關(guān)臂中實現(xiàn)圖15的一個或多個特征。圖17a和17b示出rf開關(guān)電路的第五示例的變化，其中可以對于fet的柵極和體之一或兩者以可切換的方式提供額外的電阻以例如提供改進的互調(diào)失真(imd)性能。圖18a和18b示出可以在具有多個fet的開關(guān)臂中實現(xiàn)圖17a和17b的一個或多個特征。圖19示出具有耦接電路的rf開關(guān)電路的第六示例，該耦接電路通過與電阻器串聯(lián)的電容器耦接fet的體和柵極以例如提供改進的互調(diào)失真(imd)性能。圖20示出可以在具有多個fet的開關(guān)臂中實現(xiàn)圖19的一個或多個特征。圖21示出rf開關(guān)電路的第七示例，其具有以可切換的方式電阻性地耦接到柵極的fet的體以例如當(dāng)開關(guān)電路導(dǎo)通時提供最小或減少的插入損耗、以及向fet的體和柵極兩者提供dc電壓以防止或減少寄生節(jié)點二極管被導(dǎo)通。圖22示出可以在具有多個fet的開關(guān)臂中實現(xiàn)圖21的一個或多個特征。圖23a和23b示出rf開關(guān)電路的第八示例的變化，其具有體和柵極可以通過電容器或電容器和二極管的并聯(lián)組合耦接的fet，以例如有助于改進諧波管理，包含imd3和imd2。圖24a和24b示出可以在具有多個fet的開關(guān)臂中實現(xiàn)圖23a和23b中的一個或多個特征。圖25a-25d示出可以通過圖23和24的配置提供的改進的性能的示例。圖26示出rf開關(guān)電路的第九示例，其在fet的體和柵極之間具有可切換的耦接，以例如當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時提供最小或減少的插入損耗、以及提供與大的電壓擺幅相關(guān)聯(lián)的減少的失真。圖27示出可以在具有多個fet的開關(guān)臂中實現(xiàn)圖26的一個或多個特征。圖28-30示出rf開關(guān)電路的第十示例的變化，其具有柵極可以被電壓補償?shù)膄et以例如在每一個fet上產(chǎn)生改進的電壓分布。圖31示出使用圖28-30的柵極補償特征實現(xiàn)的性能改進的示例。圖32示出第十一示例，其中rf開關(guān)配置可以包含一個或多個電容器以例如禁止低頻阻斷物(blocker)與基頻混合。圖33示出其中圖32的開關(guān)配置處于傳輸模式中的示例。圖34示意性描繪包含具有電壓分布均衡電路的開關(guān)電路的開關(guān)器件，其中該開關(guān)器件被配置為當(dāng)處于第一狀態(tài)時允許在第一和第二端口之間通過信號，例如射頻(rf)信號。圖35示出包含串聯(lián)連接的、限定在輸入端和輸出端之間的rf信號路徑的五個fet的開關(guān)電路。圖36示出包含串聯(lián)連接的、限定輸入端和輸出端的五個fet并且包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實現(xiàn)方式的開關(guān)電路。圖37示出包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例的開關(guān)電路的fet上的電壓擺幅性能與不包含該技術(shù)的開關(guān)電路的性能的比較。圖38示出包含串聯(lián)連接的用于限定在輸入端和輸出端之間的rf信號路徑的五個fet、并且包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實現(xiàn)方式的開關(guān)電路。圖39示出包含串聯(lián)連接的用于限定在輸入端和輸出端之間的rf信號路徑的五個fet、并且包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實現(xiàn)方式的開關(guān)電路。圖40示出包含串聯(lián)連接的用于限定在輸入端和輸出端之間的rf信號路徑的兩個fet、并且包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實現(xiàn)方式的示例開關(guān)電路。圖41示出可以應(yīng)用于制造具有本文所述的一個或多個特征的開關(guān)電路的過程。圖42示出可以用作圖10的過程的更具體的示例的過程。圖43a-43d示出可以如何實現(xiàn)用于偏置、耦接和/或有助于圖9-42的示例配置的各種組件的示例。圖44a和44b示出可以包含本文所述的一個或多個特征的封裝模塊的示例。圖45示出在一些實施例中、可以在例如被配置為有助于多頻帶多模式無線操作的單刀多擲(spmt)開關(guān)的開關(guān)器件中實現(xiàn)本公開的一個或多個特征。圖46示出可以包含本文描述的一個或多個特征的無線設(shè)備的示例。圖47示出在一些實現(xiàn)方式中，與給定示例配置相關(guān)聯(lián)的一個或多個特征可以與另一示例配置相關(guān)聯(lián)的一個或多個特征結(jié)合。具體實施方式本文提供的標(biāo)題(若有)僅為了方便并且不一定影響所要求保護的發(fā)明的范圍或含義。開關(guān)器件的示例組件：圖1示意性示出被配置為在一個或多個刀102和一個或多個擲104之間切換一個或多個信號的射頻(rf)開關(guān)100。在一些實施例中，這種開關(guān)可以基于一個或多個場效應(yīng)晶體管(fet)，例如絕緣體上的硅(soi)fet。當(dāng)特定刀連接到特定擲時，這種路徑通常被稱為閉合或處于導(dǎo)通狀態(tài)中。當(dāng)?shù)逗蛿S之間的給定路徑并未連接時，這種連接通常被稱為打開或處于斷開狀態(tài)。圖2示出在一些實現(xiàn)方式中、圖1的rf開關(guān)100可以包含rf核110和能量管理(em)核112。rf核110可以被配置為在第一端口和第二端口之間路由rf信號。在圖2中示出的示例單刀雙擲(spdt)配置中，這種第一端口和第二端口可以包含刀102a和第一擲104a、或刀102a和第二擲104b。在一些實施例中，em核112可以被配置為向rf核提供例如電壓控制信號。em核112可以進一步被配置為向rf開關(guān)100提供邏輯解碼和/或電源調(diào)節(jié)能力。在一些實施例中，rf核110可以包含一個或多個刀和一個或多個擲以使得能夠在開關(guān)100的一個或多個輸入和一個或多個輸出之間通過rf信號。例如，rf核110可以包含如圖2中所示的單刀雙擲(spdt或sp2t)配置。在示例spdt的情境中，圖3示出rf核110的更詳細的示例配置。rf核110被示出為包含經(jīng)由第一和第二晶體管(例如，fet)120a、120b耦接到第一和第二擲節(jié)點104a、104b的單個刀102a。第一擲節(jié)點104a被示出為經(jīng)由fet122a耦接到rf地以對于節(jié)點104a提供分流能力。類似地，第二擲節(jié)點104b被示出為經(jīng)由fet122b耦接到rf地以對于節(jié)點104b提供分流能力。在示例操作中，當(dāng)rf核110處于其中rf信號在刀102a和第一擲104a之間通過的狀態(tài)中時，刀102a和第一擲節(jié)點104a之間的fet120a可以處于導(dǎo)通狀態(tài)中，并且刀102a和第二擲節(jié)點104b之間的fet120b可以處于截止?fàn)顟B(tài)中。對于分流fet122a、122b，分流fet122a可以處于截止?fàn)顟B(tài)，使得rf信號在從刀102a行進到第一擲節(jié)點104a時不被分流到地。與第二擲節(jié)點104b相關(guān)聯(lián)的分流fet122b可以處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得通過第二擲節(jié)點104b到達rf核110的任何rf信號或噪聲被分流到地，以便減少對刀到第一擲操作的不期望的干擾影響。雖然在單刀雙擲配置的情境中描述了上述示例，但是將理解可以使用其他數(shù)目的刀和擲配置rf核。例如，可以存在多于一個刀，并且擲的數(shù)目可以小于或大于示例數(shù)目二。在圖3的示例中，刀102a和兩個擲節(jié)點104a、104b之間的晶體管被描繪為單個晶體管。在一些實現(xiàn)方式中，可以通過開關(guān)臂部件提供一個或多個刀和一個或多個擲之間的這種開關(guān)功能，其中每一個開關(guān)臂部件包含多個晶體管，例如fet。圖4中示出具有這種開關(guān)臂部件的rf核的示例rf核配置130。在該示例中，刀102a和第一擲節(jié)點104a被示出為經(jīng)由第一開關(guān)臂部件140a耦接。類似地，刀102a和第二擲節(jié)點104b被示出為經(jīng)由第二開關(guān)臂部件140b耦接。第一擲節(jié)點104a被示出為能夠經(jīng)由第一分流臂部件142a被分流到rf地。類似地，第二擲節(jié)點104b被示出為能夠經(jīng)由第二分流臂部件142b被分流到rf地。在示例操作中，當(dāng)rf核130處于其中rf信號在刀102a和第一擲104a之間通過的狀態(tài)中時，第一開關(guān)臂部件140a中的全部fet可以處于導(dǎo)通狀態(tài)中，并且第二開關(guān)臂部件140b中的全部fet可以處于截止?fàn)顟B(tài)中。用于第一擲節(jié)點104a的第一分流臂142a可以使其全部fet處于截止?fàn)顟B(tài)，使得rf信號在從刀102a行進到第一擲節(jié)點104a時不被分流到地。與第二擲節(jié)點104b相關(guān)聯(lián)的第二分流臂142a中的全部fet可以處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得通過第二擲節(jié)點104b到達rf核130的任何rf信號或噪聲被分流到地，以便減少對刀到第一擲操作的不期望的干擾影響。此外，雖然在sp2t配置的情境中進行描述，但是將理解也可以實現(xiàn)具有其他數(shù)目的刀和擲的rf核。在一些實現(xiàn)方式中，開關(guān)臂部件(例如，140a、140b、142a、142b)可以包含一個或多個半導(dǎo)體晶體管，例如fet。在一些實施例中，fet能夠處于第一狀態(tài)中或第二狀態(tài)中并且可以包含柵極、漏極、源極和體(有時也被稱為基底)。在一些實施例中，fet可以包含金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)。在一些實施例中，一個或多個fet可以串聯(lián)連接形成第一端和第二端，使得當(dāng)fet處于第一狀態(tài)(例如，導(dǎo)通狀態(tài))中時，可以在第一端和第二端之間路由rf信號。本公開中的至少一些涉及可以如何控制fet或一組fet來以期望的方式提供開關(guān)功能。圖5示意性地示出在一些實現(xiàn)方式中，通過被配置為偏置和/或耦接fet120的一個或多個部分的電路150可以有助于fet120的這種控制。在一些實施例中，這種電路150可以包含一個或多個電路，該一個或多個電路被配置為偏置和/或耦接fet120的柵極，偏置和/或耦接fet120的體，和/或耦接fet120的源極/漏極。參考圖6描述如何偏置和/或耦接一個或多個fet的不同部分的示意性示例。在圖6中，節(jié)點144、146之間的開關(guān)臂部件140(其可以是例如圖4的示例的示例開關(guān)臂部件140a、140b、142a、142b之一)被示出為包含多個fet120?？梢酝ㄟ^柵極偏置/耦接電路150a、和體偏置/耦接電路150c、和/或源極/漏極耦接電路150b控制和/或有助于這種fet的操作。柵極偏置/耦接電路在圖6中示出的示例中，每一個fet120的柵極可以連接到柵極偏置/耦接電路150a，以接收柵極偏置信號和/或?qū)⒃摉艠O耦接到fet120的另一部分或開關(guān)臂140。在一些實現(xiàn)方式中，柵極偏置/耦接電路150a的設(shè)計或特征可以改進開關(guān)臂140的性能。這種性能改進可以包含但不限于器件插入損耗、隔離性能、功率處理能力和/或開關(guān)器件線性。體偏置/耦接電路如圖6中所示，每一個fet120的體可以連接到體偏置/耦接電路150c，以接收體偏置信號和/或?qū)Ⅲw耦接到fet120的另一部分或開關(guān)臂140。在一些實現(xiàn)方式中，體偏置/耦接電路150c的設(shè)計或特征可改進開關(guān)臂140的性能。這種性能改進可包含但不限于器件插入損耗、隔離性能、功率處理能力和/或開關(guān)器件線性。源極/漏極耦接電路如圖6中所示，每一個fet120的源極/漏極可以連接到耦接電路150b，以將該源極/漏極耦接到fet120的另一部分或開關(guān)臂140。在一些實現(xiàn)方式中，耦接電路150b的設(shè)計和特征可改進開關(guān)臂140的性能。這種性能改進可包含但不限于器件插入損耗、隔離性能、功率處理能力和/或開關(guān)器件線性。開關(guān)性能參數(shù)的示例：插入損耗開關(guān)器件性能參數(shù)可包含插入損耗的度量。開關(guān)器件插入損耗可以是通過rf開關(guān)器件路由的rf信號的衰減的度量。例如，在開關(guān)器件的輸出端口處的rf信號的幅度可以小于在開關(guān)器件的輸入端口的rf信號的幅度。在一些實施例中，開關(guān)器件可以包含在器件中引入寄生電容、電感、電阻或電導(dǎo)的器件組件，這促成了增加的開關(guān)器件插入損耗。在一些實施例中，開關(guān)器件插入損耗可以作為開關(guān)器件的輸入端口處的rf信號的功率或電壓與輸出端口處的rf信號的功率或電壓之比來測量。減少的開關(guān)器件插入損耗對于改進rf信號傳輸可能是所期望的。隔離性開關(guān)器件性能參數(shù)還可包含隔離性的度量。開關(guān)器件隔離性可以是在rf開關(guān)器件的輸入端口和輸出端口之間的rf隔離性的度量。在一些實施例中，在開關(guān)器件處于其中輸入端口和輸出端口電隔離的狀態(tài)時，例如當(dāng)開關(guān)器件處于斷開狀態(tài)時，開關(guān)器件隔離性可以是開關(guān)器件的rf隔離性的度量。增加的開關(guān)器件隔離性可以改進rf信號完整性。在某些實施例中，隔離性的增加可以改進無線通信裝置性能。互調(diào)失真開關(guān)器件性能參數(shù)可以進一步包含互調(diào)失真(imd)性能的度量?；フ{(diào)失真(imd)可以是rf開關(guān)器件中的非線性的度量?？梢詮幕旌系揭黄鸩a(chǎn)生非諧波頻率的頻率的兩個或多個信號導(dǎo)致imd。例如，假設(shè)兩個信號具有在頻率空間中彼此相對接近的基頻f1和f2(f2＞f1)。這種信號的混合可以導(dǎo)致頻譜中在與兩個信號的基頻和諧波頻率的不同產(chǎn)物對應(yīng)的頻率處得到峰值。例如，二階互調(diào)失真(也被稱為imd2)通常被認為包含頻率f1+f2、f2-f1、2f1以及2f2。三階imd(也被稱為imd3)通常被認為包含頻率2f1+f2、2f1-f2、f1+2f2、f1-2f2。更高階的產(chǎn)物可以類似的方式形成。通常，隨著imd階數(shù)增加，功率電平降低。相應(yīng)地，二階和三階可以是特別感興趣的不期望的效應(yīng)。在一些情況下，也可以對例如四階和五階的更高階感興趣。在一些rf應(yīng)用中，可期望減少rf系統(tǒng)內(nèi)對干擾的敏感性。rf系統(tǒng)中的非線性可以導(dǎo)致將偽造信號引入到系統(tǒng)中。rf系統(tǒng)中的偽造信號可以導(dǎo)致系統(tǒng)內(nèi)的干擾并且使由rf信號傳輸?shù)男畔⑼嘶?。具有增加的非線性的rf系統(tǒng)可以表現(xiàn)出對干擾的增加的敏感性。系統(tǒng)組件，例如開關(guān)器件，中的非線性可以促成將偽造信號引入到rf系統(tǒng)中，由此促成整個rf系統(tǒng)線性和imd性能的退化。在一些實施例中，rf開關(guān)器件可以被實現(xiàn)為包含無線通信系統(tǒng)的rf系統(tǒng)的一部分。系統(tǒng)的imd性能可以通過增加系統(tǒng)組件的線性，例如rf開關(guān)器件的線性而改進。在一些實施例中，無線通信系統(tǒng)可以在多頻帶和/或多模式環(huán)境中操作?；フ{(diào)失真(imd)性能的改進在多頻帶和/或多模式環(huán)境中操作的無線通信系統(tǒng)中可能是所期望的。在一些實施例中，開關(guān)器件imd性能的改進可以改進在多頻帶和/或多模式環(huán)境中操作的無線通信系統(tǒng)的imd性能。改進的開關(guān)器件imd性能對于在各種無線通信標(biāo)準(zhǔn)中操作的無線通信裝置，例如對于在lte通信標(biāo)準(zhǔn)中操作的無線通信裝置可能是所期望的。在一些rf應(yīng)用中，改進在使能數(shù)據(jù)和語音通信的同時傳輸?shù)臒o線通信裝置中操作的開關(guān)器件的線性可能是所期望的。例如，開關(guān)器件中改進的imd性能對于在lte通信標(biāo)準(zhǔn)中操作并且執(zhí)行語音和數(shù)據(jù)通信的同時傳輸(例如，svlte)的無線通信裝置可能是所期望的。高功率處理能力在一些rf應(yīng)用中，rf開關(guān)器件在高功率下操作，同時減少其他器件性能參數(shù)的退化，這可以是所期望的。在一些實施例中，rf開關(guān)器件在高功率下操作，并且具有改進的互調(diào)失真、插入損耗和/或隔離性能，這可能是所期望的。在一些實施例中，可以在開關(guān)器件的開關(guān)臂部件中實現(xiàn)數(shù)目增加的晶體管，以使得能夠改進開關(guān)器件的功率處理能力。例如，開關(guān)臂部件可以包含數(shù)目增加的串聯(lián)連接的fet，增加的fet堆棧高度，以使得能夠改進在高功率下的器件性能。然而，在一些實施例中，增加的fet堆棧高度可以使開關(guān)器件插入損耗性能退化。fet結(jié)構(gòu)和制造過程技術(shù)的示例：開關(guān)器件可以被實現(xiàn)為裸芯上、裸芯下(off-die)或其某種組合。開關(guān)器件也可以使用各種技術(shù)制造。在一些實施例中，rf開關(guān)器件可以使用硅或絕緣體上的硅(soi)技術(shù)制造。如本文所述，rf開關(guān)器件可以使用絕緣體上的硅(soi)技術(shù)實現(xiàn)。在一些實施例中，soi技術(shù)可以包含具有電絕緣材料的嵌入層的半導(dǎo)體基底，例如在硅器件層下的埋入氧化層。例如，soi基底可包含嵌入在硅層下的氧化層。也可使用本領(lǐng)域已知的其他絕緣材料。使用soi技術(shù)的rf應(yīng)用(例如rf開關(guān)器件)的實現(xiàn)方式可以改進開關(guān)器件性能。在一些實施例中，soi技術(shù)能夠使功率消耗減少。減少的功率消耗在包含與無線通信裝置相關(guān)聯(lián)的rf應(yīng)用的rf應(yīng)用中可以是所期望的。由于晶體管的寄生電容減少以及硅基底的互連金屬化，soi技術(shù)可以使得器件電路的功率消耗減少。埋入氧化層的存在也可以減少結(jié)電容或高電阻系數(shù)基底的使用，使得能夠減少與基底有關(guān)的rf損耗。電隔離的soi晶體管可以有助于堆棧，促成芯片尺寸減小。在一些soifet配置中，每一個晶體管可被配置為基于梳指的(finger-based)器件，其中源極和漏極為矩形形狀(在俯視圖中)并且柵極結(jié)構(gòu)在源極和漏極之間像矩形形狀的梳指一樣延伸。圖7a和7b示出在soi上實現(xiàn)的示例基于梳指的fet的俯視剖視圖和側(cè)視剖視圖。如所示，本文描述的fet器件可以包含p型fet或n型fet。因此，雖然本文將一些fet器件描述為p型器件，但是將理解與這種p型器件相關(guān)聯(lián)的各種構(gòu)思也可以用于n型器件。如圖7a和7b中所示，pmosfet可以包含形成在半導(dǎo)體基底上的絕緣體層。絕緣體層可由例如二氧化硅或藍寶石的材料形成。n阱被示出為形成在絕緣體中，使得暴露的表面大體限定一矩形區(qū)域。源極(s)和漏極(d)被示出為其暴露的表面大體限定矩形的p摻雜區(qū)域。如所示，s/d區(qū)域可以被配置為使得源極和漏極功能相反。圖7a和7b進一步示出柵極(g)可以形成在n阱上以便位于源極和漏極之間。示例柵極被描繪為具有沿著源極和漏極延伸的矩形形狀。還示出n型體接觸。矩形形狀的阱、源極和漏極區(qū)域以及體接觸的形成可以通過多種已知技術(shù)實現(xiàn)。在一些實施例中，源極和漏極區(qū)域可以被形成為與它們相應(yīng)的上面的絕緣體層的末端相鄰，并且在體與在該體的相對側(cè)上的源極/漏極區(qū)域之間的結(jié)可以基本上一直向下延伸到埋入絕緣體層的端部。這種配置可以提供例如減少的源極/漏極結(jié)電容。為了形成用于這種配置的體接觸，可以在該側(cè)上提供額外的柵極區(qū)域以允許例如隔離的p+區(qū)域接觸p阱。