本發(fā)明涉及電路板制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種裸芯片嵌入式電路板的制造方法。
背景技術(shù)：
常規(guī)的電源電子模塊中，電源半導(dǎo)體芯片，例如mosfet或igbt芯片通常采用引線鍵合方式與基板連接。然而，由于其較長的互連尺寸，在開關(guān)電源中容易產(chǎn)生較大的應(yīng)力和較大的電磁干擾(emi)噪聲。另外，隨著電力電子半導(dǎo)體器件的快速發(fā)展，開關(guān)頻率越來越高，裝置體積進一步減小，寄生參數(shù)對電源性能和可靠性的影響也越來越顯著，器件的功耗也越來越大。將電源芯片直接埋入印刷線路板內(nèi)部，可以有效解決以上問題。
但是，電源芯片通常包含鋁材質(zhì)的電極(以后稱為鋁電極)，而鋁的化學(xué)性質(zhì)決定了鋁電極不能與電路板的制作工藝兼容，如鋁電極表面不能采用激光加工盲孔，鋁電極在蝕刻等工藝中會被化學(xué)物質(zhì)腐蝕損壞等。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：本發(fā)明實施例提供一種裸芯片嵌入式電路板的制造方法，可以使帶有鋁電極的裸芯片與電路板的制作工藝兼容。
一種裸芯片嵌入式電路板的制造方法，包括：a.在電路板的芯材開設(shè)通孔，通孔的周側(cè)開設(shè)有多個槽；b.將裸芯片置于通孔中；其中，裸芯片的一面具有鋁電極，另一面為非鋁電極；鋁電極至少包括三層金屬層：鋁層、銅層、鋁層，銅層位于中間層，銅層的厚度在5um以上；裸芯片的周側(cè)伸出支撐臂；并使支撐臂放置于槽內(nèi)；槽與裸芯片的間隙為30～100um之間；c.點焊支撐臂和槽，定位裸芯片；d.通過填孔電鍍工藝電鍍填充裸芯片的側(cè)面與通孔的側(cè)面的縫隙，通過填孔電鍍工藝電鍍填充支撐臂的周側(cè)與槽之間的縫隙，固定裸芯片；e.板面電鍍前處理，去除鋁電極表面的鋁層，漏出銅層，在芯材的2兩面鍍銅；f.制作芯材兩面的線路。
優(yōu)選的，步驟f之后，還包括：
g.將制作完線路的芯材與其它已經(jīng)制完電路的覆銅板壓合、鉆孔、電鍍，制作導(dǎo)電孔和表層線路；表層線路至少有部分線路與鋁電極和非鋁電極連通。
優(yōu)選的，步驟a之前還包括：
a1：蝕刻通孔兩面及通孔周邊的銅層、蝕刻槽上部的銅層。
優(yōu)選的，裸芯片的另一面為銅電極、金電極、銀電極或鎳鈀金電極。
優(yōu)選的，銅層與底層鋁層和上層鋁層的交界面設(shè)置有凹凸度為1～2um的凹坑和凸起，鋁層的鋁和銅層的銅交錯填平凹坑和凸起。
優(yōu)選的，裸芯片內(nèi)部設(shè)置有縱橫交錯的加強筋，加強筋從裸芯片的周側(cè)伸出成支撐臂。
本發(fā)明的有益效果是：一種裸芯片嵌入式電路板的制造方法，包括：a.在電路板的芯材開設(shè)通孔，通孔的周側(cè)開設(shè)有多個槽；b.將裸芯片置于通孔中；其中，裸芯片的一面具有鋁電極，另一面為非鋁電極；鋁電極至少包括三層金屬層：鋁層、銅層、鋁層，銅層位于中間層，銅層的厚度在5um以上；裸芯片的周側(cè)伸出支撐臂；并使支撐臂放置于槽內(nèi)；槽與裸芯片的間隙為30～100um之間；c.