本發(fā)明屬于電路制造領域，具體為一種制備雙面和多層電路的電鍍剝離工藝。
背景技術：
：傳統(tǒng)的電路制備，包括印制電路板，柔性印制電路板，電子標簽，ic載板，傳感器電路等多使用的是基于金屬刻蝕的減成工藝制備，減成工藝的具體步驟大致為：在覆金屬基材的表面涂覆感光涂層或貼覆感光干膜，并在光掩膜版的覆蓋下進行選擇性曝光，顯影，暴露出金屬箔非線路圖形部位，再通過刻蝕的方式除去暴露部位的金屬，最后將線路部分上的感光涂層或干膜除去，得到所需的電路。但是這種傳統(tǒng)的減成法工藝存在諸多的問題?？涛g金屬產生大量含有重金屬的廢液，隨意排放會嚴重污染環(huán)境，廢液的處理成本也隨著環(huán)保要求的提升而越來越高。金屬箔的蝕刻過程中存在側蝕問題，導致電路的線寬受到限制，50微米以下線路的制備難度很大。印制電路的加成工藝作為減成工藝的一種補充，已經得到了多年的發(fā)展。常用的幾種加成工藝，包括半加成法工藝，印刷導電漿料、印刷導電油墨、選擇性化學鍍等方法已經得到應用。半加成法工藝即圖形電鍍工藝，減少了刻蝕廢液的產生，同時緩解了側蝕的問題，現(xiàn)在已經用于高精度電路的制備當中。但是半加成法存在電路粘附力差，電流密度難以均勻，部分側蝕現(xiàn)象仍然存在等問題，導致良率較低。印刷導電漿料和油墨的方法完全避免了金屬箔的刻蝕，最為環(huán)保，但是印刷導電漿料和油墨制備電路存在電性能差，印刷精度低等問題，無法替代純金屬電路。選擇性化學鍍，有些人也稱為全加成法，避免了金屬箔的刻蝕，不存在側蝕問題，但是化學鍍沉積金屬導線存在粘附力差，沉積速率低，化學鍍廢液處理困難等問題，短時間來看無法對減成工藝形成挑戰(zhàn)。雙面電路和多層電路具有不止一層電路圖形，不同層之間的電路圖形通過金屬化的通孔，盲孔和埋孔進行導通，其應用范圍遠超過單面電路。制備雙面和多層電路的傳統(tǒng)工藝分為導電圖形的制備和孔的金屬化，導電圖形的制備和制備單面電路的減成工藝大致相同，而孔的金屬化則多是基于粗化、敏化、活化的鈀催化工藝，并施加后續(xù)電鍍工序以使鍍層達到所需厚度。在幾種加成工藝當中，半加成法可以直接制備雙面和多層電路，基于催化性基材的選擇性化學鍍法也可以直接制備雙面和多層電路，而其他基于印刷的加成工藝則無法直接制備雙面和多層電路。在本申請中，提出了一種制備雙面和多層電路的電鍍剝離工藝，使用圖形電鍍的方法制備導電圖形，并通過剝離將導電圖形轉移到基材表面，并使用傳統(tǒng)的孔金屬化工藝以使層間電路導通。本工藝不需要使用刻蝕的方法得到線路，因此不存在線路側蝕的問題，可以制備極精細電路；所需刻蝕的金屬量極小，減少了廢液產生，降低了廢液處理的成本，適合于高精度的雙面和多層電路的制造。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種制備雙面和多層電路的加成工藝，稱為電鍍剝離工藝。本工藝不通過刻蝕制備線路，沒有線路側蝕的問題，具有低浪費，低污染，底線寬，線路電性能和粘附力優(yōu)良的特點。