圖8a和8b示出在soi上實現(xiàn)的多梳指fet器件的示例的俯視剖視圖和側(cè)視剖視圖。矩形形狀的n阱、矩形形狀的p摻雜區(qū)域、矩形形狀的柵極以及n型體接觸可以與參考圖7a和7b所描述的方式類似的方式來實現(xiàn)。圖8a和8b的示例多梳指fet器件可以操作為使得一個fet的漏極用作其相鄰fet的源極。因此，整個多梳指fet器件可以提供電壓劃分功能。例如，在最外側(cè)的p摻雜區(qū)域之一(例如，最左側(cè)的p摻雜區(qū)域)提供rf信號；并且當(dāng)該信號通過一系列fet時，可以在這些fet之間劃分該信號的電壓。在這種示例中，最右側(cè)的p摻雜區(qū)域可以用作多梳指fet器件的總漏極。在一些實現(xiàn)方式中，多個前述多梳指fet器件可以串聯(lián)連接為開關(guān)，以例如進一步有助于電壓劃分功能?？梢曰诶玳_關(guān)的功率處理要求選擇多個這種多梳指fet器件。用于改進性能的偏置和/或耦接配置的示例本文描述的是可以如何偏置和/或耦接基于fet的開關(guān)電路以產(chǎn)生一個或多個性能改進的各種示例。在一些實施例中，可以在基于soifet的開關(guān)電路中實現(xiàn)這種偏置/耦接配置。將理解，可以組合示例偏置/耦接配置中的一些以產(chǎn)生對于單個配置不可用的期望特征的組合。還將理解，雖然在rf開關(guān)應(yīng)用的情境中進行描述，但是本文所述的一個或多個特征還可以應(yīng)用于利用例如soifet的fet的其他電路和器件。示例1的描述在一些射頻(rf)應(yīng)用中，期望利用具有高線性以及例如imd3和imd2的互調(diào)失真的管理的開關(guān)。這種與開關(guān)有關(guān)的性能特征可以顯著有助于蜂窩設(shè)備的系統(tǒng)級性能。在氧化物上的硅(soi)開關(guān)的情境中，例如基底耦接(有時也被稱為基底寄生)的因素以及soi工藝可以限制可實現(xiàn)的性能?？梢酝ㄟ^例如電容保護環(huán)的廣泛基底串?dāng)_減少技術(shù)和/或富陷阱(traprich)或深溝槽隔離技術(shù)解決soi開關(guān)的性能的這種限制。這種技術(shù)通常具有與其相關(guān)聯(lián)的不期望的特征，例如昂貴、要求相對大的面積以及要求額外的工藝步驟。此外，這種技術(shù)可以產(chǎn)生限于隔離特征的期望效應(yīng)。在一些實現(xiàn)方式中，可以通過克服或減少與基底寄生和/或工藝變量相關(guān)聯(lián)的前述效應(yīng)來改進soi開關(guān)的性能。通過示例，圖9示出具有soifet120的開關(guān)電路200，該soifet120被配置為提供第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間的開關(guān)功能。fet120的柵極端子被示出為通過由柵極偏置電路提供的偏置電壓vg而被偏置，并且fet120的體端子被示出為通過由體偏置電路提供的偏置電壓vsb1而被偏置。在一些實施例中，體端子可以連接到源極端子，使得向兩個端子提供偏置電壓vsb1。在一些實施例中，fet120的源極端子可以連接到非線性電容器202。在其中fet120是mosfet器件的實施例中，電容器202可以是被配置為提供一個或多個期望電容值的mosfet電容器。mos電容器202可以被配置為生成一個或多個諧波以消除或減少由mosfet120生成的非線性效應(yīng)。mos電容器202被示出為通過vsb2而被偏置。在一些實施例中，vsb1和vsb2之一或兩者可以被調(diào)整以產(chǎn)生期望水平的非線性消除。雖然在fet120的源極側(cè)的情境中進行描述，但是將理解，還可以在fet的漏極側(cè)上實現(xiàn)mos電容器202。圖10示出具有參考圖9描述的多個開關(guān)電路200的開關(guān)臂210。在示例中，n個這種開關(guān)電路被示出為在堆棧中串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能。在一些實施例中，可以基于在端子144、146之間傳遞的功率選擇這種堆棧中的fet的數(shù)目(n)。例如，對于涉及更高功率的情況，n可以更大。在一些實施例中，用于多個fet120的柵極偏置電壓(vg)可以基本上相同，并且通過公共柵極偏置電路提供。這種公共柵極偏置電壓vg被示出為經(jīng)由柵極電阻器rg向柵極提供。類似地，用于多個fet120的體偏置電壓(vsb1)可以基本上相同，并且通過公共體偏置電路提供。類似地，用于多個mos電容器202的體偏置電壓(vsb2)可以基本上相同，并且通過公共體偏置電路(未示出)提供。在一些實現(xiàn)方式中，fet120和/或mos電容器202的體中的一些或全部可以被分開偏置。在一些情況下，取決于操作的頻率，這種偏置可以是有益的。在一些實現(xiàn)方式中，參考圖9和10描述的上述示例配置可以允許顯著或基本上完全消除與基于一個或多個soifet的rf開關(guān)相關(guān)聯(lián)的非線性效應(yīng)。在一些實施例中，可以實現(xiàn)這種配置，使得要求最小或相對小的額外面積。示例1的總結(jié)根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例1涉及包含被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)的射頻(rf)開關(guān)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的源極和漏極。所述開關(guān)進一步包含連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的源極或相應(yīng)的漏極的補償電路。所述補償電路被配置為補償通過所述至少一個fet生成的非線性效應(yīng)。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述補償電路可以包含非線性電容器。所述非線性電容器可以包含金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)電容器。所述mos電容器可以被配置為生成一個或多個諧波以基本上消除由所述fet生成的非線性效應(yīng)。所述mos電容器可以包含fet結(jié)構(gòu)。由所述mos電容器生成的一個或多個諧波至少部分可以由向所述mos電容器的fet結(jié)構(gòu)提供的體偏置信號來控制。在一些實施例中，所述非線性電容器可以連接到所述fet的源極。在一些實施例中，所述開關(guān)可以進一步包含連接到所述fet的柵極并且被配置為向所述fet的柵極提供偏置信號的柵極偏置電路。在一些實施例中，所述開關(guān)可以進一步包含連接到所述fet的體并且被配置為向所述fet的體提供偏置信號的體偏置電路。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號并且所述第二節(jié)點被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。在一些實現(xiàn)方式中，示例1涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得所述至少一個fet中的每一個處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中。所述方法進一步包含通過對所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的源極或相應(yīng)的漏極施加另一非線性信號來補償所述至少一個fet的非線性效應(yīng)。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例1涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述裸芯進一步包含補償電路，所述補償電路連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的源極或相應(yīng)的漏極。所述補償電路被配置為補償由所述至少一個fet生成的非線性效應(yīng)。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在許多實現(xiàn)方式中，示例1涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的源極和相應(yīng)的漏極。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成補償電路。所述方法進一步包含將所述補償電路連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的源極或相應(yīng)的漏極，從而允許所述補償電路補償由所述至少一個fet生成的非線性效應(yīng)。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例1涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，其中所述裸芯具有至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述模塊進一步包含補償電路，其連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的源極或相應(yīng)的漏極。所述補償電路被配置為補償由所述至少一個fet生成的非線性效應(yīng)。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，補償電路可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述補償電路可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在某些實施例中，所述補償電路可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。在一些實現(xiàn)方式中，示例1涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸已放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述開關(guān)進一步包含補償電路，其連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的源極或相應(yīng)的漏極。所述補償電路被配置為補償由所述至少一個fet生成的非線性效應(yīng)。示例2的描述如本文所述，互調(diào)失真(imd)可以是由于來自其他射頻(rf)信號的混合產(chǎn)物而被添加到期望信號的不期望信號的度量。這種失真在多模式多頻帶環(huán)境中會尤其顯著?？梢詮幕旌系揭黄鸩a(chǎn)生非諧波頻率的頻率的兩個或多個信號導(dǎo)致imd。在一些實現(xiàn)方式中，通過改進系統(tǒng)的線性可以減少對這種干擾的敏感性，因為系統(tǒng)的線性可以管理多少imd(轉(zhuǎn)而干擾)將發(fā)生。通過改進系統(tǒng)的構(gòu)造塊(例如rf開關(guān))的線性，可以降低系統(tǒng)對干擾的總敏感性。rf開關(guān)中對更低imd的期望可以在各種無線系統(tǒng)設(shè)計中充當(dāng)重要角色。在無線產(chǎn)業(yè)中存在大量努力來減少開關(guān)中的imd。例如，長期演進(lte)系統(tǒng)可以顯著受益于具有減少的imd的rf開關(guān)。作為更具體的示例，lte上同時傳輸語音和數(shù)據(jù)(svlte)的系統(tǒng)設(shè)計可以顯著受益于具有超低水平的imd的rf開關(guān)。在一些實現(xiàn)方式中，fet的柵極端子以及源極端子和漏極端子之一可以通過電路耦接用于imd性能改進。出于描述的目的，將假設(shè)這種電路耦接?xùn)艠O端子和源極端子；然而，將理解該電路可以耦接?xùn)艠O端子和漏極端子。在一些實現(xiàn)方式中，fet的體端子以及源極端子和漏極端子之一可以通過電路耦接用于imd性能改進。出于描述的目的，將假設(shè)這種電路耦接體端子和源極端子；然而，將理解該電路可以耦接體端子和漏極端子。在一些實現(xiàn)方式中，fet的柵極端子和體端子中的每一個以及源極端子和漏極端子之一可以通過電路耦接用于imd性能改進。出于描述的目的，將假設(shè)這種電路將柵極端子和體端子中的每一個耦接到源極端子；然而，將理解這種耦接可以被改變至漏極端子。圖11a-11f示出具有soifet120的開關(guān)電路示例220，該soifet120被配置為在第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間提供切換功能。fet120的柵極端子被示出為通過柵極電阻器rg而被偏置。柵極電阻器rg可以被配置為使柵極浮置。圖11a、11c和11e示出具有電阻-體連接的配置(使用可以被配置為使體浮置的體電阻器rb)；并且圖11b、11d和11f示出具有二極管-體連接的配置(使用二極管226)。在圖11a-11f中示出的示例中的每一個中，柵極端子和體端子之一或兩者可以通過具有與電阻器224串聯(lián)的電容器222的一個或多個耦接電路耦接到源極端子。出于描述圖11a-11f的目的，該耦接電路被稱為rc電路。這種耦接可以允許從耦接的柵極和/或體進行接口電荷的放電。尤其對于低頻阻斷物，這種接口電荷的放電可以導(dǎo)致imd性能的改進。對于其中rc電路耦接到柵極的配置，可以通過rc電路對于低頻信號呈現(xiàn)高阻抗，其防止低頻信號泄露到柵極或減少其泄露到柵極。類似地，對于其中rc電路耦接到體的配置，可以通過rc電路對于低頻信號呈現(xiàn)高阻抗，其防止低頻信號泄露到體或減少其泄露到體。圖11a示出其中具有與電阻器224(電阻r)串聯(lián)的電容器222(電容c)的rc電路將soifet120的源極端子耦接到柵極端子的開關(guān)電路220。在該示例中，柵極和體兩者通過它們相應(yīng)的電阻器rg和rb而被浮置。圖11b示出其中具有與電阻器224(電阻r)串聯(lián)的電容器222(電容c)的rc電路將soifet120的源極端子耦接到柵極端子的開關(guān)電路220。在該示例中，柵極通過電阻器rg而被浮置，并且提供二極管-體連接。圖11c示出其中具有與電阻器224(電阻r)串聯(lián)的電容器222(電容c)的rc電路將soifet120的源極端子耦接到體端子的開關(guān)電路220。在該示例中，柵極和體兩者通過它們相應(yīng)的電阻器rg和rb而被浮置。圖11d示出其中具有與電阻器224(電阻r)串聯(lián)的電容器222(電容c)的rc電路將soifet120的源極端子耦接到體端子的開關(guān)電路220。在該示例中，柵極通過電阻器rg而被浮置，并且提供二極管-體連接。圖11e示出其中具有與電阻器224(電阻r)串聯(lián)的電容器222(電容c)的rc電路將soifet120的源極端子耦接到體端子的開關(guān)電路220。具有與電阻器224’(電阻r’)串聯(lián)的電容器222’(電容c’)的另一rc電路將fet120的源極端子耦接到柵極端子。在該示例中，柵極和體兩者通過它們相應(yīng)的電阻器rg和rb而被浮置。圖11f示出其中具有與電阻器224(電阻r)串聯(lián)的電容器222(電容c)的rc電路將soifet120的源極端子耦接到體端子的開關(guān)電路220。具有與電阻器224’(電阻r’)串聯(lián)的電容器222’(電容c’)的另一rc電路將fet120的源極端子耦接到柵極端子。在該示例中，柵極通過電阻器rg而被浮置，并且提供二極管-體連接。圖12a-12f示出具有參考圖11a-11f描述的開關(guān)電路220的開關(guān)臂230。在每一個示例中，n個這種開關(guān)電路被示出為串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能。在一些實施例中，用于多個fet120的柵極偏置電壓(vg)可以基本上相同，并且通過公共柵極偏置電路提供。這種公共柵極偏置電壓vg被示出為經(jīng)由柵極電阻器rg向柵極提供。類似地，用于多個fet120的體偏置電壓(vb)可以基本上相同，并且通過公共體偏置電路向具有電阻-體連接的示例提供。在一些實施例中，fet120的柵極中的一些或全部可以被分開偏置。在一些情況下，例如當(dāng)期望fet上的電壓劃分基本相等時，實現(xiàn)柵極的這種分開偏置可以是有利的。類似地，在一些實施例中，fet120的體中的一些或全部可以被分開偏置。在一些情況下，例如當(dāng)期望fet上的電壓劃分基本相等時，實現(xiàn)體的這種分開偏置可以是有利的。在一些實現(xiàn)方式中，并且如本文所述，尤其對于低頻阻斷物，參考圖11和12描述的前述示例配置可以產(chǎn)生imd性能改進。示例2的總結(jié)在許多實現(xiàn)方式中，示例2涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的源極、漏極、柵極和體。所述rf開關(guān)進一步包含具有第一和第二路徑中的至少一個的耦接電路，其中所述第一路徑在每一個fet的相應(yīng)的源極或漏極以及對應(yīng)的柵極之間，并且所述第二路徑在每一個fet的相應(yīng)的源極或漏極以及對應(yīng)的體之間。所述耦接路徑被配置為允許從所述耦接的柵極和體之一或兩者進行接口電荷的放電。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含所述第一路徑而不包括所述第二路徑，其中所述耦接電路包含具有與電阻器串聯(lián)的電容器的rc電路，從而允許從所述柵極放電。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含所述第二路徑而不包括所述第一路徑，其中所述耦接電路包含具有與電阻器串聯(lián)的電容器的rc電路，從而允許從所述體放電。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含所述第一和第二路徑兩者，其中所述耦接電路包含第一和第二rc電路。所述第一rc電路可以具有與第一電阻器串聯(lián)的第一電容器，從而允許從所述柵極放電。所述第二rc電路可以具有與第二電阻器串聯(lián)的第二電容器，從而允許從所述體放電。在一些實施例中，所述第一和第二路徑中的每一個可以連接到所述漏極。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含柵極電阻器，所述柵極電阻器連接到所述柵極并且被配置為使所述柵極浮置。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含體電阻器，所述體電阻器連接到所述體并且被配置為使所述體浮置。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含所述體和所述柵極之間的二極管-體連接。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例2涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述方法進一步包含通過提供第一和第二路徑中的至少一個從每一個fet的柵極和體中的至少一個進行接口電荷的放電，其中所述第一路徑在每一個fet的源極或漏極與柵極之間，并且所述第二路徑在每一個fet的源極或漏極與體之間。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例1涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述裸芯進一步包含耦接電路，所述耦接電路具有第一和第二路徑中的至少一個，其中所述第一路徑在每一個fet的源極或漏極與柵極之間，并且所述第二路徑在每一個fet的源極或漏極與體之間。所述耦接電路被配置為允許從耦接的柵極和體之一或兩者進行接口電荷的放電。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含具有與電阻器串聯(lián)的電容器的至少一個rc電路。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實現(xiàn)方式中，示例2涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的柵極、體、源極和相應(yīng)的漏極。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成耦接電路。