本發(fā)明涉及電路板加工領(lǐng)域，具體地，涉及一種數(shù)控衰減器qfn封裝器件接地焊盤的電路板的加工方法。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有的加工方法為：下料→鉆孔→孔金屬化→電路圖蝕刻→各圖層各圖層涂覆→外形(沖/銑)→測(cè)試檢查等。

而現(xiàn)有技術(shù)中的方法存在如下技術(shù)問題：成品金屬化孔與電路板元器件面、接地面貫通，無任何阻焊措施，導(dǎo)致電路板安裝元器件后再次焊接，將引起衰減器項(xiàng)目qfn封裝類器件接地焊盤焊錫再次熔化，二次浸潤，從而導(dǎo)致較高比例的開路或短路不良，電裝過程工藝控制困難，衰減器項(xiàng)目產(chǎn)品良率低下。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種數(shù)控衰減器qfn封裝器件接地焊盤的電路板的加工方法，解決了現(xiàn)有的加工方法存在電裝過程工藝控制困難，衰減器項(xiàng)目產(chǎn)品良率較低的技術(shù)問題，實(shí)現(xiàn)了通過本方法能夠阻礙二次浸潤，提高了衰減器項(xiàng)目產(chǎn)品良率的技術(shù)效果。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N數(shù)控衰減器qfn封裝器件接地焊盤的電路板的加工方法，所述加工方法包括：

步驟1：在電路板上鉆孔；

步驟2：對(duì)步驟1中加工出的孔進(jìn)行沉銅處理獲得金屬化孔；

步驟3：對(duì)金屬化孔進(jìn)行填塞；

步驟4：對(duì)填塞后的電路板進(jìn)行電路圖型刻蝕處理；

步驟5：對(duì)刻蝕處理后的電路板進(jìn)行各圖層涂覆處理獲得成品。

其中，本申請(qǐng)的原理為：在工藝獲得金屬化孔后，對(duì)金屬化孔進(jìn)行填塞，對(duì)金屬化孔進(jìn)行隔斷，避免接地焊盤焊錫再次熔化后進(jìn)行二次浸潤，對(duì)電路板進(jìn)行保護(hù)，提高了產(chǎn)品良率。

進(jìn)一步的，步驟3與步驟4之間還包括步驟a：對(duì)填塞后的電路板進(jìn)行二次沉銅處理，然后進(jìn)行表面拋光處理。整板再次沉銅后，填充部位目視不可見，整個(gè)qfn接地焊盤可視為無孔焊盤，便于后續(xù)焊錫膏印刷鋼網(wǎng)開口或預(yù)成型焊盤圖形的設(shè)計(jì)；拋光后，于孔兩側(cè)形成平整端面，同時(shí)保障整板銅箔厚度的一致性、規(guī)格等滿足設(shè)計(jì)要求。

進(jìn)一步的，其特征在于，填塞材料填塞在金屬化孔中部，使得金屬化孔上部與下部隔斷。一方面填充材料與覆銅材料特性存在客觀差異，較少量的使用可以降低高低溫工況下的結(jié)構(gòu)盈利；另一方面填充后需要二次沉銅，在中部填充可確保兩側(cè)二次沉銅厚度的均勻程度。

進(jìn)一步的，所述屬化孔填塞材料為環(huán)氧樹脂。

進(jìn)一步的，環(huán)氧樹脂為低應(yīng)力，即填充樹脂應(yīng)選擇與銅的熱膨脹系數(shù)較為接近的材料，在高溫、低溫狀態(tài)不會(huì)導(dǎo)致焊盤平面過于凸出或凹陷。具體應(yīng)根據(jù)電路板基板厚度(孔深、填塞量)和覆銅層設(shè)計(jì)厚度(二次沉銅層厚度)計(jì)算。所述的電路板和填孔樹脂材料，該填充材料熱膨脹系數(shù)的選擇，和電路板基材厚度(填充厚度)、孔徑相關(guān)，在1.0mm厚度基板、0.018mm敷銅、金屬化孔，填充厚度0.5mm～0.8mm時(shí)，可選樹脂材料的熱膨脹系數(shù)大致范圍為40ppm/k～80ppm/k。計(jì)算邏輯為：在產(chǎn)品工作、存儲(chǔ)、裝配全溫段，電路板基板、敷銅、填充材料的熱障冷縮尺寸差異不超過0.05mm(平面度要求)。

進(jìn)一步的，所述屬化孔填塞材料為銀漿。

進(jìn)一步的，所述屬化孔填塞材料為銅漿。金屬化孔填塞工序：使用低應(yīng)力環(huán)氧樹脂填塞金屬化孔的中段部位，用以阻隔金屬化孔內(nèi)焊錫浸潤通道，同時(shí)保障金屬化孔的電氣連接特性不受影響。除低應(yīng)力環(huán)氧樹脂外，還可選用銀漿、銅漿等填塞材料，以滿足低電阻或低熱阻要求。