本發(fā)明提供了一種制備雙面和多層電路的電鍍剝離工藝，具體步驟如下：（１）通過電鍍的方式在載體金屬箔表面沉積上一層10微米以下的薄金屬層；（２）在薄金屬層表面使用常規(guī)方式制備抗電鍍掩膜，暴露出導電線路圖形部位；（３）通過電鍍的方式，在薄金屬層表面暴露的導電線路圖形部位沉積上金屬導電線路；（４）除去薄金屬層上抗電鍍掩膜；（５）將步驟（4）得到的兩塊表面具有金屬導電線路的載體金屬箔粘合在電路基材雙面；（６）將載體金屬箔從電路基材上剝離，薄金屬層及之上的金屬導電線路會粘附至電路基材雙面；（７）在電路基材上鉆通孔，并通過常規(guī)的孔金屬化工藝使通孔導通，連接雙面的導電線路；（８）將薄金屬層刻蝕，保留金屬導電線路及金屬化的通孔，得到雙面電路；（９）在雙面電路的基礎上，將制備的雙面電路作為內層電路，與步驟（4）得到的表面具有金屬導電線路的載體金屬箔粘合在第二層電路基材雙面；（10）將載體金屬箔剝離，薄金屬層及之上的金屬導電線路會粘附至第二層電路基材表面；（11）在第二層電路基材上鉆通孔或盲孔，并通過常規(guī)的孔金屬化工藝使通孔、盲孔導通；（12）將薄金屬層刻蝕，保留金屬導電線路及金屬化的通孔或埋孔，得到三層電路；（13）重復步驟（9）-（12），得到更多層電路。本發(fā)明中，步驟（1）中所用的載體金屬箔為鎳、銅、鈦、鉻、不銹鋼或黃銅箔中的一種。本發(fā)明中，步驟（1）中電鍍沉積的薄金屬層為銅、鎳、鋅、錫、鉻、鐵或鈷中的一種。本發(fā)明中，步驟（3）中在薄金屬層表面沉積的金屬導電線路為單一金屬或者為復合金屬層。本發(fā)明中，步驟（5）中所述的電路基材為在電路生產中常規(guī)使用的硬質或柔性基材。本發(fā)明的有益效果在于：1.本工藝相較于電路的傳統(tǒng)“減成法”工藝，不需要通過刻蝕的方式得到電路，避免了線路側蝕帶來的線寬受限的問題；2.本工藝制備的精細電路可埋沒在基材當中，增加了電路與基材的粘附力，從而解決了半加成工藝普遍存在的粘附力問題。附圖說明圖1描述了使用電鍍剝離工藝制備雙面和多層電路的具體流程。在載體金屬箔1的表面通過電鍍的方式制備薄金屬層2.這里載體金屬箔一般會在另一面進行絕緣處理，主要的方式可以是粘合上一層絕緣薄膜，使用絕緣涂料涂覆等。載體金屬箔厚度優(yōu)選20至100微米之間，太薄可能導致電鍍電流密度不均勻，太厚則會對后續(xù)的剝離工序造成困難。在薄金屬層2表面制備抗電鍍掩膜3，保留出線路圖形區(qū)域，優(yōu)選最傳統(tǒng)的貼覆感光干膜，并通過光掩模板進行曝光的方式進行。然后通過電鍍的方式，在薄金屬層2表面沉積上所需種類和厚度的導電圖形鍍層4，并將抗電鍍掩膜3除去。在制備好雙面電路兩面所需線路圖形的載體箔之后，將兩個載體金屬箔1及其上薄金屬層2和導電圖形鍍層4與所用電路基材5粘合在一起，這里主要使用熱壓的方式，在常用的電路基材，比如自身具有粘合性能的環(huán)氧半固化片或者自身不具備粘合性能，但是可以通過在表面涂覆常規(guī)粘合劑從而獲得粘合性能的基材，比如聚酰亞胺，聚對苯二甲酸乙二醇酯等的雙面粘合上載體箔。將載體金屬箔1從電路基材5表面剝離，這里，由于所用的載體金屬箔的表面的特殊性質，使得載體金屬箔1與薄金屬層2之間的粘附力很低，可以較輕易的將載體金屬箔1剝離。剝離掉的載體金屬箔1可以重復電鍍使用。而剝離載體金屬箔1后，薄金屬層2就會暴露在外，起到整體導電的作用。在所需部位進行機械或激光鉆孔，得到通孔6，然后使用常規(guī)的孔金屬化方式使孔的內壁沉積上一層金屬，使通孔得到導通。這里使用的孔金屬化方式可以是最常使用的鈀活化化學鍍銅打底，配合電鍍銅的方式，也可以是較為新穎的直接膠體鈀電鍍，“黑孔”電鍍的工藝。在獲得金屬化的通孔之后，使用刻蝕的方式將薄金屬層2刻蝕掉，從而將導電圖形鍍層4暴露出來。