所述方法進一步包含使用所述耦接電路形成所述第一和第二路徑中的至少一個，其中所述第一路徑在每一個fet的相應(yīng)的源極或漏極與相應(yīng)的柵極之間，并且所述第二路徑在每一個fet的相應(yīng)的源極或漏極與相應(yīng)的體之間。所述耦接電路被配置為允許從耦接的柵極和體之一或兩者進行接口電荷的放電。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例2涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，其中所述裸芯具有至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述模塊進一步包含具有第一和第二路徑中的至少一個的耦接電路，其中所述第一路徑在每一個fet的源極或漏極與柵極之間，并且所述第二路徑在每一個fet的源極或漏極與體之間。所述耦接電路被配置為允許從耦接的柵極和體之一或兩者進行接口電荷的放電。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含具有與電阻器串聯(lián)的電容器的至少一個rc電路。在一些實施例中，所述rc電路可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述rc電路的至少一些可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述rc電路中的至少一些可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。在許多實現(xiàn)方式中，示例2涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述開關(guān)進一步包含具有第一和第二路徑中的至少一個的耦接電路，其中所述第一路徑在每一個fet的源極或漏極與柵極之間，并且所述第二路徑在每一個fet的源極或漏極與體之間。所述耦接電路被配置為允許從耦接的柵極和體之一或兩者進行接口電荷的放電。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含具有與電阻器串聯(lián)的電容器的至少一個rc電路。在一些實施例中，所述無線設(shè)備可以被配置為在lte通信系統(tǒng)中操作。示例3的描述例如長期演進(lte)、微波接入全球互通(wimax)和碼分多址(cdma)的一些無線系統(tǒng)可能需要非常高的線性射頻(rf)開關(guān)。在一些實施例中，可以基于例如soifet的fet實現(xiàn)這種rf開關(guān)。與這種高線性fet開關(guān)相關(guān)聯(lián)的挑戰(zhàn)可以包含提供非常低的頻率imd2和imd3性能規(guī)格。在一些情況下，由于fet的體中的固定電荷，用于這種開關(guān)的fet可以表現(xiàn)得像mos電容器；并且這種mos電容器可以是高度非線性的。這種效應(yīng)可以被更進一步表示為低頻。在imd的情境中，由于例如工藝限制，低頻imd可能更難管理。一些解決方案依賴于在天線端子處的低通濾波器。其他解決方案利用保護環(huán)、富陷阱或隔離深溝槽。這些解決方案可以是相對昂貴的，并且通常要求額外的空間和工藝步驟。在一些實現(xiàn)方式中，可以通過將頻率調(diào)諧電路連接到fet的體來解決前述挑戰(zhàn)中的一個或多個。在一些實施例中，可以使這種電路導(dǎo)通或斷開。相應(yīng)地，這種配置可以提供利用頻率相關(guān)組件控制體的動態(tài)方式。在一些實施例中，頻率調(diào)諧電路在低頻處可以表現(xiàn)得像短路，并且在操作頻率處表現(xiàn)得像開路。這種配置可以通過將低頻失真有效地短路引導(dǎo)到rf地并且同時不影響在操作頻率處的開關(guān)電路行為，而移除在低頻處的體中的固定表面電荷。出于描述的目的，操作頻率可以包含例如從大約700到6,000mhz范圍中的頻率。與這種操作頻率對應(yīng)的低頻可以包含例如在大約200mhz以下(例如，90到180mhz)的頻率。圖13示出具有soifet120的開關(guān)電路示例300，該soifet120被配置為在第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間提供開關(guān)功能。fet120的柵極端子被示出為從柵極偏置電路偏置。如圖13中所示，體偏置電路302可以包含具有電感器308(電感l(wèi))和電容器310(電容c)的lc電路?？梢赃x擇l和c的值以產(chǎn)生期望的lc電路的共振頻率。所述lc電路被示出為可通過開關(guān)306(例如，被表示為“m2”的另一fet)連接到地。fetm2的柵極控制被示出為通過經(jīng)由其柵極電阻器r的其柵極偏置電壓v_control來提供。當(dāng)soifet120(被表示為“m1”)導(dǎo)通時，開關(guān)300在節(jié)點144和146之間導(dǎo)通，并且m2截止。該配置可以通過使m1的體浮置來提供減少的或最小的插入損耗。當(dāng)m1截止時，開關(guān)300在節(jié)點144和146之間斷開，并且m2導(dǎo)通。該配置可以向體基底提供dc短路(如圖13的示例中所示)或固定dc電壓。因此，該配置可以防止或減少寄生結(jié)二極管的導(dǎo)通，從而減少與大電壓擺幅相關(guān)聯(lián)的失真。在更高的頻率處，lc電路可以呈現(xiàn)高阻抗并且使可以增加開關(guān)300的插入損耗的負載效應(yīng)最小化。圖14示出具有參考圖14描述的多個開關(guān)電路300的開關(guān)臂310。在示例配置310中，n個這種開關(guān)電路被示出為串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能。在一些實施例中，用于多個fet120的柵極偏置電路(vg)可以基本上相同，并且通過公共柵極偏置電路提供。這種公共柵極偏置電壓vg被示出為經(jīng)由柵極電阻器rg向柵極提供。在一些實施例中，fet120的柵極中的一些或全部可以被分開偏置。在一些情況下，例如當(dāng)期望fet上的電壓劃分基本相等時或當(dāng)期望fet之間的額外隔離時，實現(xiàn)柵極的這種分開偏置可以是有利的。在圖14的示例配置310中，每一個開關(guān)電路310被描繪為包含頻率調(diào)諧體偏置電路。在一些實施例中，公共頻率調(diào)諧體偏置電路可以向fet120中的一些或全部提供公共偏置連接。在一些實施例中，fet120的體中的一些或全部可以被分開地偏置。在一些情況下，例如當(dāng)期望fet上的電壓劃分基本相等時，實現(xiàn)體的這種分開偏置可以是有利的。在一些實現(xiàn)方式中，并且如本文所述，參考圖13和14描述的前述示例配置可以在低頻處產(chǎn)生改進，而不顯著影響操作頻率性能?？梢蕴峁┑牧硪粌?yōu)點包含如下特征，其中當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時，體偏置可以斷開以使體浮置，從而改進插入損耗性能。示例3的總結(jié)根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例3涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的體。所述rf開關(guān)進一步包含將每一個fet的相應(yīng)的體連接到參考節(jié)點的共振電路。所述共振電路被配置為在低于選擇的值的低頻處表現(xiàn)為近似閉合的電路，并且在操作頻率處表現(xiàn)為近似斷開的電路，其中所述近似閉合的電路允許將表面電荷從所述相應(yīng)的體移除到所述參考節(jié)點。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述共振電路可以包含具有與電容器電并聯(lián)的電感器的lc電路。所述共振電路可以進一步包含體開關(guān)，所述體開關(guān)被配置為將所述體連接到所述參考節(jié)點或?qū)⑺鲶w從所述參考節(jié)點斷開。所述體開關(guān)可包括第二fet。當(dāng)所述第一fet導(dǎo)通時，所述第二fet可以被配置為截止，從而使所述第一fet的體浮置。當(dāng)所述第一fet截止時，所述第二fet可以進一步被配置為導(dǎo)通，以有助于從所述體向所述參考節(jié)點移除表面電荷。在一些實施例中，所述參考節(jié)點可以包含地節(jié)點。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含柵極偏置電路，其連接到所述fet的柵極，并且被配置為向所述fet的柵極提供偏置信號。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。在許多實現(xiàn)方式中，示例3涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得所述至少一個fet中的每一個處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中。所述方法進一步包含在低于選擇的值的較低頻率處從所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體選擇性移除表面電荷。通過在低頻處表現(xiàn)為近似閉合的電路的共振電路來有助于所述選擇性移除。在一些實施例中，所述共振電路可以進一步在操作頻率處表現(xiàn)為近似斷開的電路。在一些實施例中，所述共振電路可以包含lc電路。在一些實現(xiàn)方式中，示例3涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述裸芯進一步包含共振電路，所述共振電路將所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體連接到參考節(jié)點。所述共振電路被配置為在低于選擇的值的低頻處表現(xiàn)為近似閉合的電路，并且在操作頻率處表現(xiàn)為近似斷開的電路。所述近似閉合的電路允許將表面電荷從所述相應(yīng)的體移除到所述參考節(jié)點。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例3涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有體。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成共振電路。所述共振電路被配置為在低于選擇的值的低頻處表現(xiàn)為近似閉合的電路，并且在操作頻率處表現(xiàn)為近似斷開的電路。所述方法進一步包含：當(dāng)所述共振電路近似閉合時，將所述至少一個fet的相應(yīng)的體之間的共振電路與參考節(jié)點連接以允許將表面電荷從所述相應(yīng)的體移除到所述參考節(jié)點。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例3涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，其中所述裸芯具有至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述模塊進一步包含將所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體連接到參考節(jié)點的共振電路。所述共振電路被配置為在低于選擇的值的低頻處表現(xiàn)為近似閉合的電路，并且在操作頻率處表現(xiàn)為近似斷開的電路。所述近似閉合的電路允許將表面電荷從所述相應(yīng)的體移除到所述參考節(jié)點。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述共振電路可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述共振電路可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述共振電路可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。在一些實現(xiàn)方式中，示例3涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述開關(guān)進一步包含將所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體連接到參考節(jié)點的共振電路。所述共振電路被配置為在低于選擇的值的低頻處表現(xiàn)為近似閉合的電路，并且在操作頻率處表現(xiàn)為近似斷開的電路。所述近似閉合的電路允許將表面電荷從所述相應(yīng)的體移除到所述參考節(jié)點。示例4的描述在許多射頻(rf)傳輸應(yīng)用中，尤其在失配的情況下，開關(guān)設(shè)計通常要求更高的功率操作能力。例如，用于天線調(diào)諧的開關(guān)預(yù)計在+35dbm輸入功率的情況下能夠容忍高達20:1的失配。此外，在例如gsm的無線系統(tǒng)中利用的一些開關(guān)預(yù)計在+35dbm輸入功率的情況下能夠容忍5:1的失配。更高的場效應(yīng)晶體管(fet)堆棧高度通常被用于容忍高功率并改進壓縮點。用于線性的另一重要度量是互調(diào)失真(imd)。imd測量由于來自其他射頻(rf)信號的混合產(chǎn)物而被添加到期望信號的不期望信號。這種效應(yīng)在多模式多頻帶環(huán)境中尤其顯著?？梢詮幕旌系揭黄鸩a(chǎn)生非諧波頻率的頻率的兩個或多個信號導(dǎo)致imd。系統(tǒng)設(shè)計者通常通過例如改進線性來努力減少干擾敏感性。給定的系統(tǒng)的線性可以管理多少imd將在其中發(fā)生，imd轉(zhuǎn)而可以產(chǎn)生干擾。通過改進系統(tǒng)構(gòu)造塊(例如rf開關(guān))的線性，可以降低系統(tǒng)對干擾的總敏感性。圖15示出具有soifet120的開關(guān)電路示例320，該soifet120被配置為提供第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間的開關(guān)功能。fet120的柵極端子可以通過柵極電阻器rg而被偏置。在一些實施例中，可以實現(xiàn)所述開關(guān)電路320，使得fet120的體端子被用于功率處理和imd改進。通過示例，具有與電阻器324(電阻r)串聯(lián)的二極管322的電路可以耦接fet120的體和柵極。在該示例中，二極管322的陽極可以連接到fet120的體，并且陰極可以連接到電阻器端子之一。電阻器324的其他端子連接到fet120的柵極。這種配置可以有助于來自體的多余電荷的更好的分布，這轉(zhuǎn)而可以產(chǎn)生例如壓縮滾降特性(例如，更高的p1db)和imd性能的改進?？梢赃x擇二極管322的大小和電阻器324的值以優(yōu)化與p1db和imd相關(guān)聯(lián)的期望性能或產(chǎn)生與p1db和imd相關(guān)聯(lián)的期望性能。圖16示出具有參考圖15描述的多個開關(guān)電路320的開關(guān)臂330。在示例配置330中，n個這樣的開關(guān)電路被示出為串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能?？梢曰诠β侍幚硪筮x擇數(shù)目n。例如，可以增大n以處理更高的功率。在一些實施例中，用于多個fet120的柵極偏置電壓(vg)可以基本上相同，并且通過公共柵極偏置電路提供。這種公共柵極偏置電壓vg被示出為經(jīng)由柵極電阻器rg向柵極提供。在一些實施例中，fet120的柵極中的一些或全部可以被分開偏置。在一些情況下，例如當(dāng)期望fet上的電壓劃分基本相等時，實現(xiàn)柵極的這種分開偏置可以是有利的。在圖16的示例配置330中，具有參考圖15描述的二極管和電阻器的電路可以被提供給n個單獨的開關(guān)電路320中的每一個，可以在n個fet的體和柵極或其任何組合之間提供公共耦接。在一些實施例中，參考圖15和16描述的一個或多個二極管和一個或多個電阻器可以與一個或多個開關(guān)電路320在相同的裸芯上實現(xiàn)、在裸芯下實現(xiàn)或以其任何組合來實現(xiàn)。在一些實現(xiàn)方式中，如本文所述，參考圖15和16描述的前述示例配置可以相對簡單和容易地實現(xiàn)，并且可以產(chǎn)生許多改進。例如，該技術(shù)可以改進rf開關(guān)的壓縮滾降特性(例如，平滑滾降)。在另一示例中，該技術(shù)可以改進rf開關(guān)的imd性能。在再一示例中，該技術(shù)可以允許rf開關(guān)設(shè)計消除要求與例如體電阻器、控制線和電平位移器相關(guān)聯(lián)的額外面積開銷的電阻體接觸拓撲。示例4的總結(jié)根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例4涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的體和柵極。所述rf開關(guān)進一步包含將每一個fet的相應(yīng)的體和柵極耦接的耦接電路。所述耦接電路包含與電阻器串聯(lián)、并且被配置為有助于從所述相應(yīng)的體移除多余電荷的二極管。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述二極管的陽極可以連接到所述體，并且所述二極管的陰極可以連接到所述電阻器的一端，其中所述電阻器的另一端被連接到所述柵極。所述二極管和所述電阻器可以被配置為產(chǎn)生所述開關(guān)的改進的p1db和imd性能。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含連接到所述柵極以有助于使所述柵極浮置的柵極電阻器。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。在許多實現(xiàn)方式中，示例4涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得每一個fet處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中。所述方法進一步包含通過將所述fet的體與柵極耦接的耦接電路從每一個fet的體移除多余電荷。所述耦接電路包含與電阻器串聯(lián)的二極管。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例4涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述裸芯進一步包含將每一個fet的體和柵極耦接的耦接電路。所述耦接電路包含與電阻器串聯(lián)、并且被配置為有助于從每一個fet的體移除多余電荷的二極管。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在許多實現(xiàn)方式中，示例4涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述fet中的每一個具有相應(yīng)的柵極和體。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成耦接電路。所述耦接電路包含與電阻器串聯(lián)的二極管。所述方法進一步包含在每一個fet的所述體和所述柵極之間連接所述耦接電路，以有助于從所述體移除多余電荷。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例4涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，所述裸芯具有至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述模塊進一步包含將每一個fet的體和柵極耦接的耦接電路。所述耦接電路包含與電阻器串聯(lián)、并且被配置為有助于從每一個fet的體移除多余電荷的二極管。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述耦接電路可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。在一些實現(xiàn)方式中，示例4涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述開關(guān)進一步包含將每一個fet的體和柵極耦接的耦接電路。所述耦接電路包含與電阻器串聯(lián)、并且被配置為有助于從每一個fet的體移除多余電荷的二極管。示例5的描述互調(diào)失真(imd)測量由于來自其他rf信號的混合產(chǎn)物而被添加到期望信號的不期望信號。