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一種利用MOS管對信號隔離電路的制作方法

文檔序號:12037404閱讀:3321來源:國知局
一種利用MOS管對信號隔離電路的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及的是信號隔離技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種利用mos管對信號隔離電路。



背景技術(shù):

信號隔離就是說電路里信號的收發(fā)端使用的是各自獨立的電源,一端的電源不會對另一端芯片產(chǎn)生影響,否則會出現(xiàn)燒毀芯片的情況。目前,在電路的設計當中,經(jīng)常會遇到信號隔離的情況,而且現(xiàn)在的隔離芯片種類也很多,但價格也不菲,且有時候電路當中的信號需要提供一定的驅(qū)動能力,而隔離芯片卻提供不了,這就出現(xiàn)問題了;另外隔離芯片的通道數(shù)一般很多,而電路中不一定需要很多路信號,基于此,設計一種新型的利用mos管對信號隔離電路尤為必要。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

針對現(xiàn)有技術(shù)上存在的不足,本發(fā)明目的是在于提供一種利用mos管對信號隔離電路,結(jié)構(gòu)設計合理,驅(qū)動能力強,成本低,對信號隔離效果好,穩(wěn)定可靠,易于推廣使用。

為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明是通過如下的技術(shù)方案來實現(xiàn):一種利用mos管對信號隔離電路,包括第一mos管、第一電阻、第二電阻,第一mos管的柵極為信號輸入端,第一mos管的柵極連接第一電阻至電源端,第一mos管的源極接地,第一mos管的漏極連接第二電阻至電源端,第一mos管的漏極為信號輸出端,所述的第一mos管為n溝道m(xù)os管;該電路為信號輸出反相電路。

一種利用mos管對信號隔離電路,包括第二mos管、第三電阻-第五電阻,第二mos管的柵極為信號輸入端,第二mos管的柵極連接第三電阻至電源端,第二mos管的源極連接第五電阻至地端,第二mos管的源極為信號輸出端,第二mos管的漏極連接第四電阻至電源端,所述的第二mos管為n溝道m(xù)os管或p溝道m(xù)os管;該電路為信號輸出同相電路。

本發(fā)明的有益效果:能有效對信號隔離,驅(qū)動能力強,成本低,穩(wěn)定性高。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實施方式來詳細說明本發(fā)明;

圖1為本發(fā)明信號反相的電路圖;

圖2為本發(fā)明信號同相的電路圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結(jié)合具體實施方式,進一步闡述本發(fā)明。

參照圖1-2,本具體實施方式采用以下技術(shù)方案:一種利用mos管對信號隔離電路,包括第一mos管q1、第一電阻r1、第二電阻r2,第一mos管q1的柵極為信號輸入端s1,第一mos管q1的柵極連接第一電阻r1至電源端,第一mos管q1的源極接地,第一mos管q1的漏極連接第二電阻r2至電源端,第一mos管q1的漏極為信號輸出端s2,所述的第一mos管q1為n溝道m(xù)os管,當柵極是高電平時,第一mos管q1導通;當柵極是低電平時,第一mos管q1關(guān)閉。

本具體實施方式當s1處為高電平時,第一mos管q1導通,此時s2信號拉到地上,所以s2處出現(xiàn)低電平;相反當s1處為低電平時,第一mos管q1關(guān)閉,則s2經(jīng)過第二電阻r2上拉到電源v2,則為高電平,此時的信號是反相的。

本具體實施方式采用同樣的原理,可以讓s1處、s2處的信號同相,其原理圖見圖2,該信號隔離電路包括第二mos管q2、第三電阻r3-第五電阻r5,第二mos管q2的柵極為信號輸入端s1,第二mos管q2的柵極連接第三電阻r3至電源端,第二mos管q2的源極連接第五電阻r5至地端,第二mos管q2的源極為信號輸出端s2,第二mos管q2的漏極連接第四電阻r4至電源端;該電路中第二mos管q2可以是n溝道m(xù)os管或者p溝道m(xù)os管;當s1處為高電平時,第二mos管q2導通,此時s2處出現(xiàn)高電平;相反當s1處為低電平時,第二mos管q2關(guān)閉,則s2經(jīng)過第五電阻r5下拉到地端,則為低電平,此時兩信號是同相的。

本具體實施方式驅(qū)動能力強,價格便宜,適用于共地的電路設計當中,且信號是單向的,電路設計可靠性高,且成本低,適用性廣,具有廣闊的市場應用前景。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應該了解,本發(fā)明不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下,本發(fā)明還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種利用MOS管對信號隔離電路,它涉及信號隔離技術(shù)領(lǐng)域。它包括第一MOS管、第一電阻、第二電阻,第一MOS管的柵極為信號輸入端,第一MOS管的柵極連接第一電阻至電源端,第一MOS管的源極接地,第一MOS管的漏極連接第二電阻至電源端,第一MOS管的漏極為信號輸出端,所述的第一MOS管為N溝道MOS管;該電路為信號輸出反相電路。本發(fā)明驅(qū)動能力強,成本低,對信號隔離效果好,穩(wěn)定可靠,易于推廣使用。

技術(shù)研發(fā)人員:伍潔慧;杜茂峰;谷曉雄
受保護的技術(shù)使用者:上海樂野網(wǎng)絡科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.06.07
技術(shù)公布日:2017.10.24
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