因此，優(yōu)選不同的薄金屬層2和導電圖形鍍層4的材料，使得特定刻蝕液可以刻蝕掉薄金屬層2，但不會或者很少刻蝕導電圖形鍍層4.這里也可以在薄金屬層2和導電圖形鍍層4之間沉積上一層薄抗蝕金屬層，這樣，即使導電圖形鍍層4所用的金屬也能被特定刻蝕液刻蝕掉，由于這層薄抗蝕金屬層的存在，使得其可以在薄金屬層2被完全刻蝕后得到完整的保存。這樣，就得到了所需的雙面電路。而多層電路則是以雙面電路為基礎，將內層雙面電路，第二層電路基材和具有第三層導電圖形鍍層的載體金屬箔粘合在一起，并將載體金屬箔剝離。在電路基材所需部位鉆通孔或者盲孔，并通過傳統(tǒng)的孔金屬化方式在通孔或者盲孔壁上沉積上金屬鍍層，從而導通第三層電路和內層的電路。將第三層薄金屬層刻蝕，就得到了三層電路。而更多層的電路可以重復這一過程獲得。具體實施方式下面實施例是對本發(fā)明的進一步說明，而不是限制本發(fā)明的范圍。實施例1：(1)市購50微米鎳薄作為載體金屬箔，在鎳箔一面粘合50微米厚pet薄膜，將鎳箔一面暴露在外；(2)制備2g/l的十二烷基磺酸鈉溶液，用氫氧化鈉調節(jié)ph至9-10，得到除油液。將載體金屬箔浸入除油液中50度超聲處理5分鐘，取出后用清水清洗，并干燥；(3)在鎳箔表面電鍍3微米左右厚度光亮銅作為薄金屬層，鍍后用清水清洗并干燥，光亮銅鍍液成分如表1所示；表1光亮銅鍍液成分焦磷酸銅80g/l焦磷酸鉀300g/l氨水5ml/l光亮劑2ml/l溫度50度電流密度2a/dm2(4)在薄金屬層表面貼抗電鍍感光干膜，并使用常規(guī)的曝光顯影流程，得到抗電鍍掩膜；(5)將載體金屬箔浸入電鍍鎳溶液中，在抗電鍍掩膜覆蓋下施鍍上1微米厚度左右的鎳，然后浸入電鍍銅溶液中，繼續(xù)施鍍所需厚度的銅層，得到電路圖形，電鍍鎳和電鍍銅所用鍍液成分如表2和表3所示；表2電鍍鎳鍍液成分氨基磺酸鎳500g/l十二烷基硫酸鈉1g/l溫度50度電流密度10a/dm2表3電鍍銅鍍液成分硫酸銅100g/l硫酸75g/l氯離子150ppm溫度45度電流密度10a/dm2(6)將電鍍電路圖形后的載體金屬箔表面的抗電鍍掩膜去除；(7)將另一塊載體金屬箔經過（1）-（6）的流程進行處理，得到雙面板兩面的電路圖形，將具有兩面電路圖形的載體金屬箔熱壓在fr-4半固化片基材兩面，加熱使半固化片完全固化；(8)將載體金屬箔從固化后的fr-4基材表面剝離，然后通過機械鉆孔的方式，在基材表面所需部位鉆300微米直徑通孔；(9)使用常規(guī)的鈀活化方式，在通孔孔壁上化學鍍上1微米左右銅層，然后使用電鍍方式，用表3中電鍍銅鍍液使銅層增厚至10微米左右，化學鍍銅所用化學鍍銅液成分如表4所示；表4化學鍍銅液成分硫酸銅15g/ledta二鈉20g/l氫氧化鈉18g/l甲醛15ml/l溫度45度(10)將孔金屬化后的基材浸入銅刻蝕液中，將薄金屬層刻蝕掉，暴露出下層導電線路，得到所需雙面電路所用銅刻蝕液成分如表5所示；表5銅刻蝕液成分氯化銅120g/l氯化銨100g/l氨水700ml/l溫度50度實施例2：將實施例1制備的雙面電路作為多層電路的內層電路，將雙面電路與根據(jù)實施例1步驟（1）-（6）制備的表面有第三層電路圖形的載體金屬箔通過熱壓的方式粘合至第二層fr-4基材上，然后將載體金屬箔剝離，使用機械鉆孔在所需部位鉆300微米直徑通孔（盲孔則可以通過激光鉆孔的方式），并使用實施例1步驟（9）的方式使孔金屬化，連接不同層電路，再使用實施例1步驟（10）的方式將薄金屬層刻蝕掉，從而得到所需三層電路。當前第1頁12