這種效應(yīng)在多模式多頻帶環(huán)境中會尤其顯著?？梢詮幕旌系揭黄鹨援a(chǎn)生非諧波頻率的頻率的兩個或多個信號導(dǎo)致imd。系統(tǒng)設(shè)計者通常通過例如改進線性來努力減少干擾敏感性。給定的系統(tǒng)的線性可以管理多少imd將在其中發(fā)生，imd轉(zhuǎn)而可以產(chǎn)生干擾。通過改進系統(tǒng)構(gòu)造塊(例如rf開關(guān))的線性，可以降低系統(tǒng)對干擾的總敏感性。例如rf開關(guān)中較低的imd的性能特征可以是無線設(shè)備設(shè)計中的重要因素。例如長期演進(lte)系統(tǒng)可以顯著受益于具有減少的imd的rf開關(guān)。作為更具體的示例，lte上同時傳輸語音和數(shù)據(jù)(svlte)的系統(tǒng)設(shè)計可以顯著受益于具有超低水平的imd的rf開關(guān)。圖17a示出具有soifet120的開關(guān)電路示例340，該soifet120被配置為在第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間提供開關(guān)功能。通過柵極電阻器(電阻rg)可以向fet120的柵極提供柵極偏置信號。通過體電阻器(電阻rb)可以向fet120的體提供體偏置信號。在一些實現(xiàn)方式中，可以向fet120提供一個或多個額外的柵極和/或體電阻。在示例配置340中，額外的柵極電阻器(電阻r1)被示出為與柵極電阻器rg串聯(lián)連接。在一些實施例中，可以通過例如開關(guān)s1(例如，另一fet)以選擇的方式引入這種額外的柵極電阻。例如，開關(guān)s1的斷開導(dǎo)致額外的電阻器r1與rg串聯(lián)；并且當(dāng)不要求或期望額外的電阻時(例如，對于改進的開關(guān)時間)，s1的閉合導(dǎo)致繞過額外的電阻器r1。在示例配置340中，額外的體電阻器(電阻r2)被示出為串聯(lián)連接到體電阻器rb。在一些實施例中，可以通過例如開關(guān)s2(例如，另一fet)以選擇的方式引入這種額外的體電阻。例如，開關(guān)s2的斷開導(dǎo)致額外的電阻器r2與rb串聯(lián)；并且當(dāng)不要求或期望額外的電阻時(例如，對于改進的開關(guān)時間)，s2的閉合導(dǎo)致繞過額外的電阻器r2。在一些實現(xiàn)方式中，用于柵極和體的額外的電阻可以被一起導(dǎo)通或斷開，或彼此獨立地導(dǎo)通或斷開。在一些實施例中，可以僅向柵極或體提供額外的電阻之一。例如，圖17b示出示例配置340，其中如參考圖17a描述的提供額外的柵極電阻，但是體被配置為具有二極管(d)體接觸。圖18a和18b示出具有參考圖17a和17b描述的開關(guān)電路的開關(guān)臂350。在圖18a的示例配置350中，具有柵極電阻rg和體電阻rb的n個開關(guān)電路串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能。公共的額外的電阻r1被示出為被提供給fet120的柵極；并且這種額外的電阻r1可以通過公共開關(guān)s1導(dǎo)通和斷開。公共的額外的電阻r2被示出為被提供給fet120的體；并且這種額外的電阻r2可以通過公共開關(guān)s2導(dǎo)通和斷開。在一些實施例中，這種可切換的額外的電阻可以被分開提供給開關(guān)臂350中的fet的單獨的柵極和/或體或fet的柵極和/或體中的一些。在圖18b的示例配置350中，具有柵極電阻rg和二極管體接觸的n個開關(guān)電路串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能。公共的額外的電阻r1被示出為被提供給fet120的柵極；并且這種額外的電阻r1可以通過公共開關(guān)s1導(dǎo)通和斷開。在一些實施例中，這種可切換的額外的電阻可以被分開提供給開關(guān)臂350中的fet的單獨的柵極和/或體或fet的柵極和/或體中的一些?？梢曰诠β侍幚硪筮x擇開關(guān)臂350中的開關(guān)電路的數(shù)目n。例如，可以增大n以處理更高的功率。在一些實施例中，參考圖17和18描述的一個或多個額外的電阻器(r1和/或r2)以及一個或多個它們相應(yīng)的開關(guān)可以與一個或多個開關(guān)電路340在相同的裸芯上實現(xiàn)、在裸芯下實現(xiàn)或以其任何組合來實現(xiàn)。在一些實施例中，可以選擇一個或多個額外的電阻器(r1和/或r2)的值以優(yōu)化或改進imd性能，使得對開關(guān)電路340的開關(guān)時間的影響最小或減少。這種配置可以產(chǎn)生改進的imd性能，包含對于低頻阻斷物的改進。例如，可以選擇額外的電阻(r1和r2)以在柵極和體對于低頻信號產(chǎn)生高阻抗，從而防止或減少這種低頻信號泄露到柵極和體。在一些實現(xiàn)方式中，并且如本文所述，參考圖17和18描述的前述示例配置可以相對簡單和容易地實現(xiàn)，并且可以產(chǎn)生許多改進。例如，該技術(shù)可以改進rf開關(guān)的imd性能，包含在低頻處的imd性能。示例5的總結(jié)根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例5涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的體和柵極。所述rf開關(guān)進一步包含可調(diào)節(jié)電阻電路，該可調(diào)節(jié)電阻電路連接到每一個fet的相應(yīng)的柵極和體中的至少一個。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述可調(diào)節(jié)電阻電路可以包含與第二電阻器和旁路開關(guān)的并聯(lián)組合串聯(lián)的第一電阻器。所述旁路開關(guān)閉合可以導(dǎo)致所述第二電阻器被繞過以產(chǎn)生可調(diào)節(jié)電阻的第一電阻，并且所述旁路開關(guān)斷開可以導(dǎo)致比所述第一電阻大近似所述第二電阻器的值的第二電阻。所述第一電阻器可以包含偏置電阻器?？梢赃x擇所述第二電阻以改進互調(diào)失真(imd)性能，并且可以選擇所述第一電阻以對所述fet的開關(guān)時間產(chǎn)生減少的影響。在一些實施例中，所述可調(diào)節(jié)電阻電路可以連接到所述柵極。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含連接到所述體的第二可調(diào)節(jié)電阻電路。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含連接到所述體的二極管體接觸。在一些實施例中，所述可調(diào)節(jié)電阻電路可以連接到所述體而非所述柵極。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。在一些實現(xiàn)方式中，示例5涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得每一個fet處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中。所述方法進一步包含調(diào)節(jié)連接到每一個fet的柵極和體中的至少一個的電路的電阻。在一些實施例中，所述調(diào)節(jié)可以包含繞過串聯(lián)連接的第一和第二電阻器之一。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例5涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述裸芯進一步包含連接到每一個fet的柵極和體中的至少一個的可調(diào)節(jié)電阻電路。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在許多實現(xiàn)方式中，示例5涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的柵極和體。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成耦接電路。所述方法進一步包含將所述可調(diào)節(jié)電阻電路連接到每一個fet的柵極和體中的至少一個。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例5涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，其中所述裸芯具有至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述模塊進一步包含連接到每一個fet的柵極和體中的至少一個的可調(diào)節(jié)電阻電路。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述可調(diào)節(jié)電阻電路可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述可調(diào)節(jié)電阻電路可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述可調(diào)節(jié)電阻電路可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。在一些實現(xiàn)方式中，示例5涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述開關(guān)進一步包含連接到每一個fet的柵極和體中的至少一個的可調(diào)節(jié)電阻電路。示例6的描述互調(diào)失真(imd)測量由于來自其他rf信號的混合產(chǎn)物而被添加到期望信號的不期望信號。這種效應(yīng)在多模式多頻帶環(huán)境中會尤其顯著?？梢詮幕旌系揭黄鹨援a(chǎn)生非諧波頻率的頻率的兩個或多個信號導(dǎo)致imd。系統(tǒng)設(shè)計者通常通過例如改進線性來努力減少干擾敏感性。給定的系統(tǒng)的線性可以管理多少imd將在其中發(fā)生，imd轉(zhuǎn)而可以產(chǎn)生干擾。通過改進系統(tǒng)構(gòu)造塊(例如rf開關(guān))的線性，可以降低系統(tǒng)對干擾的總敏感性。例如rf開關(guān)中較低的imd的性能特征可以是無線設(shè)備設(shè)計中的重要因素。例如長期演進(lte)系統(tǒng)可以顯著受益于具有減少的imd的rf開關(guān)。作為更具體的示例，lte上同時傳輸語音和數(shù)據(jù)(svlte)的系統(tǒng)設(shè)計可以顯著受益于具有超低水平的imd的rf開關(guān)。圖19示出具有soifet120的開關(guān)電路示例360，該soifet120被配置為在第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間提供開關(guān)功能。通過柵極電阻器rg可以使fet120的柵極端子偏置以例如使柵極浮置。通過體電阻器rb可以使fet120的體端子偏置以例如使體浮置。在一些實施例中，可以實現(xiàn)開關(guān)電路360以利用fet120的體端子來產(chǎn)生imd性能改進。在開關(guān)電路360中，包含與電阻器364(電阻r)串聯(lián)的電容器362(電容c)的rc電路可以耦接所述fet120的體和柵極。這種耦接可以允許從所述體進行接口電荷的放電。在一些實施例中，可以選擇電容c和電阻r的值以優(yōu)化或改進開關(guān)電路360的imd性能。圖20示出具有參考圖19描述的多個開關(guān)電路360的開關(guān)臂370。在示例配置370中，n個這樣的開關(guān)電路被示出為串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能?？梢曰诠β侍幚硪筮x擇數(shù)目n。例如，可以增大n以處理更高的功率。在一些實施例中，用于多個fet120的柵極偏置電壓(vg)可以基本上相同，并且通過公共柵極偏置電路提供。這種公共柵極偏置電壓vg被示出為經(jīng)由柵極電阻器rg向柵極提供。在一些實施例中，fet120的柵極中的一些或全部可以被分開偏置。在一些情況下，例如當(dāng)期望fet上的電壓劃分基本相等時，實現(xiàn)柵極的這種分開偏置可以是有利的。在圖20的示例配置370中，具有如參考圖19描述的電容器(電容c)和電阻器(電阻r)的電路可以被提供給n個單獨的開關(guān)電路360中的每一個，可以在n個fet的體和柵極或其任何組合之間提供公共耦接。在一些實施例中，參考圖19和20描述的一個或多個電容器和一個或多個電阻器可以與一個或多個開關(guān)電路360在相同的裸芯上實現(xiàn)、在裸芯下實現(xiàn)或以其任何組合來實現(xiàn)。在一些實現(xiàn)方式中，并且如本文所述，參考圖19和20描述的前述示例配置可以相對更簡單和更容易地實現(xiàn)，并且可以產(chǎn)生許多改進。例如，該技術(shù)可以改進rf開關(guān)的imd性能。在另一示例中，該技術(shù)可以提供p1db的改進的滾降特性。示例6的總結(jié)根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例6涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的體和柵極。所述rf開關(guān)進一步包含被布置在每一個fet的相應(yīng)的體和柵極之間的耦接電路。所述耦接電路被配置為允許從所述相應(yīng)的體進行接口電荷的放電。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含與電阻器串聯(lián)的電容器。可以選擇所述電容器和所述電阻器以產(chǎn)生所述開關(guān)的改進的互調(diào)失真(imd)性能。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含連接到所述柵極的柵極偏置電阻器。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含連接到所述體的體偏置電阻器。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例6涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制被布置在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，以使得所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中。所述方法進一步包含通過被布置在所述fet的相應(yīng)的體和對應(yīng)的柵極之間的耦接電路從相應(yīng)的體進行接口電荷的放電。在許多實現(xiàn)方式中，示例6涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述裸芯進一步包含被布置在每一個fet的體和柵極之間的耦接電路。所述耦接電路被配置為允許從所述體進行接口電荷的放電。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實現(xiàn)方式中，示例6涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有柵極和體。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成耦接電路，所述耦接電路連接到每一個fet的相應(yīng)的體和柵極以允許從所述相應(yīng)的體進行接口電荷的放電。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含與電阻器串聯(lián)的電容器。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例6涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，其中所述裸芯具有至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述模塊進一步包含被布置在每一個fet的相應(yīng)的體和柵極之間的耦接電路。所述耦接電路被配置為允許從所述體進行接口電荷的放電。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含與電阻器串聯(lián)的電容器。在一些實施例中，所述耦接電路可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例6涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述開關(guān)進一步包含被布置在每一個fet的體和柵極之間的耦接電路。所述耦接電路被配置為允許從所述體進行接口電荷的放電。示例7的描述在許多射頻(rf)應(yīng)用中，期望利用具有低插入損耗和高隔離值的開關(guān)。還期望這種開關(guān)具有高線性。如本文所述，可以實現(xiàn)這種有利的性能特征，而不使rf開關(guān)的可靠性顯著退化。圖21示出具有soifet120的開關(guān)電路示例380，該soifet120被配置為在第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間提供開關(guān)功能。通過柵極電阻器rg可以使fet120的柵極偏置以例如使柵極浮置。fet120的體被示出為通過電阻器384(電阻r)電阻性地耦接到柵極，并且這種耦接可以通過第二fet382(被表示為m2)導(dǎo)通或斷開?？梢酝ㄟ^經(jīng)由柵極電阻器rg2向m2提供的柵極偏置電壓控制m2的操作。當(dāng)fet120(被表示為“m1”)導(dǎo)通時，開關(guān)電路380導(dǎo)通，并且m2可以截止。這種配置可以通過使m1的體浮置來提供最小的或減少的開關(guān)電路380的插入損耗。當(dāng)m1截止時，開關(guān)電路380斷開，并且m2可以導(dǎo)通。這種配置可以從相同節(jié)點(例如柵極節(jié)點“g”)向m1的體和柵極提供dc電壓。這種配置可以防止或減少寄生結(jié)二極管的導(dǎo)通，并且可以減少與大電壓擺幅相關(guān)聯(lián)的失真。在一些實施例中，這種配置還可以消除提供給m1的體的額外的偏置/控制。圖22示出具有參考圖21描述的多個開關(guān)電路380的開關(guān)臂390。在示例配置390中，n個這種開關(guān)電路被示出為串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能?？梢曰诠β侍幚硪筮x擇數(shù)目n。例如，可以增大n以處理更高的功率。在一些實施例中，用于多個fet120的柵極偏置電壓(vg)可以基本上相同，并且通過公共柵極偏置電路提供。這種公共柵極偏置電壓vg被示出為經(jīng)由柵極電阻器rg向柵極提供。在一些實施例中，fet120的柵極中的一些或全部可以被分開偏置。在一些情況下，例如當(dāng)期望fet上的電壓劃分基本相等時，實現(xiàn)柵極的這種分開偏置可以是有利的。在圖22的示例配置390中，如參考圖21描述的每一個fet120的體和柵極之間的可切換(通過m2)電阻耦接電路可以向n個單獨的開關(guān)電路380中的每一個提供，可以提供n個fet的體和柵極或其任何組合之間的公共耦接。在一些實施例中，fet120的體中的一些或全部可以被分開偏置。在一些情況下，例如當(dāng)期望fet上的電壓劃分基本相等時，實現(xiàn)體的這種分開偏置可以是有利的。在一些實施例中，參考圖21和22描述的一個或多個第二fet和一個或多個電阻器可以與一個或多個開關(guān)電路320在相同的裸芯上實現(xiàn)、在裸芯下實現(xiàn)或以其任何組合來實現(xiàn)。在一些實現(xiàn)方式中，并且如本文所述，參考圖21和22描述的前述示例配置可以相對更簡單和更容易地實現(xiàn)，并且可以產(chǎn)生許多改進。例如，該技術(shù)可以提供最小的或減少的開關(guān)電路380或開關(guān)臂390的插入損耗。在另一示例中，該技術(shù)可以防止或減少寄生結(jié)二極管被導(dǎo)通，并且可以減少與大電壓擺幅相關(guān)聯(lián)的失真。示例7的總結(jié)在一些實現(xiàn)方式中，示例7涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含被布置在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間的至少一個第一場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個第一fet中的每一個具有相應(yīng)的體和柵極。