本發(fā)明涉及放大器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器。

背景技術(shù)：

低噪聲放大器(lownoiseamplifier，lna)目前廣泛應(yīng)用于微波通信、gps接收機(jī)、遙感遙控、雷達(dá)、電子對抗、射電天文、大地測繪、電視及各種高精度的微波測量系統(tǒng)中，是必不可少的重要電路。

在射頻系統(tǒng)中，lna位于接收機(jī)的最前端，其主要功能是放大從天線接收下來的信號同時(shí)又要保證對后級電路的信噪比影響盡可能小，以確保整個(gè)系統(tǒng)正常工作。由于lna位于接收機(jī)的最前端，所以要求lna的噪聲系數(shù)越小越好。為了減小后面各級噪聲系數(shù)對系統(tǒng)的影響，還要求lna有一定的增益，但增益又不宜過大，以免使混頻器過載，產(chǎn)生非線性失真。因此，對lna的基本要求是：噪聲系數(shù)低、足夠的功率增益、工作穩(wěn)定性好、足夠的帶寬和大的動(dòng)態(tài)范圍。

常見的lna分為單端lna和差分lna兩種電路類型。相比于單端lna，差分lna具有如下三個(gè)優(yōu)點(diǎn)：

(1)差分lna克服了偏置電平帶來的影響，使得放大器性能保持穩(wěn)定。這是由于當(dāng)加在差分lna兩個(gè)輸入端的直流電平發(fā)生變化，兩端電路的電流依然保持不變，因而放大器的增益也就保持不變。

(2)差分lna影響電路偏置狀態(tài)的主要因素是偏置電流源的電流大小，而單端lna影響電路偏置狀態(tài)的主要因素是輸入管的直流偏置電平。而在集成電路中難以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的電壓控制，由于各種擾動(dòng)和噪聲，直流電壓會(huì)產(chǎn)生不希望的波動(dòng)。但是在集成電路中控制電流源卻相對穩(wěn)定，容易實(shí)現(xiàn)。因此，相對于單端lna，差分lna的電路偏置狀態(tài)誤差較小。

(3)差分lna結(jié)構(gòu)提高了電路的線性度。由于輸出信號的對稱性，電路中非線性分量抵消，從而提高了線性度。

但是，由于差分lna要對兩個(gè)輸入端的信號差值進(jìn)行放大，因此與單端lna電路相比，其體積比單端lna電路體積大一倍。而近年來，通信設(shè)備和測量儀器向著小型化的方向發(fā)展，因此，如何在差分lna滿足其基本要求的前提下，減小差分lna的體積成為亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器，以減小差分低噪聲放大器的體積。具體技術(shù)方案如下：

一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器，包括：第一功率分配器、放大器件以及第二功率分配器，所述第一功率分配器和所述第二功率分配器均為基于介質(zhì)集成波導(dǎo)siw的功率分配器；

