1.一種微波掃頻裝置，包括頻率信號(hào)源、信號(hào)放大器及分析系統(tǒng)，其特征在于，還包括反饋控制器、光電探測(cè)器和吸收頻率控制器；
所述頻率信號(hào)源一端通過信號(hào)放大器與分析系統(tǒng)相連接；另一端通過分析系統(tǒng)和吸收頻率控制器與光電探測(cè)器相連接；
所述反饋控制器首尾兩端分別與光電探測(cè)器和吸收頻率控制器相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波掃頻裝置，其特征在于，所述光電探測(cè)器包括第一耦合器、第二耦合器、與第一耦合器相連接的第一探測(cè)器、與第二耦合器相連接的第二探測(cè)器及光電比較電路，所述第一探測(cè)器通過光電比較電路與第二探測(cè)器相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波掃頻裝置，其特征在于，所述第一耦合器和第二耦合器外圍設(shè)有絕緣塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波掃頻裝置，其特征在于，所述第一耦合器為前向微帶耦合器，第二耦合器為反向微帶耦合器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波掃頻裝置，其特征在于，所述吸收頻率控制器包括光頻吸收半導(dǎo)體和調(diào)頻控制器，所述光頻吸收半導(dǎo)體與調(diào)頻控制器相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波掃頻裝置，其特征在于，所述分析系統(tǒng)為數(shù)據(jù)分析中央處理器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波掃頻裝置，其特征在于，所述信號(hào)放大器包括放大元件、第一晶體管、第二晶體管和線圈，所述放大元件兩端分別通過線圈與第一晶體管、第二晶體管相連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波掃頻裝置，其特征在于，所述反饋控制器包括正弦反饋振蕩器、反饋MCU和積分放大器，所述反饋MCU一端與積分放大器相連接，另一端與正弦反饋振蕩器相連接。