所述rf開關(guān)進一步包含耦接所述至少一個第一fet中的每一個的相應(yīng)的體和柵極的耦接電路。所述耦接電路被配置為允許在電阻耦接模式和體浮置模式之間切換。在一些實施例中，所述第一fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含與耦接開關(guān)串聯(lián)的電阻。所述耦接開關(guān)可以包含第二fet。當(dāng)所述第一fet導(dǎo)通時，所述第二fet可以截止，以產(chǎn)生所述體-浮置模式。當(dāng)所述第一fet截止時，所述第二fet可以導(dǎo)通，以產(chǎn)生所述電阻-耦接模式。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含連接到所述柵極的柵極偏置電阻器。在一些實施例中，當(dāng)所述第一fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個第一fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例7涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，以使得所述至少一個fet中的每一個處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中。所述方法進一步包含在當(dāng)每一個fet導(dǎo)通時的體-浮置模式和當(dāng)每一個fet截止時的電阻-耦接模式之間切換。在許多實現(xiàn)方式中，示例7涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述裸芯進一步包含耦接所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體和柵極的耦接電路。所述耦接電路被配置為可以在電阻-耦接模式和體-浮置模式之間切換。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。在一些實施例中，所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例7涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的柵極和體。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成耦接電路。所述方法進一步包含將所述耦接電路與所述至少一個fet的相應(yīng)的體和柵極連接。所述耦接電路被配置為可以在電阻-耦接模式和體-浮置模式之間切換。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。在一些實現(xiàn)方式中，示例7涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底和被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，其中所述裸芯具有至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述開關(guān)模塊進一步包含與所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體和柵極耦接的耦接電路。所述耦接電路被配置為可以在電阻-耦接模式和體-浮置模式之間切換。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述耦接電路可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例7涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器，以及與所述收發(fā)器通信并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號的天線。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，以及耦接所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體和柵極的耦接電路。所述耦接電路被配置為可以在電阻-耦接模式和體-浮置模式之間切換。示例8的描述使用cmos/soi(互補金屬氧化物半導(dǎo)體/絕緣體上的硅)或phemt(偽型態(tài)高電子遷移率晶體管)晶體管的一些高頻開關(guān)可以生成導(dǎo)致例如無法滿足fcc規(guī)格的負面效應(yīng)的非線性失真。已利用各種技術(shù)來減少這種失真，但它們通常不一定解決與諧波相關(guān)聯(lián)的一些基本問題(例如，3階互調(diào)失真(imd3)和2階互調(diào)失真(imd2))。例如，(imd3和imd2中的)一種的改進可以導(dǎo)致另一種變得更差。圖23a示出具有soifet120的開關(guān)電路示例400，該soifet120被配置為在第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間提供開關(guān)功能。通過柵極電阻器rg可以使fet120的柵極偏置以例如使柵極浮置。所述fet120的體被示出為通過具有與二極管404電并聯(lián)地布置的電容器402(電容c)的電路耦接到所述柵極。在所述示例中，所述二極管404的陽極連接到所述fet120的體，并且所述二極管404的陰極連接到所述fet120的柵極。在一些實施例中，所述二極管404可以是pmos二極管，并且得到的所述電容器402和所述pmos二極管的并聯(lián)組合可以有助于改進諧波管理，包含改進imd3和imd2。圖23b示出具有soifet120的開關(guān)電路示例400的另一示例，該soifet120被配置為在第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間提供開關(guān)功能。通過柵極電阻器rg可以使所述fet120的柵極偏置以例如使所述柵極浮置。所述fet120的體被示出為通過具有電容器402(電容c)的電路耦接到所述柵極。在所述示例中，可以利用所述電容器402以耦接所述體和柵極，但是分開的體偏置可以通過體電阻器rb提供。在一些實施例中，這種體電阻器可以使所述體浮置。圖24a示出具有參考圖23a描述的多個開關(guān)電路400的開關(guān)臂410。類似地，圖24b示出具有參考圖23b描述的多個開關(guān)電路400的開關(guān)臂410。在示例配置410中的每一個中，n個這種開關(guān)電路被示出為串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能?？梢曰诠β侍幚硪筮x擇數(shù)目n。例如，可以增大n以處理更高的功率。在一些實施例中，用于多個fet120的柵極偏置電壓(vg)可以基本上相同，并且通過公共柵極偏置電路提供。這種公共柵極偏置電壓vg被示出為經(jīng)由柵極電阻器rg向柵極提供。在一些實施例中，fet120的柵極中的一些或全部可以被分開偏置。在一些情況下，例如當(dāng)期望fet上的電壓劃分基本相等時，實現(xiàn)柵極的這種分開偏置可以是有利的。在圖24a和24b的示例配置410中，對于n個單獨的開關(guān)電路400中的每一個可以提供如參考圖23a和23b描述的在每一個fet120的體和柵極之間的耦接電路。在一些實施例中，還可以實現(xiàn)n個fet的體和柵極中的至少一些之間的公共耦接。在一些實施例中，參考圖23和24描述的電容器和二極管可以與一個或多個開關(guān)電路400在相同的裸芯上實現(xiàn)、在裸芯下實現(xiàn)或以其任何組合來實現(xiàn)。在一些實現(xiàn)方式中，并且如本文所述，參考圖23和24描述的前述示例配置可以相對更簡單和更容易地實現(xiàn)，并且可以產(chǎn)生許多改進。例如，可以實現(xiàn)圖23a和23b的配置而不需要額外的外部偏置網(wǎng)絡(luò)。在另一示例中，該技術(shù)可以改進imd2性能，同時還基本上維持所述imd3性能。在一些實現(xiàn)方式中，可以在每一個fet的源極和漏極之間提供電阻(例如，電阻器)。這種配置可以幫助穩(wěn)定被布置在堆棧中的fet上的電壓劃分。圖25a-25d示出展現(xiàn)出可以通過參考圖23和24描述的rf開關(guān)配置提供的有利特征中的一些的模擬結(jié)果的示例。圖25a示出對于三個示例開關(guān)配置模擬imd2對相移的曲線。曲線412a是針對不具有電容器的標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)的imd2的。曲線412b是針對具有電容器(圖23a中的402)的標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)的imd2。曲線412c是針對具有電容器(圖23a中的402)的“tr”開關(guān)(“富陷阱”配置)的imd2的。具有電容器的所述兩個開關(guān)配置(412b、412c)被示出為在整個相移范圍中與無電容器配置(412a)的imd2值相比具有顯著改進的imd2值。圖25a進一步示出對于前述三個示例開關(guān)配置的模擬imd3對相移的曲線。曲線414a是針對不具有電容器的標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)的imd3的。曲線414b是針對具有電容器(圖23a中的402)的標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)的imd3的。曲線412c是針對具有電容器(圖23a中的402)的“tr”開關(guān)(“富陷阱”配置)的imd3的?？梢钥闯?，對于三個示例中的每一個，總體維持imd3性能。因此，對于imd2的顯著改進，從增加電容器402導(dǎo)致的imd3的退化相對小。圖25b-25d示出模擬的諧波失真對以dbm為單位的輸入功率(p_in)的曲線。圖25b是具有標(biāo)準(zhǔn)二極管體偏置(“w/ocap”)以及具有二極管和并聯(lián)電容器配置(“w/cap”)的示例sp8t的第二和第三諧波以及增益的合成圖。圖25c示出前述二極管和并聯(lián)電容器配置的曲線，并且圖25d示出前述僅有二極管配置的曲線。看到在32dbmp_in處的各種圖形標(biāo)志，可以看出第二諧波對于“w/ocap”情況具有近似-34.5dbm的值，并且對于“w/cap”情況具有近似-48.4dbm的值。對于第三諧波，“w/ocap”情況具有近似-50.7dbm的值，并且“w/cap”情況具有近似-51.8dbm的值。對于增益的比較，還注意到“w/ocap”情況具有近似0.536db的值，并且“w/cap”情況具有近似0.606db的值?；谇笆鍪纠?，可以看出增加電容器將第二諧波性能改進了大約14db，并且具有對于第三諧波的相對小的影響以及對高頻帶插入損耗的期望影響(大約0.07db)。示例8的總結(jié)在一些實現(xiàn)方式中，示例8涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的體和柵極。所述rf開關(guān)進一步包含將每一個fet的相應(yīng)的體和柵極耦接的耦接電路。所述耦接電路包含與二極管電并聯(lián)的電容器。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述耦接電路可以被配置為改進二階互調(diào)失真(imd2)性能而不使三階互調(diào)失真(imd3)性能顯著退化。在一些實施例中，所述二極管可以包含pmos二極管。所述二極管的陽極可以連接到所述體并且所述二極管的陰極可以連接到所述柵極。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含連接到所述柵極的柵極偏置電阻器。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例8涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，以使得所述至少一個fet中的每一個處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中。所述方法進一步包含通過電容器和二極管的并聯(lián)組合耦接所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體和柵極。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例8涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述裸芯進一步包含耦接所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體和柵極的耦接電路。所述耦接電路包含與二極管電并聯(lián)的電容器。在一些實施例中，所述裸芯進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在許多實現(xiàn)方式中，示例8涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的柵極和體。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成在每一個fet的相應(yīng)的體和柵極之間的耦接電路。所述耦接電路包含與二極管電并聯(lián)的電容器。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。在一些實現(xiàn)方式中，示例8涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，其中所述裸芯具有至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述模塊進一步包含耦接所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體和柵極的耦接電路。所述耦接電路包含與二極管電并聯(lián)的電容器。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述耦接電路可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例8涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述開關(guān)進一步包含耦接所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體和柵極的耦接電路。所述耦接電路包含與二極管電并聯(lián)的電容器。在一些實現(xiàn)方式中，示例8涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的體和柵極。所述rf開關(guān)進一步包含將每一個fet的相應(yīng)的體和柵極耦接的耦接電路。所述耦接電路包含電容器。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述耦接電路可以被配置為改進二階互調(diào)失真(imd2)性能而不使三階互調(diào)失真(imd3)性能顯著退化。在一些實施例中，所述rf開關(guān)可以進一步包含連接到所述柵極的柵極偏置電阻器。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。示例9的描述非常期望射頻(rf)開關(guān)具有低插入損耗、高隔離性和非常高的線性。這些性能參數(shù)通常可能彼此沖突。在一些情況下，可以通過調(diào)節(jié)柵極偏置電阻器和用于fet的體的偏置電壓來動態(tài)調(diào)節(jié)這些沖突的參數(shù)。在一些情況下，可以使用高值柵極電阻器來解決前述挑戰(zhàn)。然而，當(dāng)fet處于截止?fàn)顟B(tài)中時，并且當(dāng)需要將信號短路引導(dǎo)到地時，這種固定的高值柵極電阻可能是有問題的。此外，在一些情況下，當(dāng)fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，可以施加體偏置以使所述體浮置，并且當(dāng)fet處于截止?fàn)顟B(tài)中時，體偏置接地，以改進插入損耗、隔離性和線性。圖26示出具有soifet120(也表示為m1)的開關(guān)電路示例500，該soifet120被配置為在第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間提供開關(guān)功能?？梢匀缦挛乃枋龅耐ㄟ^第二fet502(也被表示為m2)以可切換方式使用vctrl經(jīng)過電阻器r1使fet120的柵極偏置。fet120的體被示出為也如下文所描述的通過第三fet506(也被表示為m3)以可切換方式電阻性地耦接到地。m2的操作可以通過經(jīng)由其柵極電阻器r2提供給m2的其柵極偏置電壓v_ctrl_comp來控制。m3的操作可以通過在沒有柵極電阻器的情況下提供給m3的相同柵極偏置電壓v_ctrl_comp來控制。當(dāng)開關(guān)電路500導(dǎo)通時，m1導(dǎo)通，并且m2和m3中的每一個可以截止。通過使體浮置并且向m1的柵極提供高阻抗(例如，當(dāng)m2截止時，通過使m2表現(xiàn)得像高值電阻器)，這種配置可以產(chǎn)生最小的或減少的插入損耗。當(dāng)開關(guān)電路500斷開時，m1截止，并且m2和m3中的每一個可以導(dǎo)通。這種配置可以對m1的體產(chǎn)生地偏置并且對m1的柵極產(chǎn)生rf地，從而防止或減少導(dǎo)通寄生結(jié)二極管效應(yīng)，并且還減少與大電壓擺幅相關(guān)聯(lián)的失真。當(dāng)m1截止時，m1的柵極的rf短路還可以改進隔離性性能。圖27示出具有參考圖26描述的多個開關(guān)電路500的開關(guān)臂510。在示例配置510中，n個這種開關(guān)電路被示出為串聯(lián)連接以在端子144、146之間提供開關(guān)功能?？梢曰诠β侍幚硪筮x擇數(shù)目n。例如，可以增大n以處理更高的功率。在一些實施例中，包含如參考圖26描述的r1、r2、r3、m2和m3中的一些或全部的電路可以被提供給n個單獨的開關(guān)電路500中的每一個，可以被提供給全部n個開關(guān)電路500作為公共電路，或可以被提供給其任何組合。在一些實施例中，如參考圖26和27描述的r1、r2、r3、m2和m3可以與一個或多個開關(guān)電路500在相同的裸芯上實現(xiàn)、在裸芯下實現(xiàn)或以其任何組合來實現(xiàn)。在一些實現(xiàn)方式中，并且如本文所述，參考圖26和27描述的前述示例配置可以相對更簡單和更容易地實現(xiàn)，并且可以產(chǎn)生許多改進。例如，當(dāng)開關(guān)電路500或開關(guān)臂510導(dǎo)通時，該技術(shù)可以提供最小的或減少的插入損耗，并且當(dāng)開關(guān)電路500或開關(guān)臂510斷開時，該技術(shù)可以提供下列期望特征，例如減少的寄生結(jié)二極管效應(yīng)，減少的與大電壓擺幅相關(guān)聯(lián)的失真，以及改進的隔離性能。示例9的總結(jié)根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例9涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的體和柵極。所述rf開關(guān)進一步包含連接到所述至少一個fet的相應(yīng)的柵極的可切換電阻耦接電路，以及連接到所述至少一個fet的對應(yīng)的體的可切換電阻接地電路。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述可切換電阻耦接電路可以包含與第一耦接開關(guān)串聯(lián)的偏置電阻器。所述可切換電阻接地電路可以包含與第二耦接開關(guān)串聯(lián)的體電阻器。當(dāng)所述fet導(dǎo)通時，所述第一和第二耦接開關(guān)中的每一個可以斷開，以通過使所述體和所述柵極浮置來產(chǎn)生減少的插入損耗。當(dāng)所述fet截止時，所述第一和第二耦接開關(guān)中的每一個可以導(dǎo)通，以對所述體產(chǎn)生地偏置以及對所述柵極產(chǎn)生rf地，從而改進所述rf開關(guān)的隔離性能。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。