所述第一功率分配器包括：第一siw、第一輸入端口、第二輸出端口和第三輸出端口；

所述第一輸入端口和所述第二輸出端口均位于所述第一siw的上層金屬板，所述第三輸出端口位于所述第一siw的下層金屬板；

所述第二功率分配器包括：第二siw、第四輸入端口、第五輸入端口和第六輸出端口；

所述第四輸入端口位于所述第二siw的上層金屬板，所述第五輸入端口和所述第六輸出端口均位于所述第二siw的下層金屬板；

所述第二輸出端口、所述第三輸出端口、所述第四輸入端口、以及所述第五輸入端口，均與所述放大器件串聯(lián)連接。

可選地，所述放大器件包括：第一放大芯片和第二放大芯片；

所述第二輸出端口、所述第一放大芯片以及所述第四輸入端口，依次串聯(lián)連接；

所述第三輸出端口、所述第二放大芯片以及所述第五輸入端口，依次串聯(lián)連接。

可選地，所述第一輸入端口與所述第一siw之間設(shè)置有第一阻抗匹配結(jié)構(gòu)；

所述第二輸出端口與所述第一siw之間設(shè)置有第二阻抗匹配結(jié)構(gòu)；

所述第三輸出端口與所述第一siw之間設(shè)置有第三阻抗匹配結(jié)構(gòu)；

所述第四輸入端口與所述第二siw之間設(shè)置有第四阻抗匹配結(jié)構(gòu)；

所述第五輸入端口與所述第二siw之間設(shè)置有第五阻抗匹配結(jié)構(gòu)；

所述第六輸出端口與所述第二siw之間設(shè)置有第六阻抗匹配結(jié)構(gòu)。

可選地，所述第一阻抗匹配結(jié)構(gòu)和所述第二阻抗匹配結(jié)構(gòu)為設(shè)置在所述第一siw的上層金屬板上的槽；

所述第三阻抗匹配結(jié)構(gòu)為設(shè)置在所述第一siw的下層金屬板上的槽；

所述第四阻抗匹配結(jié)構(gòu)為設(shè)置在所述第二siw的上層金屬板上的槽；

所述第五阻抗匹配結(jié)構(gòu)和所述第六阻抗匹配結(jié)構(gòu)為設(shè)置在所述第二siw的下層金屬板上的槽。

可選地，所述第一siw上設(shè)置有第一漸變結(jié)構(gòu)；

所述第二siw上設(shè)置有第二漸變結(jié)構(gòu)。

可選地，所述第一漸變結(jié)構(gòu)為設(shè)置在所述第一siw上的兩排金屬孔，且所述兩排金屬通孔之間的間距沿著信號傳輸方向由小變大；

所述第二漸變結(jié)構(gòu)為設(shè)置在所述第二siw上的兩排金屬孔；且所述兩排金屬通孔之間的間距沿著信號傳輸方向由大變小。

可選地，所述差分低噪聲放大器還包括：第一電壓饋電電路和第二電壓饋電電路；

所述第一電壓饋電電路與所述第一放大芯片連接；

所述第二電壓饋電電路與所述第二放大芯片連接。

可選地，所述第一放大芯片的源極設(shè)置有第一電感；

所述第二放大芯片的源極設(shè)置有第二電感。

可選地，所述第二輸出端口和所述第一放大芯片之間串聯(lián)連接有第一隔離結(jié)構(gòu)；

所述第三輸出端口和所述第二放大芯片之間串聯(lián)連接有第二隔離結(jié)構(gòu)；

所述第四輸入端口和所述第一放大芯片之間串聯(lián)連接有第三隔離結(jié)構(gòu)；

所述第五輸入端口和所述第二放大芯片之間串聯(lián)連接有第四隔離結(jié)構(gòu)。

可選地，所述第一隔離結(jié)構(gòu)、所述第二隔離結(jié)構(gòu)、所述第三隔離結(jié)構(gòu)、所述第四隔離結(jié)構(gòu)均為隔直電容。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器，包括：第一功率分配器、放大器件以及第二功率分配器，所述第一功率分配器和所述第二功率分配器均為基于介質(zhì)集成波導(dǎo)siw的功率分配器；且第一功率分配器的兩個(gè)輸出端口分別在第一siw的上層金屬板和下層金屬板輸出，且兩個(gè)輸出端口輸出的信號幅度相等，相位相反。第二功率分配器的兩個(gè)輸入端口分別在第二siw的上層金屬板和下層金屬板輸入，且兩個(gè)輸入端口輸入的信號幅度相等，相位相反。與現(xiàn)有技術(shù)中利用輸出端口以及輸入端口均處于同一平面的功率分配器來設(shè)計(jì)差分低噪聲放大器相比，本發(fā)明實(shí)施例所提供的基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的體積可以大大減小。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的上層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的下層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的三維結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器中信號傳輸方向示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的穩(wěn)定系數(shù)與頻率之間的關(guān)系；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的噪聲系數(shù)與頻率之間的關(guān)系；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的s參數(shù)與頻率之間的關(guān)系。