點焊支撐臂和槽，定位裸芯片；d.通過填孔電鍍工藝電鍍填充裸芯片的側(cè)面與通孔的側(cè)面的縫隙，通過填孔電鍍工藝電鍍填充支撐臂的周側(cè)與槽之間的縫隙，固定裸芯片；e.板面電鍍前處理，去除鋁電極表面的鋁層，漏出銅層，在芯材的2兩面鍍銅；f.制作芯材兩面的線路。在裸芯片進入電路板生產(chǎn)工藝前，在鋁電極的生產(chǎn)工藝過程中增加，在鋁電極層上添加銅層，同時為了廣泛的適應(yīng)性，在銅層上再添加鋁層，銅層表面的鋁層在電路板工藝處理中，可以通過前處理去除，漏出銅層，銅層能夠適應(yīng)電路的生產(chǎn)工藝流程，可以使帶有鋁電極的裸芯片與電路板的制作工藝兼容。
附圖說明
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的裸芯片嵌入式電路板的制造方法作進一步說明。
圖1是本發(fā)明一種裸芯片嵌入式電路板的制造方法的流程圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖1對本發(fā)明一種裸芯片嵌入式電路板的制造方法作進一步說明。
一種裸芯片嵌入式電路板的制造方法，包括：a.在電路板的芯材開設(shè)通孔，通孔的周側(cè)開設(shè)有多個槽；b.將裸芯片置于通孔中；其中，裸芯片的一面具有鋁電極，另一面為非鋁電極；鋁電極至少包括三層金屬層：鋁層、銅層、鋁層，銅層位于中間層，銅層的厚度在5um以上；裸芯片的周側(cè)伸出支撐臂；并使支撐臂放置于槽內(nèi)；槽與裸芯片的間隙為30～100um之間；c.點焊支撐臂和槽，定位裸芯片；d.通過填孔電鍍工藝電鍍填充裸芯片的側(cè)面與通孔的側(cè)面的縫隙，通過填孔電鍍工藝電鍍填充支撐臂的周側(cè)與槽之間的縫隙，固定裸芯片；e.板面電鍍前處理，去除鋁電極表面的鋁層，漏出銅層，在芯材的2兩面鍍銅；f.制作芯材兩面的線路。
在裸芯片進入電路板生產(chǎn)工藝前，在鋁電極的生產(chǎn)工藝過程中增加，在鋁電極層上添加銅層，同時為了廣泛的適應(yīng)性，在銅層上再添加鋁層，銅層表面的鋁層在電路板工藝處理中，可以通過前處理去除，漏出銅層，銅層能夠適應(yīng)電路的生產(chǎn)工藝流程，可以使帶有鋁電極的裸芯片與電路板的制作工藝兼容。
本實施例中，步驟f之后，還包括：
g.將制作完線路的芯材與其它已經(jīng)制完電路的覆銅板壓合、鉆孔、電鍍，制作導(dǎo)電孔和表層線路；表層線路至少有部分線路與鋁電極和非鋁電極連通。
本實施例中，步驟a之前還包括：
a1：蝕刻通孔兩面及通孔周邊的銅層、蝕刻槽上部的銅層。
本實施例中，裸芯片的另一面為銅電極、金電極、銀電極或鎳鈀金電極。
本實施例中，銅層與底層鋁層和上層鋁層的交界面設(shè)置有凹凸度為1～2um的凹坑和凸起，鋁層的鋁和銅層的銅交錯填平凹坑和凸起。
本實施例中，裸芯片內(nèi)部設(shè)置有縱橫交錯的加強筋，加強筋從裸芯片的周側(cè)伸出成支撐臂。
本發(fā)明的不局限于上述實施例，本發(fā)明的上述各個實施例的技術(shù)方案彼此可以交叉組合形成新的技術(shù)方案，另外凡采用等同替換形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明要求的保護范圍內(nèi)。