在一些實現(xiàn)方式中，示例9涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制被布置在第一和第二節(jié)點之間的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得所述至少一個fet中的每一個fet處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中。所述方法進一步包含當(dāng)所述至少一個fet中的每一個處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，使每一個fet的相應(yīng)的柵極和體浮置。所述方法進一步包含當(dāng)每一個fet處于截止?fàn)顟B(tài)中時，向所述相應(yīng)的體提供地偏置以及向所述相應(yīng)的柵極提供rf地。在許多實現(xiàn)方式中，示例9涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成的至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述裸芯進一步包含具有連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的柵極的可切換電阻電路的耦接電路。所述耦接電路進一步包含連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體的可切換電阻接地電路。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例9涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中所述至少一個fet中的每一個具有相應(yīng)的柵極和體。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成連接到所述至少一個fet的相應(yīng)的柵極的可切換電阻耦接電路。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成連接到所述至少一個fet的相應(yīng)的體的可切換電阻接地電路。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。在一些實現(xiàn)方式中，示例9涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯，其中所述裸芯具有至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述模塊進一步包含具有連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的柵極的可切換電阻電路的耦接電路。所述耦接電路進一步包含連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體的可切換電阻接地電路。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述耦接電路可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述耦接電路可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。在許多實現(xiàn)方式中，示例9涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含至少一個場效應(yīng)晶體管(fet)。所述開關(guān)進一步包含具有連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的柵極的可切換電阻電路以及連接到所述至少一個fet中的每一個的相應(yīng)的體的可切換電阻接地電路的耦接電路。示例10的描述在許多射頻(rf)傳輸應(yīng)用中，尤其在失配的情況下，開關(guān)設(shè)計通常要求高功率操作能力。例如，希望用于天線調(diào)諧的開關(guān)在+35dbm輸入功率的情況下能夠容忍高達20:1的失配。此外，希望在例如gsm的無線系統(tǒng)中利用的一些開關(guān)在+35dbm輸入功率的情況下能夠容忍5:1的失配。更高的場效應(yīng)晶體管(fet)堆棧高度通常被用于在失配的情況下容忍高功率。然而，fet堆棧上的不均勻電壓分布可以導(dǎo)致諧波峰值，壓縮點退化和/或基于soi的開關(guān)的互調(diào)失真(imd)。圖28示出fet堆棧520的示例配置，該fet堆棧520被配置為在第一節(jié)點144和第二節(jié)點146之間提供rf信號的切換。第一節(jié)點144和第二節(jié)點146分別可以是例如rf輸入和rf輸出。在一些實現(xiàn)方式中，堆棧520可以包含在節(jié)點144、146之間串聯(lián)連接的n個soifet(被表示為m1、m2、……、mn)?？梢曰诠β侍幚硪筮x擇數(shù)目n。例如，可以增大n以處理更高的功率。在示例堆棧配置520中，fet的每一個柵極被示出為通過柵極電阻器rg被偏置。對應(yīng)于n個fet的n個這種柵極電阻器被示出為連接到公共柵極偏置電壓源“g”。在示例堆棧配置520中，fet的每一個體被示出為通過體電阻器rb被偏置。對應(yīng)于n個fet的n個這種體電阻器被示出為連接到公共體偏置電壓源“b”。在一些實現(xiàn)方式中，fet的柵極中的一些或全部可以被電壓補償以在堆棧520中的每一個fet上產(chǎn)生改進的電壓分布。這種改進的電壓分布可以導(dǎo)致改進壓縮點、諧波和imd性能。在圖28中示出的示例中，可以通過將fet的柵極與電容元件cgg(例如，電容器)耦接來實現(xiàn)柵極的前述電壓補償。例如，cgg1耦接m1和m2的柵極，cgg2耦接m2和m3的柵極，以此類推，以及cgg(n-2)耦接m(n-2)和m(n-1)的柵極，以及cgg(n-1)耦接m(n-1)和mn的柵極。在一些實施例中，耦接電容元件cgg可以具有基本上相同的值。在一些實施例中，可以在堆棧520內(nèi)將電容元件cgg縮放和/或優(yōu)化為對于cgg1、cgg2、cgg3等具有不同值。參考圖31更詳細地描述這種縮放cgg值以獲得期望的結(jié)果的示例。在一些實施例中，可以提供前饋電容器cfwd以耦接端(end)fet(例如，m1)的源極/漏極和柵極。在一些實施例中，前饋電容器cfwd可以耦接fet堆棧內(nèi)的非端fet的源極/漏極和柵極。前饋電容器cfwd可以確保節(jié)點144、146之間的rf信號路徑耦接到fet的柵極中的中的一個。圖29示出在一些實現(xiàn)方式中，可以通過將fet的柵極與電阻元件rgg(例如，電阻器)耦接來實現(xiàn)柵極的電壓補償。例如，rgg1耦接m1和m2的柵極，rgg2耦接m2和m3的柵極，以此類推，以及rgg(n-2)耦接m(n-2)和m(n-1)的柵極，以及rgg(n-1)耦接m(n-1)和mn的柵極。在圖29的示例中，fet(例如m1)的源極/漏極和柵極之間的前饋耦接被示出為包含與電阻器rfwd串聯(lián)的電容器cfwd。在一些實施例中，耦接電阻元件rgg可以具有基本上相同的值。在一些實施例中，電阻元件rgg可以具有被選擇為實現(xiàn)期望的結(jié)果的不同的值。圖30示出在一些實現(xiàn)方式中，可以通過將fet的柵極與電容元件cgg(例如，電容器)和電阻元件rgg(例如，電阻器)耦接來實現(xiàn)柵極的電壓補償。例如，串聯(lián)的cgg1和rgg1耦接m1和m2的柵極，串聯(lián)的cgg2和rgg2耦接m2和m3的柵極，以此類推，以及串聯(lián)的cgg(n-2)和rgg(n-2)耦接m(n-2)和m(n-1)的柵極，以及串聯(lián)的cgg(n-1)和rgg(n-1)耦接m(n-1)和mn的柵極。在圖30的示例中，fet(例如，m1)的源極/漏極和柵極之間的前饋耦接被示出為包含與電阻器rfwd串聯(lián)的電容器cfwd。在一些實施例中，耦接電容元件cgg可以具有基本上相同的值。在一些實施例中，電容元件cgg可以具有被選擇為實現(xiàn)期望的結(jié)果的不同的值。類似的，耦接電阻元件rgg可以具有基本上相同的值，或具有被選擇為實現(xiàn)期望的結(jié)果的不同的值圖31示出在具有16個fet的示例堆棧中，每一個fet上的電壓擺幅的曲線?！盎€”配置對應(yīng)于柵極未被電壓補償?shù)亩褩?。“柵極補償”配置對應(yīng)于柵極如參考圖28所述被電壓補償?shù)亩褩?。對于圖31中示出的曲線，cgg的值被選擇為cgg1>cgg2>cgg3>……>cggn。與這種配置相關(guān)聯(lián)的電壓擺幅被示出為顯著小于基線的情況。在一些實施例中，參考圖28和30描述的電容元件cgg可以與fet(m1、m2等)在相同的裸芯上實現(xiàn)、在裸芯下實現(xiàn)或以其任何組合來實現(xiàn)。電容元件cgg的這種裸芯上和/或裸芯下實現(xiàn)方式可以包含例如mim電容器和/或電容金屬跡線。在一些實施例中，參考圖29和30描述的電阻元件rgg可以與fet(m1、m2等)在相同的裸芯上實現(xiàn)、在裸芯下實現(xiàn)或以其任何組合來實現(xiàn)。在一些實現(xiàn)方式中，并且如本文所述，參考圖28-31描述的前述示例配置可以相對更簡單和更容易地實現(xiàn)，并且可以產(chǎn)生許多改進。例如，該技術(shù)可以提供開關(guān)堆棧中的每一個fet上的電壓擺幅的較少波動。這種特征可以產(chǎn)生其他期望的特征，例如改進的壓縮點以及改進的諧波和imd性能。在一些實現(xiàn)方式中，與柵極到柵極補償有關(guān)的各種示例配置可以與可以改進給定堆棧中的一個或多個fet的性能的一個或多個特征結(jié)合。示例10的總結(jié)在一些實現(xiàn)方式中，示例10涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含在第一和第二節(jié)點之間串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有柵極。所述rf開關(guān)進一步包含具有將每一對相鄰fet的柵極耦接的耦接電路的補償網(wǎng)絡(luò)。在一些實施例中，所述fet中的至少一些可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述補償網(wǎng)絡(luò)可以被配置為減少在多個fet中的每一個上的電壓擺幅。在一些實施例中，所述開關(guān)可以進一步包含耦接端fet的源極和端fet的柵極的前饋電路。所述前饋電路可以包含電容器。所述前饋電路可以進一步包含與所述電容器耦接的電阻器。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含電容器。在所述fet從所述第一節(jié)點向所述第二節(jié)點行進時，所述電容器可以具有連續(xù)變小的電容值。所述耦接電路可以進一步包含與所述電容器串聯(lián)的電阻器。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含電阻器。在一些實施例中，所述開關(guān)可以進一步包含連接到所述fet的柵極并且被配置為向所述fet的柵極提供偏置信號的柵極偏置網(wǎng)絡(luò)。所述柵極偏置網(wǎng)絡(luò)可以被配置為使得全部所述柵極接收公共偏置信號。在一些實施例中，所述開關(guān)可以進一步包含連接到所述fet的體并且被配置為向所述fet的體提供偏置信號的體偏置網(wǎng)絡(luò)。所述體偏置網(wǎng)絡(luò)可以被配置為使得全部所述體接收公共偏置信號。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中選擇數(shù)量n以允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例10涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制在第一和第二節(jié)點之間串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得所述fet共同處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中，其中每一個fet具有柵極。所述方法進一步包含耦接相鄰fet中的每一個的柵極，以減少所述多個fet中的每一個上的電壓擺幅。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例10涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成并且串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有柵極。所述裸芯進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成的補償網(wǎng)絡(luò)，所述補償網(wǎng)絡(luò)包含耦接每一對相鄰fet的柵極的耦接電路。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在許多實現(xiàn)方式中，示例10涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成以便串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有柵極。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成耦接電路，以便耦接每一對相鄰fet的柵極。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。在許多實現(xiàn)方式中，示例10涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯。所述裸芯包含串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有柵極。所述模塊進一步包含具有將每一對相鄰fet的柵極耦接的耦接電路的補償網(wǎng)絡(luò)。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述補償網(wǎng)絡(luò)可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述補償網(wǎng)絡(luò)可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述補償網(wǎng)絡(luò)可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例10涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有柵極。所述開關(guān)進一步包含具有將每一對相鄰fet的柵極耦接的耦接電路的補償網(wǎng)絡(luò)。示例11的描述互調(diào)失真(imd)測量由于來自其他rf信號的混合產(chǎn)物而被添加到期望信號的不期望信號。這種效應(yīng)在多模式多頻帶環(huán)境中會尤其顯著?？梢詮幕旌系揭黄鸩a(chǎn)生非諧波頻率的頻率的兩個或多個信號導(dǎo)致imd。系統(tǒng)設(shè)計者通常通過例如改進的線性來努力減少干擾敏感性。給定的系統(tǒng)的線性可以管理多少imd將在其中發(fā)生，imd轉(zhuǎn)而可以產(chǎn)生干擾。通過改進系統(tǒng)構(gòu)造塊(例如rf開關(guān))的線性，可以降低系統(tǒng)對干擾的總敏感性。例如rf開關(guān)中較低的imd的性能特征可以是無線設(shè)備設(shè)計中的重要因素。例如長期演進(lte)系統(tǒng)可以顯著受益于具有減少的imd的rf開關(guān)。作為更具體的示例，lte(svlte)上同時傳輸語音和數(shù)據(jù)的系統(tǒng)設(shè)計可以顯著受益于具有超低水平的imd的rf開關(guān)。圖32示出在單刀雙擲(spdt)應(yīng)用的示例情境中的開關(guān)配置250。單個刀(pole)被示出為連接到天線252。兩個擲(throw)中的一個被示出為經(jīng)由開關(guān)電路s耦接到接收(rx)端口。rx端口可以經(jīng)由分流開關(guān)電路耦接到地。類似地，其他擲被示出為經(jīng)由開關(guān)電路s耦接到傳送(tx)端口。tx端口可以經(jīng)由分流開關(guān)電路耦接到地。在一些實施例中，開關(guān)電路(“s”和“分流”)中的每一個可以包含一個或多個fet，例如soifet。在本文中有時使用參考標(biāo)號120或122指代單個fet，并且在本文中有時使用參考標(biāo)號140或142指代這種fet的堆棧。在一些實施例中，“s”和“分流”開關(guān)可以包含本文描述的一個或多個特征以提供各種有利功能。圖32的開關(guān)配置被示出為包含電容器以禁止低頻阻斷物與基頻混合。例如，電容器c1提供在天線節(jié)點和tx擲的開關(guān)臂s之間。類似地，電容器c2提供在天線節(jié)點和rx擲的開關(guān)臂s之間。對于分流臂，電容器c3被提供在tx節(jié)點和其分流開關(guān)臂之間。類似地，電容器c4提供在rx節(jié)點和其分流開關(guān)臂之間。在一些實施例中，對于rx節(jié)點可以提供或可以不提供分流臂。使用前述電容器，可以阻止或減少低頻干擾信號與任何導(dǎo)通或斷開的路徑混合。尤其對于低頻阻斷信號，這可以導(dǎo)致imd性能改進。圖33示出前述電容器中的一些可以提供期望的開關(guān)功能的示例操作配置。在該示例中，開關(guān)配置處于傳送模式中。相應(yīng)地，傳送開關(guān)臂導(dǎo)通(閉合)，并且接收開關(guān)臂斷開(打開)。用于tx節(jié)點的分流臂斷開(打開)。在一些實施例中，參考圖32和33描述的電容器c1-c4可以與它們相應(yīng)的開關(guān)電路在相同的裸芯上實現(xiàn)、在裸芯下實現(xiàn)或以其任何組合來實現(xiàn)。在一些實現(xiàn)方式中，并且如本文所述，參考圖32和33描述的前述示例配置可以相對更簡單和更容易地實現(xiàn)，并且可以產(chǎn)生許多改進。例如，該技術(shù)可以通過防止低頻阻斷信號與基頻信號混合來提供改進的imd性能。示例11的總結(jié)在一些實現(xiàn)方式中，示例11涉及一種射頻(rf)開關(guān)系統(tǒng)，其包含具有在第一和第二節(jié)點之間串聯(lián)連接的場效應(yīng)晶體管(fet)的堆棧的開關(guān)。所述系統(tǒng)進一步包含電容器，該電容器與所述開關(guān)串聯(lián)連接并且被配置為禁止所述開關(guān)中的基頻信號與低頻阻斷信號混合。在一些實施例中，所述fet可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述第一節(jié)點可以是天線節(jié)點。所述電容器可以被布置在所述開關(guān)和所述天線節(jié)點之間。所述開關(guān)可以是傳送路徑的一部分，使得所述開關(guān)的第二節(jié)點是用于放大的rf信號的輸入節(jié)點。所述開關(guān)可以是接收路徑的一部分，使得所述開關(guān)的第二節(jié)點是用于從所述天線接收的rf信號的輸出節(jié)點。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例11涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其具有半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成并且具有串聯(lián)連接的場效應(yīng)晶體管(fet)的堆棧的開關(guān)。所述裸芯進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成并且與所述開關(guān)串聯(lián)連接的電容器。所述電容器被配置為禁止所述開關(guān)中的基頻信號與低頻阻斷信號混合。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在許多實現(xiàn)方式中，示例11涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成以便串聯(lián)連接場效應(yīng)晶體管(fet)的堆棧。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成電容器，以便與所述堆棧的端串聯(lián)連接。