其中，圖1至圖4中各組件名稱與相應(yīng)附圖標(biāo)記之間的對應(yīng)關(guān)系為：

1第一輸入端口，2第二輸出端口，3第三輸出端口，4第四輸入端口，5第五輸入端口，6第六輸出端口；

71第一功率分配器，72第二功率分配器；

81第一阻抗匹配結(jié)構(gòu)，82第二阻抗匹配結(jié)構(gòu)，83第三阻抗匹配結(jié)構(gòu)，84第四阻抗匹配結(jié)構(gòu)，85第五阻抗匹配結(jié)構(gòu)，86第六阻抗匹配結(jié)構(gòu)；

91第一漸變結(jié)構(gòu)，92第二漸變結(jié)構(gòu)；

101第一放大芯片，102第二放大芯片；

111第一電感，112第二電感；

121第一隔離結(jié)構(gòu)，122第二隔離結(jié)構(gòu)，123第三隔離結(jié)構(gòu)，124第四隔離結(jié)構(gòu)；

14電感；

151第一電壓饋電電路，152第二電壓饋電電路。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參見圖1至圖3，本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器包括：第一功率分配器71、放大器件以及第二功率分配器72。

其中，第一功率分配器71和第二功率分配器72均為基于介質(zhì)集成波導(dǎo)(substrateintegratedwaveguide，siw)的功率分配器；

第一功率分配器71包括：第一siw、第一輸入端口1、第二輸出端口2和第三輸出端口3；且第一輸入端口1和所述第二輸出端口2均位于第一siw的上層金屬板，第三輸出端口3位于第一siw的下層金屬板；

第二功率分配器72包括：第二siw、第四輸入端口4、第五輸入端口5和第六輸出端口6；且第四輸入端口4位于第二siw的上層金屬板，第五輸入端口5和第六輸出端口6均位于第二siw的下層金屬板；

第二輸出端口2、第三輸出端口3、第四輸入端口4、以及第五輸入端口5，均與放大器件串聯(lián)連接。

請繼續(xù)參見圖3，需要說明的是，第一輸入端口1和第六輸出端口6均為50ω共面波導(dǎo)(coplanarwaveguide，cpw)饋電端口，第一輸入端口1和第六輸出端口6與其對應(yīng)的地之間的垂直距離即為差分低噪聲放大器(lownoiseamplifier，lna)所采用的板材厚度。

第二輸出端口2和第三輸出端口3是第一功率分配器71的兩個(gè)輸出端口，也都是采用cpw結(jié)構(gòu)，兩者阻抗值與最小噪聲系數(shù)阻抗實(shí)現(xiàn)共軛匹配，從而保證本發(fā)明實(shí)施例所提供的差分lna的電路結(jié)構(gòu)具有較低的噪聲系數(shù)。并且，差分lna所采用的介質(zhì)板的中間層相當(dāng)于虛地，因此，第二輸出端口2和第三輸出端口3輸出的信號幅度相等，相位相反，即第二輸出端口2和第三輸出端口3之間存在180deg的相位差，進(jìn)而可以對放大器件進(jìn)行差分饋電?？梢岳斫?，第二輸出端口2與虛地之間的距離為差分lna所采用板材厚度的一半，第三輸出端口3與虛地之間的距離為差分lna所采用板材厚度的一半。

舉例而言，計(jì)算50ohmcpw線時(shí)，第二輸出端口2對應(yīng)的介質(zhì)板厚度是差分lna所采用的整體介質(zhì)板厚度的一半，第三輸出端口3對應(yīng)的介質(zhì)板厚度是差分lna所采用的整體介質(zhì)板厚度的一半。且第一輸入端口1的阻抗值設(shè)定為50ohm，第二輸出端口2和第三輸出端口3的阻抗值設(shè)計(jì)為最小噪聲系數(shù)阻抗的共軛阻抗，從而可以實(shí)現(xiàn)低噪聲系數(shù)的目的。