進(jìn)一步的，所述填塞的工藝為“樹脂塞孔”?？刹捎贸尚湍＞咭淮涡宰⑷?、定制夾具注入保型、預(yù)制顆粒粘接填塞等多種方式，以適應(yīng)不同規(guī)格的電路基板材料和設(shè)計(jì)要求。

進(jìn)一步的，所述電路板為用于qfn封裝類器件焊盤的接地部分。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊粋€(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明使用新的電路板加工方法，在金屬化孔內(nèi)部形成焊錫浸潤阻斷面，確保裝配過程不再會(huì)二次浸潤，杜絕因此導(dǎo)致的qfn器件裝配不良，提高了衰減器項(xiàng)目產(chǎn)品良率的技術(shù)效果。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限定；

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電路板的加工流程示意圖；

圖2是本申請(qǐng)中金屬化孔填塞示意圖；

圖3是本申請(qǐng)中數(shù)控衰減器的電路板的加工方法示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供了一種數(shù)控衰減器qfn封裝器件接地焊盤的電路板的加工方法，解決了現(xiàn)有的加工方法存在電裝過程工藝控制困難，衰減器項(xiàng)目產(chǎn)品良率較低的技術(shù)問題，實(shí)現(xiàn)了通過本方法能夠阻礙二次浸潤，提高了衰減器項(xiàng)目產(chǎn)品良率的技術(shù)效果。

為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在相互不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述范圍內(nèi)的其他方式來實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

請(qǐng)參考圖1-圖3，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N數(shù)控衰減器qfn封裝器件接地焊盤的電路板的加工方法，所述加工方法包括：

步驟1：在電路板上鉆孔；

步驟2：對(duì)步驟1中加工出的孔進(jìn)行沉銅處理獲得金屬化孔；

步驟3：對(duì)金屬化孔進(jìn)行填塞；

步驟4：對(duì)填塞后的電路板進(jìn)行電路圖型刻蝕處理；

步驟5：對(duì)刻蝕處理后的電路板進(jìn)行各圖層加工處理獲得成品。

其中，鉆孔現(xiàn)都采用精密的數(shù)控多頭鉆床，依靠事先編好的程式工作，可以進(jìn)行精確的定位，孔金屬化即pth(platingthroughhole)，是對(duì)整個(gè)拼版進(jìn)行化學(xué)沉銅，從而讓原本無銅的鉆孔孔壁上也沉積上一層薄的銅。蝕刻的目的就是去掉多余的銅，以得到所需要的電路圖形。通常電路板設(shè)計(jì)文件中包含了頂層電路圖形、底層電路圖形、阻焊圖形、字符絲印圖形等多個(gè)圖層，完成電路圖形加工后，可按常規(guī)工藝完成其他圖形層的加工。

在衰減器項(xiàng)目電路板加工方法中，于“金屬化孔沉銅”工序之后，增加“金屬化孔填塞”、“沉銅并拋光”工序。

金屬化孔填塞工序：使用低應(yīng)力環(huán)氧樹脂填塞金屬化孔的中段部位，用以阻隔金屬化孔內(nèi)焊錫浸潤通道，同時(shí)保障金屬化孔的電氣連接特性不受影響。除低應(yīng)力環(huán)氧樹脂外，還可選用銀漿、銅漿等填塞材料，以滿足低電阻或低熱阻要求。

沉銅并拋光工序：整板再次沉銅及拋光，于孔兩側(cè)形成平整端面，同時(shí)保障整板銅箔厚度的一致性、規(guī)格等滿足設(shè)計(jì)要求。后續(xù)工序與背景技術(shù)相同不變。

在通過可信樣本數(shù)的驗(yàn)證、統(tǒng)計(jì)、分析后，本發(fā)明技術(shù)效果如下：

電路板來料，其qfn器件焊盤部位相對(duì)于背景技術(shù)產(chǎn)品而言，金屬化孔不可見，可視為整體焊盤，在設(shè)計(jì)焊料印刷鋼網(wǎng)時(shí)不再考量孔分布，能夠簡化鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)；

pcba成品經(jīng)功能測(cè)試，未發(fā)現(xiàn)qfn器件有外觀、結(jié)構(gòu)、功能方面指標(biāo)異常，滿足設(shè)計(jì)要求；

電路板與盒體進(jìn)行二次焊接，按既有產(chǎn)品工藝方案執(zhí)行，不做任何變更。工序成品經(jīng)檢測(cè)，未發(fā)現(xiàn)外觀、結(jié)構(gòu)、功能方面指標(biāo)異常；

按衰減器項(xiàng)目技術(shù)協(xié)議進(jìn)行各項(xiàng)可靠性試驗(yàn)(高低溫沖擊、高低溫環(huán)境工作、隨機(jī)振動(dòng)等)后，指標(biāo)仍滿足設(shè)計(jì)需求。

通過本發(fā)明的驗(yàn)證實(shí)施，能有效提高衰減器項(xiàng)目產(chǎn)品在產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)過程中的效率、良率，同時(shí)保障產(chǎn)品綜合技術(shù)要求的一致性。

盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。