所述電容器被配置為禁止所述堆棧中的基頻信號與低頻阻斷信號混合。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例11涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯。所述裸芯包含具有串聯(lián)連接的場效應(yīng)晶體管(fet)的堆棧的開關(guān)。所述模塊進一步包含與所述開關(guān)串聯(lián)連接的電容器。所述電容器被配置為禁止所述開關(guān)中的基頻信號與低頻阻斷信號混合。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述電容器可以是與所述fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述電容器可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述電容器電路可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。在許多實現(xiàn)方式中，示例11涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含與所述收發(fā)器通信的天線。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)模塊，其與所述天線和所述功率放大器互連，并且被配置為將所述rf信號選擇性地路由到所述天線和從所述天線選擇性地路由所述rf信號。所述開關(guān)模塊包含具有串聯(lián)連接的場效應(yīng)晶體管(fet)的堆棧的開關(guān)。所述開關(guān)模塊進一步包含與所述開關(guān)串聯(lián)連接的電容器。所述電容器被配置為禁止所述開關(guān)中的基頻信號與低頻阻斷信號混合。示例12的描述在一些實現(xiàn)方式中，可以將體到體補償技術(shù)應(yīng)用于例如soifet的fet的堆棧。這種技術(shù)可以提供例如開關(guān)堆棧中每一個fet上電壓擺幅的較少波動。這種特征可以產(chǎn)生其他期望特征，例如改進的壓縮點以及改進的諧波和imd性能。在一些射頻(rf)應(yīng)用中，包含在高失配下操作的應(yīng)用，期望在高功率下操作傳送開關(guān)。例如，gsm開關(guān)可以在+35dbm下以5:1的失配操作，并且在天線調(diào)諧中使用的開關(guān)可以在35dbm下以高達20:1的失配操作。在一些rf應(yīng)用中，在高功率下操作的傳送開關(guān)可能經(jīng)歷開關(guān)上的不均勻電壓分布。開關(guān)上的不均勻電壓擺幅可能產(chǎn)生器件性能中的不利效應(yīng)，包含開關(guān)的諧波峰值、壓縮點退化和互調(diào)失真(imd)性能。本文所描述的是用于在傳送開關(guān)上提供更均勻的電壓擺幅用于改進的器件性能的電路、設(shè)備和方法。在一些實現(xiàn)方式中，傳送開關(guān)上電壓擺幅的均勻性增加可能導(dǎo)致改進的壓縮點、諧波和互調(diào)失真性能。開關(guān)器件能夠處于第一狀態(tài)中或第二狀態(tài)中，使得開關(guān)器件在所述狀態(tài)之一時可以允許在第一端口和第二端口之間傳輸rf信號。例如，當(dāng)rf開關(guān)器件處于第一狀態(tài)、例如導(dǎo)通狀態(tài)中時，rf開關(guān)器件可以使能從一個端口(例如輸入端口)向第二端口(例如輸出端口)傳輸rf信號。當(dāng)處于第二狀態(tài)、例如斷開狀態(tài)中時，rf開關(guān)器件可以防止從輸入端口向輸出端口傳輸rf信號，從而將輸入端口與輸出端口電隔離。參考圖34，具有第一端口和第二端口的開關(guān)器件10可以包含開關(guān)電路11。在一些實施例中，開關(guān)電路11可以進一步包含電壓分布均衡電路12。當(dāng)開關(guān)電路處于rf信號可以在輸入端口和輸出端口之間傳輸?shù)膶?dǎo)通狀態(tài)中時，電壓分布均衡電路12可以使能開關(guān)電路11上更均勻的電壓分布。在一些實施例中，電壓分布均衡電路12可以改進在高功率下操作的開關(guān)電路11上的電壓分布。開關(guān)電路11上的電壓擺幅的均勻性增加可以使能改進的開關(guān)器件10性能，包含壓縮點、諧波和互調(diào)失真性能的改進。開關(guān)電路10可以被實現(xiàn)在半導(dǎo)體基底上。在半導(dǎo)體基底的情境中，開關(guān)器件10可以包含具有fet堆棧的開關(guān)電路11。在一些實施例中，fet堆?？梢园粋€或多個fet，其中fet具有源極、漏極、體節(jié)點或柵極節(jié)點。額外的fet可以串聯(lián)連接以限定輸入端和輸出端之間的rf信號路徑。在一些實施例中，fet堆棧能夠處于第一或第二狀態(tài)中，使得當(dāng)處于第一狀態(tài)、例如導(dǎo)通狀態(tài)中時，rf信號可以從輸入端向輸出端傳送，允許開關(guān)器件10從輸入端向輸出端傳送rf信號。同時，當(dāng)fet處于第二狀態(tài)、例如截止?fàn)顟B(tài)中時，fet可以防止在輸入端和輸出端之間傳送rf信號，從而將開關(guān)器件10的輸入端和輸出端電隔離。圖35示出具有fet堆棧的開關(guān)電路的示例，該fet堆棧包含串聯(lián)連接并且限定輸入端和輸出端的五個fet，fet1、fet2、fet3、fet4和fet5。增加開關(guān)電路的fet堆棧高度或fet數(shù)目可以改進開關(guān)器件性能，包含當(dāng)在高功率下操作時的性能。然而，當(dāng)開關(guān)器件處于導(dǎo)通狀態(tài)中并且在其輸入端口處遇上rf信號時，開關(guān)器件可以表現(xiàn)出開關(guān)器件fet堆棧上的非均勻電壓分布。在一些實施例中，開關(guān)器件在高功率下操作時可以表現(xiàn)出開關(guān)器件fet堆棧上的非均勻電壓分布。fet堆棧上的非均勻電壓擺幅可以不利地影響器件性能，包含諧波峰值、互調(diào)失真(imd)或壓縮點退化。電壓分布均衡電路可以耦接到開關(guān)電路以改進開關(guān)電路上的電壓擺幅均勻性。具有fet堆棧的開關(guān)電路可以包含電壓分布均衡電路，該電壓分布均衡電路利用體接觸的fet的體節(jié)點用于電壓補償，從而改進fet堆棧上的電壓分布均勻性或減少電壓分布變化。在一些實施例中，電壓分布均衡電路可以包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)。例如，開關(guān)電路的電壓分布均衡電路可以包含耦接到fet堆棧中的fet的體節(jié)點的電容元件。在一些實施例中，電容元件耦接到fet堆棧中的每一個fet的體節(jié)點。電壓分布均衡電路還可以可選地包含耦接到fet堆棧中的fet的體節(jié)點的電阻元件。在一些實施例中，電阻元件耦接到fet堆棧中的每一個fet的體節(jié)點。此外，主rf信號可以耦接到fet堆棧中的fet的體節(jié)點。在一些實施例中，rf信號通過前饋電容元件cfwd或前饋電阻元件rfwd耦接到fet堆棧中的fet的體節(jié)點。參考圖36，具有fet堆棧的開關(guān)電路的電壓分布均衡電路可以可選地將電容元件cbb與fet堆棧中的fet的體節(jié)點耦接。在包含五個fet(fet1、fet2、fet3、fet4和fet5)的圖36的示例開關(guān)電路中，fet1、fet2、fet3、fet4和fet5的體節(jié)點耦接到電容元件cbb1、cbb2、cbb3和cbb4?？梢詫﹄娙菰bb的電容值進行縮放以改進開關(guān)器件性能?？梢赃x擇cbb的電容值以增加fet堆棧上的電壓擺幅均勻性。在一些實施例中，電容元件cbb的電容還可以可選地具有不同的值。此外，在一些實施例中，可以實現(xiàn)電容元件cbb，使得cbb元件的電容從耦接至fet堆棧中的第一fet耦接的cbb開始處于遞減順序。參考圖36中所示的實施例，cbb1、cbb2、cbb3和cbb4的電容值可以彼此不同。cbb1、cbb2、cbb3和cbb4每個的電容值可以被選擇為增大fet1、fet2、fet3、fet4和fet5上的電壓分布均勻性。此外，元件cbb可以每個具有不同的電容值，使得cbb1的電容值大于cbb2的電容值，cbb2的電容值大于cbb3的電容值，并且cbb3的電容值大于cbb4的電容值。在一些實施例中，具有fet堆棧的開關(guān)電路中的體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實現(xiàn)方式還包含將主rf信號路徑耦接到體節(jié)點的前饋電容元件cfwd。rf信號路徑可以經(jīng)由fet堆棧中的fet耦接到體節(jié)點。在示例實施例中，如圖36中所示，前饋電容元件cfwd可以將rf信號路徑耦接到fet堆棧中的第一fet的體節(jié)點。在這種實施例中，rf信號路徑通過第一fet的源極或漏極耦接到第一fet的體節(jié)點?？商鎿Q地，rf信號路徑可以可選地通過fet堆棧中的另一fet的源極或漏極耦接。此外，如圖36中所示，體節(jié)點電壓補償技術(shù)還可以包含電阻元件rb，例如圖36中的電阻元件rb1、rb2、rb3、rb4和rb5，該電阻元件rb被實現(xiàn)為使fet堆棧中的每一個fet的體節(jié)點浮置。同時，電阻元件rg(例如圖36中的電阻元件rg1、rg2、rg3、rg4、rg5)可以被實現(xiàn)為使fet堆棧中的每一個fet的柵極節(jié)點浮置。圖37中示出實現(xiàn)電壓分布均衡電路的實施例的開關(guān)電路的fet堆棧上的改進的電壓擺幅性能。圖37比較在35dbm和20:1失配下操作的兩個示例開關(guān)器件的fet堆棧上的電壓擺幅性能。對于圖形比較，包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例的開關(guān)器件上的電壓擺幅性能與不包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例的開關(guān)器件的電壓擺幅性能相比較。耦接到體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例的開關(guān)器件具有不同電容值的cbb元件，使得cbb1的電容大于cbb2的電容，cbb2的電容大于cbb3的電容，以此類推。參考圖37，與不包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)的開關(guān)器件相比，包含體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例的示例開關(guān)器件的每一個fet上的電壓擺幅保持在顯著更窄的范圍內(nèi)。因此，與沒有實現(xiàn)電壓分布均衡電路的示例fet堆棧相比，實現(xiàn)體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例的示例開關(guān)器件表現(xiàn)出組成的fet上增加的電壓擺幅均勻性。參考圖38，電阻元件rbb可以耦接到開關(guān)電路的fet堆棧中的fet的體節(jié)點以改進器件性能。在一些實施例中，電阻元件rbb可以耦接到開關(guān)電路的fet堆棧中的每一個fet的體節(jié)點以提供開關(guān)電路的fet堆棧上增加的電壓分布均勻性。例如，用于在較低頻率處傳輸rf信號的開關(guān)電路可以可選地實現(xiàn)體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例，其中電阻元件rbb耦接到fet堆棧中的每一個fet的體節(jié)點以增加fet堆棧上的電壓擺幅均勻性?？梢赃x擇電阻元件rbb的電阻以增加fet堆棧上的電壓擺幅的均勻性。耦接到開關(guān)電路的fet堆棧中的fet的體節(jié)點的電阻元件rbb可以具有不同電阻值。在一些實施例中，電阻元件rbb可以具有從耦接到fet堆棧中的第一fet的電阻元件rbb開始的順序遞減的電阻值。例如，如圖38中所示，在具有串聯(lián)連接的五個fet的fet堆棧的開關(guān)電路的一些實施例中，電阻元件rbb1、rbb2、rbb3和rbb4可以耦接到fet1、fet2、fet3、fet4和fet5的體節(jié)點中的每一個。為了改進fet堆棧上的電壓擺幅分布的均勻性，電阻元件rbb1、rbb2、rbb3和rbb4還可以具有處于遞減順序的電阻值，使得rbb1的電阻值大于rbb2的電阻值，rbb2的電阻值大于rbb3的電阻值，并且rbb3的電阻值大于rbb4的電阻值。參考圖38，在體節(jié)點電壓補償技術(shù)的一些實施例中，還可以可選地從主rf信號路徑至fet堆棧的體節(jié)點使用前饋電阻元件。此外，在其中電阻元件rbb耦接到fet堆棧中的fet的體節(jié)點的體節(jié)點電壓補償技術(shù)的一些實施例中，可以從主rf信號路徑至fet堆棧的體節(jié)點使用前饋電容元件。rf信號路徑可以通過fet堆棧中的fet耦接到體節(jié)點。在實現(xiàn)前饋電容元件和前饋電阻元件兩者的一些實施例中，前饋電容元件可以與前饋電阻元件串聯(lián)連接。參考圖38，與前饋電阻元件串聯(lián)連接的前饋電容元件cfwd可以用于將rf信號耦接到fet堆棧中的第一fet的體節(jié)點。在這種實施例中，rf信號路徑通過第一fet的源極或漏極耦接到第一fet的體節(jié)點?？商鎿Q地，rf信號路徑可以可選地通過fet堆棧內(nèi)的另一fet的源極或漏極耦接。參考圖38，在其中電阻元件rbb耦接到fet堆棧中的fet的體節(jié)點的體節(jié)點電壓補償技術(shù)的一些實施例中，開關(guān)電路還可以包含被實現(xiàn)為使fet堆棧中的每一個fet的體節(jié)點浮置的電阻元件rb，例如圖38中的電阻元件rb1、rb2、rb3、rb4和rb5。同時，電阻元件rg(例如圖38中的電阻元件rg1、rg2、rg3、rg4和rg5)可以被實現(xiàn)為使fet堆棧中的每一個fet的柵極節(jié)點浮置。具有電壓分布均衡電路的開關(guān)電路可以實現(xiàn)體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例，其中fet堆棧中的fet耦接到與電阻元件rbb串聯(lián)連接的電容元件cbb。參考圖39，實現(xiàn)體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例的示例開關(guān)電路可以將fet堆棧中的每一個fet的體節(jié)點耦接到與電阻元件rbb串聯(lián)連接的電容元件cbb。例如，fet1、fet2、fet3、fet4和fet5的體節(jié)點分別耦接到與rbb1串聯(lián)連接的cbb1、與rbb2串聯(lián)連接的cbb2、與rbb3串聯(lián)連接的cbb3，與rbb4串聯(lián)連接的cbb4。參考圖39，在fet堆棧中的fet的體節(jié)點耦接到與電阻元件rbb串聯(lián)連接的電容元件cbb的一些實施例中，可以從主rf信號路徑至fet堆棧的體節(jié)點使用前饋電容元件cfwd。還可以可選地從主rf信號路徑至fet堆棧的體節(jié)點使用前饋電阻元件rfwd。在實現(xiàn)前饋電容元件cfwd和前饋電阻元件rfwd兩者的一些實施例中，前饋電容元件cfwd可以與前饋電阻元件rfwd串聯(lián)連接。參考圖39，與前饋電阻元件rfwd串聯(lián)連接的前饋電容元件cfwd可以用于將rf信號耦接到fet堆棧中的第一fet的體節(jié)點。在這種實施例中，rf信號路徑通過第一fet的源極或漏極耦接到fet堆棧內(nèi)的第一fet的體節(jié)點?？商鎿Q地，rf信號路徑可以可選地通過fet堆棧內(nèi)的另一fet的源極或漏極耦接。此外，如圖39中所示，在fet堆棧中的fet的體節(jié)點耦接到與電阻元件rbb串聯(lián)連接的電容元件cbb的體節(jié)點電壓補償技術(shù)的一些實現(xiàn)方式中，電阻元件rb(例如圖39中的電阻元件rb1、rb2、rb3、rb4和rb5)可以被實現(xiàn)為使fet堆棧中的每一個fet的體節(jié)點浮置。同時，電阻元件rg(例如圖39中的電阻元件rg1、rg2、rg3、rg4和rg5)可以被實現(xiàn)以使fet堆棧中的每一個fet的柵極節(jié)點浮置。對于在fet堆棧中包含不同數(shù)目的fet的開關(guān)電路，可以實現(xiàn)電壓分布均衡電路。例如，圖40示出具有兩個fet(fet1和fet2)的開關(guān)電路。對于這種開關(guān)電路，可以實現(xiàn)包括具有如本文所述的特性的體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實施例的電壓分布均衡電路。在這種開關(guān)電路的一些實施例中，體節(jié)點電壓補償技術(shù)的實現(xiàn)方式可以包含耦接到fet1和fet2的體節(jié)點的電容元件cbb1。示例開關(guān)電路的體節(jié)點電壓補償技術(shù)可以進一步可選地包含將主rf信號路徑耦接到fet堆棧中的fet(例如第一fet，fet1)的體節(jié)點的前饋電容元件cfwd。此外，可以實現(xiàn)電阻元件rb1和rb2以分別使fet1和fet2的體節(jié)點浮置。同時，可以實現(xiàn)電阻元件rg1和rg2以使fet1和fet2的柵極節(jié)點浮置。圖41示出可以被實現(xiàn)以制造具有如本文所述的一個或多個特征的電壓擺幅分布均衡電路的過程700。在框702中，可以形成開關(guān)的陣列。在開關(guān)在半導(dǎo)體基底上形成的實施例中，可以在基底上形成例如fet的半導(dǎo)體開關(guān)。在框704中，可以形成耦接到開關(guān)中的每一個的電阻元件。在半導(dǎo)體基底的情境中，電阻元件可以被耦接到fet的體節(jié)點或柵極節(jié)點。如在框706中所示，可以形成耦接到開關(guān)的電容元件。在于半導(dǎo)體基底上形成包含fet的開關(guān)的情境中，可以形成耦接到fet的體節(jié)點的電容元件。在框708中，還可以從rf路徑至陣列中的開關(guān)形成電容元件?？梢钥蛇x地從rf路徑至陣列中的任何開關(guān)(包含陣列中的第一開關(guān))形成這種電容元件。在開關(guān)的陣列包含在半導(dǎo)體基底上形成的fet的一些實施例中，可以從第一fet的源極或漏極至第一fet的體節(jié)點形成框708的電容元件。圖42示出可以是圖41中示出的過程的更具體示例的過程800。在框802中，可以在半導(dǎo)體基底上形成多個fet。在框804中，多個fet可以串聯(lián)連接以限定輸入端和輸出端。在框806中，電阻元件可以耦接到限定輸入端和輸出端的串聯(lián)的fet中的每一個的體節(jié)點或柵極節(jié)點。在框808中，可以形成耦接到fet中的每一個的體節(jié)點的電容元件。此外，在框810中，可以從fet的源極或漏極至fet的體節(jié)點形成電容元件，以將主rf信號耦接到fet的體節(jié)點?？梢钥蛇x地在限定輸入端和輸出端的一系列fet中，從第一fet的源極或漏極至第一fet的體節(jié)點形成電容元件。示例12的總結(jié)在一些實現(xiàn)方式中，示例12涉及一種射頻(rf)開關(guān)，其包含在第一和第二節(jié)點之間串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有體。所述rf開關(guān)進一步包含具有耦接每一對相鄰fet的體耦接電路的補償網(wǎng)絡(luò)。在一些實施例中，所述fet中的至少一些可以是絕緣體上的硅(soi)fet。在一些實施例中，所述補償網(wǎng)絡(luò)可以被配置為減少在多個fet中的每一個上的電壓擺幅。在一些實施例中，所述開關(guān)可以進一步包含耦接端fet的源極和端fet的體的前饋電路。所述前饋電路可以包含電容器。所述前饋電路可以進一步包含與所述電容器串聯(lián)的電阻器。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含電容器。所述耦接電路可以進一步包含與所述電容器串聯(lián)的電阻器。在一些實施例中，所述耦接電路可以包含電阻器。在一些實施例中，所述開關(guān)可以進一步包含連接到所述fet的體并且被配置為向所述fet的體提供偏置信號的體偏置網(wǎng)絡(luò)。所述體偏置網(wǎng)絡(luò)可以被配置為使得全部所述體接收公共偏置信號。在一些實施例中，所述開關(guān)可以進一步包含連接到所述fet的柵極并且被配置為向所述fet的柵極提供偏置信號的柵極偏置網(wǎng)絡(luò)。