第四輸入端口4和第五輸入端口5是第二功率分配器72的兩個(gè)輸入端口，也都是采用cpw結(jié)構(gòu)，兩者阻抗值與放大器件輸出端口的阻抗值實(shí)現(xiàn)共軛匹配，從而保證本發(fā)明實(shí)施例所提供的差分lna的電路結(jié)構(gòu)達(dá)到高增益。并且，差分lna所采用的介質(zhì)板的中間層相當(dāng)于虛地，因此，第四輸入端口4和第五輸入端口5輸入的信號幅度相等，相位相反?？梢岳斫?，第四輸入端口4與虛地之間的距離為差分lna所采用板材厚度的一半，第五輸入端口5與虛地之間的距離為差分lna所采用板材厚度的一半。

舉例而言，計(jì)算50ohmcpw線時(shí)，第四輸入端口4對應(yīng)的介質(zhì)板厚度是差分lna所采用的整體介質(zhì)板厚度的一半，第五輸入端口5對應(yīng)的介質(zhì)板厚度是差分lna所采用的整體介質(zhì)板厚度的一半。且第六輸出端口6的阻抗值設(shè)定為50ohm，第四輸入端口4和第五輸入端口5的阻抗值設(shè)計(jì)為芯片輸出端口阻抗的共軛阻抗，從而可以保證高增益性能的實(shí)現(xiàn)。

應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例，由于第一功率分配器71的兩個(gè)輸出端口分別在第一siw的上層金屬板和下層金屬板輸出，且兩個(gè)輸出端口輸出的信號幅度相等，相位相反。第二功率分配器72的兩個(gè)輸入端口分別在第二siw的上層金屬板和下層金屬板輸入，且兩個(gè)輸入端口輸出的信號幅度相等，相位相反。與現(xiàn)有技術(shù)中的兩個(gè)輸出端口以及兩個(gè)輸出輸入端口均處于同一平面的差分低噪聲放大器相比，本發(fā)明實(shí)施例所提供的基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的體積可以大大減小。并且，由于siw、cpw結(jié)構(gòu)在高頻(10ghz及以上)輻射損耗較低，因此，本發(fā)明實(shí)施例所提供的差分lna可以實(shí)現(xiàn)高頻應(yīng)用。

請繼續(xù)參見圖1和圖2，作為本實(shí)施例的一種可選方案，本實(shí)施例中的放大器件包括：第一放大芯片101和第二放大芯片102；并且第二輸出端口2、第一放大芯片101以及第四輸入端口4，依次串聯(lián)連接；第三輸出端口3、第二放大芯片102以及第五輸入端口5，依次串聯(lián)連接。

更為具體地，可以根據(jù)增益、噪聲系數(shù)、帶寬、信噪比等設(shè)計(jì)要求選定設(shè)計(jì)差分lna所需要的芯片。例如，本發(fā)明實(shí)施例所提供的差分lna中第一放大芯片101和第二放大芯片102均為：ne3509芯片。

進(jìn)一步地，作為本實(shí)施例的另一種可實(shí)施方案，為了避免額外的外接電源或電池，本發(fā)明實(shí)施例所提供的差分lna還可以包括：第一電壓饋電電路151和第二電壓饋電電路152。并且，第一電壓饋電電路151與第一放大芯片101連接，用于給第一放大芯片101供電；第二電壓饋電電路152與第二放大芯片102連接，用于給第二放大芯片102供電。

舉例而言，第一電壓饋電電路151和第二電壓饋電電路152具體可以均為直流偏置電路。并且，各直流偏置電路上均包括有兩個(gè)電感14。

具體地，可以根據(jù)所選芯片的數(shù)據(jù)表，以及ads軟件的仿真驗(yàn)證結(jié)果，選定放大芯片工作的直流偏置電壓，并根據(jù)直流偏置電壓設(shè)計(jì)直流偏置電路。

具體地，請參見圖4，本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器中信號傳輸方向可以如圖4所示。

為了保證第一放大芯片101以及第二放大芯片102工作在穩(wěn)定狀態(tài)，可以在第一放大芯片101的源極設(shè)置第一電感111，在第二放大芯片102的源極設(shè)置第二電感112。第一電感111以及第二電感112可以作為負(fù)反饋，來保證第一芯片與第二芯片工作在穩(wěn)定狀態(tài)。