所述柵極偏置網(wǎng)絡(luò)可以被配置為使得全部所述柵極接收公共偏置信號。在一些實施例中，當(dāng)所述fet處于導(dǎo)通狀態(tài)中時，所述第一節(jié)點可以被配置為接收具有一功率值的rf信號，并且所述第二節(jié)點可以被配置為輸出所述rf信號。所述至少一個fet可以包含串聯(lián)連接的n個fet，其中數(shù)量n被選擇為允許所述開關(guān)電路處理所述rf信號的功率。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例12涉及一種用于操作射頻(rf)開關(guān)的方法。所述方法包含控制在第一和第二節(jié)點之間串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，使得所述fet共同處于導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)中，其中每一個fet具有體。所述方法進一步包含耦接相鄰fet中的每一個的體，以減少所述多個fet中的每一個上的電壓擺幅。根據(jù)許多實現(xiàn)方式，示例12涉及一種半導(dǎo)體裸芯，其包含半導(dǎo)體基底和在所述半導(dǎo)體基底上形成并且串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有體。所述裸芯進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成的補償網(wǎng)絡(luò)，所述補償網(wǎng)絡(luò)包含耦接每一對相鄰fet的體的耦接電路。在一些實施例中，所述裸芯可以進一步包含被布置在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間的絕緣體層。所述裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在許多實現(xiàn)方式中，示例12涉及一種用于制造半導(dǎo)體裸芯的方法。所述方法包含提供半導(dǎo)體基底，并且在所述半導(dǎo)體基底上形成以便串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有體。所述方法進一步包含在所述半導(dǎo)體基底上形成耦接電路，以便耦接每一對相鄰fet的體。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含在所述fet和所述半導(dǎo)體基底之間形成絕緣體層。在許多實現(xiàn)方式中，示例12涉及一種射頻(rf)開關(guān)模塊，其包含被配置為容納多個組件的封裝基底。所述模塊進一步包含被安裝在所述封裝基底上的半導(dǎo)體裸芯。所述裸芯包含串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有體。所述模塊進一步包含具有耦接每一對相鄰fet的體的耦接電路的補償網(wǎng)絡(luò)。在一些實施例中，所述半導(dǎo)體裸芯可以是絕緣體上的硅(soi)裸芯。在一些實施例中，所述補償網(wǎng)絡(luò)可以是與所述至少一個fet相同的半導(dǎo)體裸芯的一部分。在一些實施例中，所述補償網(wǎng)絡(luò)可以是被安裝在所述封裝基底上的第二裸芯的一部分。在一些實施例中，所述補償網(wǎng)絡(luò)可以被布置在所述半導(dǎo)體裸芯外部的位置處。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例12涉及一種無線設(shè)備，其包含被配置為處理rf信號的收發(fā)器。所述無線設(shè)備進一步包含天線，其與所述收發(fā)器通信，并且被配置為有助于傳輸放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含功率放大器，其連接到所述收發(fā)器，并且被配置為生成所述放大的rf信號。所述無線設(shè)備進一步包含開關(guān)，其連接到所述天線和所述功率放大器，并且被配置為將所述放大的rf信號選擇性地路由到所述天線。所述開關(guān)包含串聯(lián)連接的多個場效應(yīng)晶體管(fet)，其中每一個fet具有體。所述開關(guān)進一步包含具有耦接每一對相鄰fet的體耦接的耦接電路的補償網(wǎng)絡(luò)。在一些實現(xiàn)方式中，示例12涉及一種開關(guān)電路，其包含被配置為接收射頻(rf)信號的輸入端口和被配置為輸出所述rf信號的輸出端口。所述開關(guān)電路還可以包含限定在所述輸入端口和所述輸出端口之間的rf信號路徑的一個或多個場效應(yīng)晶體管(fet)，每一個fet具有源極、漏極、柵極節(jié)點和體節(jié)點。所述開關(guān)可以被配置為能夠處于第一和第二狀態(tài)中，所述第一狀態(tài)對應(yīng)于所述輸入和輸出端口電連接、以便允許rf信號在其間通過，所述第二狀態(tài)對應(yīng)于所述輸入和輸出端口電隔離。所述開關(guān)電路可以進一步包含被配置為減少所述開關(guān)上的電壓分布變化的電壓分布電路，所述電壓分布電路包含耦接到一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的一個或多個元件，以在所述開關(guān)處于所述第一狀態(tài)并且在所述輸入端口處遇上rf信號時，減少所述開關(guān)上的電壓分布變化。在一些實施例中，耦接到所述一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的所述一個或多個元件可以包含電容元件。耦接到所述一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的所述一個或多個元件可以包含電阻元件。此外，在一些實施例中，耦接到所述一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的所述一個或多個元件可以包含與電阻元件串聯(lián)連接的電容元件。在一些實施例中，電壓分布電路可以包含被配置為將rf信號路徑耦接到限定rf信號路徑的fet的體節(jié)點(包含限定rf信號路徑的第一fet的體節(jié)點)的前饋電容元件。在一些實施例中，所述電壓分布電路包含前饋電容元件，其與前饋電阻元件串聯(lián)連接，并且被配置為將rf信號路徑耦接到限定rf信號路徑的fet的體節(jié)點。在一些實施例中，電壓分布電路可以包含電阻元件，該電阻元件耦接到限定rf信號路徑的fet的柵極節(jié)點，從而使所述fet的柵極節(jié)點能夠浮置。所述電阻元件還可以耦接到限定rf信號路徑的fet的體節(jié)點，從而使所述fet的體節(jié)點能夠浮置。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例12涉及一種形成在裸芯上的集成電路(ic)。所述ic可以包含具有限定輸入端口和輸出端口之間的rf信號路徑的一個或多個場效應(yīng)晶體管(fet)的開關(guān)，每個fet具有體節(jié)點。所述開關(guān)可以被配置為能夠處于導(dǎo)通和斷開狀態(tài)中。在一些實施例中，電壓分布電路可以耦接到所述開關(guān)并且被配置為減少所述開關(guān)上的電壓分布變化。所述電壓分布電路可以包含耦接到一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的一個或多個元件，以在所述開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)并且在所述輸入端口處遇上相應(yīng)的rf信號時，減少所述開關(guān)上的電壓分布變化。在一些實施例中，收發(fā)器電路可以電連接到所述開關(guān)并且被配置為處理rf信號。如在許多實現(xiàn)方式中教導(dǎo)的，示例12涉及一種用于射頻(rf)器件的封裝模塊。所述模塊包含封裝基底和形成在半導(dǎo)體裸芯上的并且被安裝在所述封裝基地上的集成(ic)電路。所述ic可以包含具有一個或多個場效應(yīng)晶體管(fet)的開關(guān)，該fet限定在輸入端口和輸出端口之間的rf信號路徑，每一個fet具有體節(jié)點，并且所述開關(guān)可以被配置為能夠處于導(dǎo)通和斷開狀態(tài)中。所述電壓分布電路可以耦接到所述開關(guān)，以在所述開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)并且在所述輸入端口處遇上相應(yīng)的rf信號時，減少所述開關(guān)上的電壓分布變化。在一些實施例中，所述電壓分布電路可以包含耦接到限定所述rf信號路徑的一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的一個或多個元件。在一些實施例中，所述封裝模塊還可以包含被配置為有助于向和從所述開關(guān)通過信號。在一些實施例中，所述封裝模塊還可以包含被配置為向所述開關(guān)提供保護的封裝結(jié)構(gòu)。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例12涉及一種無線設(shè)備。所述無線設(shè)備可以包含至少一個天線，其被配置為有助于射頻(rf)信號的傳送和接收。此外，所述無線設(shè)備還可以包含收發(fā)器，其耦接到所述天線，并且被配置為處理射頻(rf)信號。在一些實施例中，所述無線設(shè)備可以包含具有一個或多個場效應(yīng)晶體管(fet)的開關(guān)，該fet限定在輸入端口和輸出端口之間的rf信號路徑，每一個fet具有體節(jié)點。此外，所述開關(guān)可以被配置為能夠處于導(dǎo)通和斷開狀態(tài)中。在一些實施例中，電壓分布電路可以耦接到所述開關(guān)，以在所述開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)并且在所述輸入端口處遇上相應(yīng)的rf信號時，減少所述開關(guān)上的電壓分布變化，所述電壓分布電路包含耦接到限定所述rf信號路徑的一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的一個或多個元件。在一些實施例中，所述無線設(shè)備還可以包含容器，其被配置為容納電池并提供所述電池和所述開關(guān)之間的電連接。根據(jù)一些實現(xiàn)方式，示例12涉及一種制造射頻(rf)開關(guān)電路的方法。所述方法可以包含提供或形成基底，并且在所述基底上形成串聯(lián)連接以限定在輸入端和輸出端之間的rf信號路徑的一個或多個fet，每一個fet具有源極、漏極、柵極節(jié)點和體節(jié)點。所述方法可以進一步包含形成耦接到串聯(lián)連接的一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的元件，從而提供所述開關(guān)電路上減少的電壓分布變化。在一些實施例中，形成耦接到所述一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的元件包含形成電容元件。形成耦接到所述一個或多個fet的選擇的體節(jié)點的元件也可以包含形成電阻元件。在一些實施例中，所述基底可以包含半導(dǎo)體基底。在一些實施例中，所述方法可以進一步包含從所述rf信號路徑到限定所述輸入端和所述輸出端之間的rf信號路徑的選擇的fet的體節(jié)點形成前饋電容元件。所述方法還可以進一步包含形成耦接到限定所述輸入端和所述輸出端的fet的柵極節(jié)點的電阻元件，從而使所述fet的柵極節(jié)點浮置。在一些實施例中，所述方法可以可選地包含形成耦接到限定所述輸入端和所述輸出端的fet的體節(jié)點的電阻元件，從而使所述fet的體節(jié)點浮置。產(chǎn)品實現(xiàn)方式的示例：這里描述的基于fet的開關(guān)電路的各種示例和偏置/耦接配置可以以多個不同方式和在不同產(chǎn)品級別實現(xiàn)。一些這種產(chǎn)品實現(xiàn)方式通過示例的方式進行描述。半導(dǎo)體裸芯實現(xiàn)方式圖43a-43d示意性示出在一個或多個半導(dǎo)體裸芯上的這種實現(xiàn)方式的非限制性示例。圖43a示出在一些實施例中，具有這里描述的一個或多個特征的開關(guān)電路120和偏置/耦接電路150可被實現(xiàn)在裸芯800上。圖43b示出在一些實施例中，至少一些偏置/耦接電路150可在圖43a的裸芯800的外部實現(xiàn)。圖43c示出在一些實施例中，具有這里描述的一個或多個特征的開關(guān)電路120可在第一裸芯800a上實現(xiàn)，并且具有這里描述的一個或多個特征的偏置/耦接電路150可在第二裸芯800b上實現(xiàn)。圖43d示出在一些實施例中，至少一些偏置/耦接電路150可在圖43c的第一裸芯800a的外部實現(xiàn)。封裝模塊實現(xiàn)方式在一些實施例中，具有這里描述的一個或多個特征的一個或多個裸芯可在封裝模塊上實現(xiàn)。這種模塊的示例被示出在圖44a(俯視圖)和44b(側(cè)視圖)中。雖然在開關(guān)電路和偏置/耦接電路兩者位于同一裸芯(例如圖44a的示例配置)上的情境中進行描述，將理解封裝模塊可基于其他配置。模塊810被示出為包含封裝基底812。這種封裝基底可被配置為容納多個組件，并且可包含例如層壓基底。安裝在封裝基底812上的組件可包含一個或多個裸芯。在示出的示例中，具有開關(guān)電路120及偏置/耦接電路150的裸芯800被示出為安裝在封裝基底812上。裸芯800可通過例如連接焊線816的連接電連接到模塊的其他部分(并且在使用多于一個裸芯的情況下彼此連接)。這種連接焊線可以在形成在裸芯800上的接觸墊818和形成在封裝基底812上的接觸墊814之間形成。在一些實施例中，一個或多個表面安裝器件(smd)822可安裝在封裝基底812上，以有助于模塊810的各種功能。在一些實施例中，封裝基底812可包含電連接路徑以將各種組件彼此互連和/或與外部連接的接觸墊互連。例如，連接路徑832被描繪為互連示例smd822和裸芯800。在另一示例中，連接路徑832被描繪為互連smd822和外部連接接觸墊834。在再一示例中，連接路徑832被描繪為將裸芯800和地連接接觸墊836互連。在一些實施例中，封裝基底812上的空間以及其上安裝的各種組件可被包膠膜(overmold)結(jié)構(gòu)830填充。這種包膠膜結(jié)構(gòu)可提供多種期望功能，包含保護組件以及來自外部元件的焊線，并且更易于處理封裝模塊810。圖45示出可在參考圖44a和44b描述的模塊810中實現(xiàn)的示例開關(guān)配置的示意圖。在該示例中，開關(guān)電路120被描繪為sp9t開關(guān)，具有可連接到天線的刀以及可連接到各種rx和tx路徑的擲。這種配置可實現(xiàn)例如無線裝置中的多模多頻帶操作。模塊810可進一步包含接收電力(例如電源電壓vdd)以及控制信號以有助于開關(guān)電路120和/或偏置/耦接電路150的操作的接口。在一些實現(xiàn)方式中，電源電壓和控制信號可通過偏置/耦接電路150施加到開關(guān)電路120。無線裝置實現(xiàn)方式在一些實現(xiàn)方式中，具有這里描述的一個或多個特征的裝置和/或電路可被包含在例如無線裝置的rf裝置中。這種裝置和/或電路可在無線裝置中、在如這里描述的模塊形式中、或在其某些組合中直接實現(xiàn)。在一些實施例中，這種無線裝置可包含例如蜂窩電話、智能電話、具有或不具有電話功能的手持無線裝置、無線平板計算機等。圖46示意性描繪具有這里描述的一個或多個有利特征的示例無線裝置900。在如這里描述的各種開關(guān)和各種偏置/耦接配置的情境中，開關(guān)120和偏置/耦接電路150可作為模塊810的一部分。在一些實施例中，這種開關(guān)模塊可實現(xiàn)例如無線裝置900的多頻帶多模操作。在示例無線裝置900中，具有多個pa的功率放大器(pa)模塊916可提供放大的rf信號給開關(guān)電路120(通過雙工器920)，并且開關(guān)120可將放大的rf信號路由給天線。pa模塊916可以從可以以已知方式配置和操作的收發(fā)器914接收未放大的rf信號。收發(fā)器也可被配置為處理接收的信號。收發(fā)器914被示出為與被配置為提供適用于用戶的數(shù)據(jù)和/或語音信號以及適用于收發(fā)器914的rf信號之間的轉(zhuǎn)換的基帶子系統(tǒng)910交互。收發(fā)器914也被示出為連接到被配置為管理無線裝置900的操作的功率的功率管理組件906。這種功率管理組件也可控制基帶子系統(tǒng)910和模塊810的操作?；鶐ё酉到y(tǒng)910被示出為連接到用戶接口902，以有助于提供給用戶和從用戶接收的各種語音和/或數(shù)據(jù)的輸入和輸出?；鶐ё酉到y(tǒng)910也可連接到存儲器904，該存儲器904被配置為存儲數(shù)據(jù)和/或指令以有助于無線裝置的操作和/或向用戶提供信息存儲。在一些實施例中，雙工器920可允許使用共用天線(例如924)來同時執(zhí)行發(fā)送和接收操作。在圖46中，接收到的信號被示出為被路由至可包含例如低噪聲放大器(lna)的“rx”路徑(未示出)。多個其他的無線裝置配置可利用這里描述的一個或多個特征。例如，無線裝置不需要是多頻帶裝置。在另一示例中，無線裝置可包含額外的天線，如分集天線，以及額外的連接性特征，如wi-fi、藍牙以及gps。來自不同示例的特征的組合如本文所述，與每一個示例相關(guān)聯(lián)的一個或多個特征可以產(chǎn)生一個或多個期望配置。在一些實現(xiàn)方式中，來自本文描述的不同示例的各種特征可以組合以產(chǎn)生一個或多個期望配置。圖47示意性描繪第一特征(i,x)被示出為與第二特征(j,y)組合的組合配置1000。指數(shù)(index)“i”和“j”是例如n個示例中的示例編號，其中i＝1,2,…,n-1,n并且j＝1,2,…,n-1,n。在一些實現(xiàn)方式中，對于組合配置1000的第一和第二特征，i≠j。指數(shù)“x”可以表示與第i個示例相關(guān)聯(lián)的單個特征。指數(shù)“x”還可以表示與第i個示例相關(guān)聯(lián)的特征的組合。類似地，指數(shù)“y”可以表示與第j個示例相關(guān)聯(lián)的單個特征。指數(shù)“y”還可以表示與第j個示例相關(guān)聯(lián)的特征的組合。如本文所述，n的值可以是12。雖然在組合來自兩個不同示例的特征的情境中進行描述，但是將理解還可以組合來自少于或多于兩個示例的特征。例如，可以組合來自一個、三個、四個、五個等的特征以產(chǎn)生組合配置。總評論除非上下文清楚地另外要求，貫穿整個說明書和權(quán)利要求，詞語“包括”和“包含”等應(yīng)以包含性的含義來解釋，而非排他性或窮舉性的含義；也就是說，以“包括但不限于”的含義來解釋。如這里通常使用的，詞語“耦接”指代可以直接連接或通過一個或多個中間元件連接的兩個或多個元件。此外，當(dāng)在本申請中使用時，詞語“這里”、“上面”、“下面”和類似意思的詞語應(yīng)指本申請整體，而非本申請的任何特定部分。當(dāng)上下文允許時，上面的具體實施方式中的、使用單數(shù)或復(fù)數(shù)的詞語也可以分別包括復(fù)數(shù)或單數(shù)。在提到兩個或多個項目的列表時的詞語“或”，該詞語覆蓋對該詞語的全部下列解釋：列表中的任何項目、列表中的全部項目以及列表中的項目的任何組合。對本發(fā)明的某些實施例的以上詳細描述不是意圖窮舉性的或?qū)⒈景l(fā)明限制為上面公開的精確形式。如相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到的，雖然為了說明的目的在上面描述了本發(fā)明的具體實施例和示例，但是在本發(fā)明的范圍內(nèi)各種等效修改是可能的。例如，雖然以給定順序呈現(xiàn)處理或塊，但是替換實施例可以執(zhí)行具有不同順序的步驟的例程，或采用具有不同順序的塊的系統(tǒng)，并且可以刪除、移動、添加、細分、組合和/或修改一些處理或塊?？梢砸远喾N不同方式實現(xiàn)這些處理或塊中的每一個。此外，雖然處理或塊有時被示出為串行執(zhí)行，但是作為替代，這些處理或塊可以并行執(zhí)行，或可以在不同時間執(zhí)行。這里提供的本發(fā)明的教導(dǎo)可以應(yīng)用于其他系統(tǒng)，而不一定是上面描述的系統(tǒng)?？梢越M合上面描述的各種實施例的元件和動作以提供進一步的實施例。雖然已描述了本發(fā)明的一些實施例，但是這些實施例僅作為示例呈現(xiàn)，并且無意限制本公開的范圍。實際上，這里描述的新方法和系統(tǒng)可以以多種其他形式實施；此外，可以做出這里描述的方法和系統(tǒng)的形式上的各種省略、替代和改變，而不背離本公開的精神。所附權(quán)利要求及其等效物意圖覆蓋將落入本公開的范圍和精神內(nèi)的這種形式或修改。當(dāng)前第1頁12當(dāng)前第1頁12