進(jìn)一步地，作為本實(shí)施例的再一種可選方案，第一輸入端口1與第一siw之間設(shè)置有第一阻抗匹配結(jié)構(gòu)81，實(shí)現(xiàn)第一輸入端口1與第一siw之間的阻抗匹配，并在第一siw內(nèi)激勵(lì)起合適的工作模式，例如te10模式；

第二輸出端口2與第一siw之間設(shè)置有第二阻抗匹配結(jié)構(gòu)82，實(shí)現(xiàn)第二輸出端口2與第一siw之間的阻抗匹配；

第三輸出端口3與第一siw之間設(shè)置有第三阻抗匹配結(jié)構(gòu)83，實(shí)現(xiàn)第三輸出端口3與第一siw之間的阻抗匹配；

第四輸入端口4與第二siw之間設(shè)置有第四阻抗匹配結(jié)構(gòu)84，實(shí)現(xiàn)第四輸入端口4與第二siw之間的阻抗匹配，并在第二siw內(nèi)激勵(lì)起合適的工作模式，例如te10模式；

第五輸入端口5與第二siw之間設(shè)置有第五阻抗匹配結(jié)構(gòu)85，實(shí)現(xiàn)第五輸入端口5與第二siw之間的阻抗匹配，并在第二siw內(nèi)激勵(lì)起合適的工作模式，例如te10模式。

第六輸出端口6與第二siw之間設(shè)置有第六阻抗匹配結(jié)構(gòu)86，實(shí)現(xiàn)第六輸出端口6與第二siw之間的阻抗匹配。

具體地，第一阻抗匹配結(jié)構(gòu)81和第二阻抗匹配結(jié)構(gòu)82為設(shè)置在第一siw的上層金屬板上的槽；第三阻抗匹配結(jié)構(gòu)83為設(shè)置在第一siw的下層金屬板上的槽；第四阻抗匹配結(jié)構(gòu)84為設(shè)置在第二siw的上層金屬板上的槽；第五阻抗匹配結(jié)構(gòu)85和第六阻抗匹配結(jié)構(gòu)86為設(shè)置在所述第二siw的下層金屬板上的槽。

優(yōu)選地，第一阻抗匹配結(jié)構(gòu)81和第二阻抗匹配結(jié)構(gòu)82為設(shè)置在第一siw的上層金屬板上的漸變斜槽；第三阻抗匹配結(jié)構(gòu)83為設(shè)置在第一siw的下層金屬板上的漸變斜槽；第四阻抗匹配結(jié)構(gòu)84為設(shè)置在第二siw的上層金屬板上的漸變斜槽；第五阻抗匹配結(jié)構(gòu)85和第六阻抗匹配結(jié)構(gòu)86為設(shè)置在所述第二siw的下層金屬板上的漸變斜槽?？梢岳斫?，可以根據(jù)漸變斜槽的深度以及漸變斜槽的邊與水平面所形成的角度，來對各阻抗匹配結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整，調(diào)節(jié)阻抗匹配值。

更進(jìn)一步地，本實(shí)施例所提供的差分lna中的第一siw上還可以設(shè)置第一漸變結(jié)構(gòu)91；第二siw上還可以設(shè)置第二漸變結(jié)構(gòu)92。

通過各個(gè)阻抗匹配結(jié)構(gòu)以及第一漸變結(jié)構(gòu)91和第二漸變結(jié)構(gòu)92，可以實(shí)現(xiàn)第一功率分配器71輸出端口阻抗的可調(diào)節(jié)功能，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)第一功率分配器71的兩個(gè)輸出端口與最小噪聲系數(shù)阻抗共軛匹配，從而實(shí)現(xiàn)低噪聲系數(shù)的性能要求。以及實(shí)現(xiàn)第二功率分配器72的兩個(gè)輸入端口與放大芯片的輸出端口阻抗共軛匹配，從而實(shí)現(xiàn)高增益的性能要求。并且，不需要重新設(shè)計(jì)第一功分器的輸出端口與放大芯片端口之間、以及第二功分器的輸入端口與放大芯片端口之間的阻抗匹配電路，可以簡化設(shè)計(jì)，可以進(jìn)一步減小差分lna電路的體積。

具體地，第一漸變結(jié)構(gòu)91為設(shè)置在第一siw上的兩排金屬孔，第二漸變結(jié)構(gòu)92為設(shè)置在第二siw上的兩排金屬孔。并且，第一siw上的兩排金屬通孔之間的間距沿著信號傳輸方向由小變大；第二siw上的兩排金屬通孔之間的間距沿著信號傳輸方向由大變小。

具體地，siw上的兩排金屬孔(兩排金屬通孔圓心)之間的間距wsiw可以通過以下公式確定：

wequ＝wsiw·δ

其中，

svp表示每排金屬孔中任意兩個(gè)金屬孔圓心之間的間距，wequ為歸一化等效的介質(zhì)矩形波導(dǎo)寬度。

需要說明的是，siw只能傳播ten0模式，并且其主模與傳統(tǒng)的矩形波導(dǎo)類似，也是te10模式。即siw保證只有主模傳播，并且抑制掉其他高次模式的傳播。為了保證siw在選定的工作頻率下只傳輸主模，金屬通孔間距svp、金屬通孔直徑d、siw的主模te10的截止波長λc之間應(yīng)該滿足如下的經(jīng)驗(yàn)公式：

進(jìn)一步地，作為本實(shí)施例的再一種可實(shí)施方案，第二輸出端口2和第一放大芯片101之間串聯(lián)連接有第一隔離結(jié)構(gòu)121；

第三輸出端口3和第二放大芯片102之間串聯(lián)連接有第二隔離結(jié)構(gòu)122；

第四輸入端口4和第一放大芯片101之間串聯(lián)連接有第三隔離結(jié)構(gòu)123；

第五輸入端口5和第二放大芯片102之間串聯(lián)連接有第四隔離結(jié)構(gòu)124。

通過第一隔離結(jié)構(gòu)121和第二隔離結(jié)構(gòu)122，可以阻隔第一功率分配器71輸出信號中的直流成分，只將交流成分進(jìn)行傳輸。通過第三隔離結(jié)構(gòu)123和第四隔離結(jié)構(gòu)124，可以阻隔放大器件輸出信號中的直流成分，只將交流成分進(jìn)行傳輸。

具體地，第一隔離結(jié)構(gòu)121、第二隔離結(jié)構(gòu)122、第三隔離結(jié)構(gòu)123、第四隔離結(jié)構(gòu)124可以均為隔直電容。

請參見圖5至圖7，圖5至圖7分別為利用ads軟件對本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器進(jìn)行仿真后，獲得的穩(wěn)定系數(shù)、噪聲系數(shù)、s參數(shù)與頻率之間的關(guān)系。

在圖5中，橫坐標(biāo)表示頻率，縱坐標(biāo)表示穩(wěn)定系數(shù)。由圖5可知，在工作頻段(4.4ghz-5.7ghz)內(nèi)，本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的穩(wěn)定系數(shù)波動(dòng)較小，且均大于1，即低噪聲放大器在工作頻段內(nèi)處于絕對穩(wěn)定狀態(tài)。

在圖6中，橫坐標(biāo)表示頻率，縱坐標(biāo)表示噪聲系數(shù)。由圖6可知，在工作頻段(4.4ghz-5.7ghz)內(nèi)，本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種基于介質(zhì)集成波導(dǎo)的差分低噪聲放大器的噪聲系數(shù)低于0.6db，噪聲系數(shù)較低。

在圖7中，橫坐標(biāo)表示頻率，縱坐標(biāo)表示s參數(shù)，s(1,1)為第二輸出端口2的回波損耗，值越小越好；s(2,2)為第三輸出端口3的回波損耗，值越小越好；s(2,1)為lna的實(shí)際增益，值越大越好。由圖7可知，第二輸出端口2和第三輸出端口3的回波損耗低于-10db，比較?。籰na的實(shí)際增益大于8db，比較大。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。