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一種光源射頻驅(qū)動(dòng)器的制作方法

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一種光源射頻驅(qū)動(dòng)器的制作方法與工藝

本實(shí)用新型涉及照明技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種光源射頻驅(qū)動(dòng)器。



背景技術(shù):

射頻驅(qū)動(dòng)器主要應(yīng)用于通信干擾機(jī)、等離子體激發(fā)、光源驅(qū)動(dòng)等方面,連續(xù)波微波射頻驅(qū)動(dòng)器在高功率應(yīng)用時(shí)存在熱耗過(guò)高的問(wèn)題給系統(tǒng)散熱、可靠性及結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)帶來(lái)很多實(shí)際的問(wèn)題,所以為了降低熱耗有必要采用脈沖的高功率射頻頻源。

現(xiàn)有射頻驅(qū)動(dòng)源,如圖1所示,主要由高頻振蕩器、高頻放大器、功率放大器及耦合匹配器組成實(shí)現(xiàn),例如,《一種射頻激勵(lì)激光器》、發(fā)明人華中科技大學(xué),申請(qǐng)?zhí)?01120399496.6,該實(shí)用新型公開(kāi)了一種射頻激勵(lì)氣體激光器,通過(guò)使用射頻電源,使放電過(guò)程更加穩(wěn)定,更大功率的激光輸出,但是由于射頻驅(qū)動(dòng)源的功耗大、可靠性低、結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)難,導(dǎo)致系統(tǒng)重量太大。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中光源射頻驅(qū)動(dòng)器功耗過(guò)大等問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種光源射頻驅(qū)動(dòng)器,包括頻率發(fā)生器,功率放大器模塊、檢測(cè)控制電路和MCU(微控制單元),所述的頻率發(fā)生器、功率放大器模塊、檢測(cè)控制電路和MCU依次首尾連接組成一個(gè)電路回路,所述的功率放大器模塊包括預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器、驅(qū)動(dòng)功率放大器、末級(jí)功率放大器,所述的預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器、驅(qū)動(dòng)功率放大器、末級(jí)功率放大器依次連接,所述的MCU與所述的預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器控制連接。

其中,還可以包括可調(diào)多諧震蕩器,所述的可調(diào)多諧震蕩器連接MCU及預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器。可調(diào)多諧震蕩器可降低MCU選型要求,同時(shí)亦可以降低系統(tǒng)成本。

更進(jìn)一步,所述的檢測(cè)控制電路包括正反向微帶耦合器及檢波器,所述的正反向微帶耦合器與所述的末級(jí)功率放大器連接,所述的檢波器連接正反向微帶耦合器及MCU。

更進(jìn)一步,所述的檢波器包括第一檢波器和第二檢波器,第一檢波器和第二檢波器形成并聯(lián)關(guān)系。

更進(jìn)一步,還包括LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)、高速運(yùn)算放大器,所述的LDO與預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器連接,所述的高速運(yùn)算放大器連接所述的MCU和預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器。

頻率發(fā)生器主要是用來(lái)產(chǎn)生頻率,LDO用來(lái)給預(yù)驅(qū)動(dòng)放大器線性供電,高速運(yùn)放用于放大脈沖信號(hào)、功率放大器將某一特定頻率的射頻電平放大到額定值,正反向功率檢測(cè)電路的功能是對(duì)功放進(jìn)行輸出/反射功率檢測(cè)并將檢測(cè)結(jié)果送入MCU,MCU 主要是對(duì)頻率發(fā)生器、功率放大器模塊、LDO進(jìn)行控制,使其工作在最優(yōu)負(fù)載對(duì)應(yīng)頻率下。

頻率發(fā)生器(VCO/PLL)在某一頻率產(chǎn)生一定功率的射頻信號(hào),射頻信號(hào)進(jìn)入功率放大器,經(jīng)功率放大器放大達(dá)到額定功率輸出至正反向耦合器,然后經(jīng)過(guò)正反向藕合器輸出給負(fù)載,正反向耦合器經(jīng)過(guò)正向藕合端藕合輸出信號(hào)作為功率放大器輸出功率的采樣信號(hào)送入第一檢波器;正反向耦合器經(jīng)過(guò)反向藕合端藕合由負(fù)載反射的信號(hào)作為功率放大器反射功率的采樣信號(hào)送入第二檢波器;第一、第二檢波器輸出直流電壓V1和V2送入MCU,MCU 根據(jù) V1和V2的值重新設(shè)定頻率發(fā)生器和功率放大器的工作頻率,以滿足系統(tǒng)在最優(yōu)負(fù)載條件下工作。

本實(shí)用新型的有益效果:

1)可根據(jù)負(fù)載特性自適應(yīng)調(diào)整射頻驅(qū)動(dòng)裝置的功率、頻率;

2)在最佳負(fù)載下工作,射頻功率損耗小,系統(tǒng)效率高;

3)系統(tǒng)體積和重量可有效減小,且系統(tǒng)具有非常高的可靠性。

附圖說(shuō)明(為了減少附圖文字,附圖標(biāo)注均采用簡(jiǎn)寫(xiě)方式)

圖1 現(xiàn)有射頻驅(qū)動(dòng)源方案;

圖2 本實(shí)用新型技術(shù)方案原理;

圖3 本實(shí)用新型實(shí)施案例原理圖;

圖4 本實(shí)用新型方案2原理框圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

如圖2所示,提供一種光源射頻驅(qū)動(dòng)器,包括頻率發(fā)生器,功率放大器模塊、檢測(cè)控制電路和MCU(微控制單元),所述的頻率發(fā)生器、功率放大器模塊、檢測(cè)控制電路和MCU依次首尾連接組成一個(gè)電路回路,所述的功率放大器模塊包括預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器、驅(qū)動(dòng)功率放大器、末級(jí)功率放大器,所述的預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器、驅(qū)動(dòng)功率放大器、末級(jí)功率放大器依次連接,所述的MCU與所述的預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器控制連接。MCU可以通過(guò)運(yùn)算放大器U2與預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器連接。此時(shí)MCU產(chǎn)生PWM(脈沖寬度調(diào)制)控制運(yùn)算放大器U2。

微波等離子體功率源具體工作步驟如下:

第一步: 系統(tǒng)上電初始化,MCU控制預(yù)驅(qū)動(dòng)功放在線性供電下正常工作,關(guān)閉連接運(yùn)算放大器同相輸入端PWM輸出;

第二步: MCU控制頻率發(fā)生器產(chǎn)品初始頻率為f1,射頻功率為P1的射頻功率;

第三步:功率放大器在頻率f1下將頻率發(fā)生器輸出功率由P1放大到P2并輸出至負(fù)載此時(shí)反射功率為P3;

第四步:MCU根據(jù)V1和V2計(jì)算功放輸出端駐波S1 ;

第五步: MCU設(shè)定駐波門(mén)限,并判斷本次駐波值是否小于門(mén)限值;

第六步:若本次檢測(cè)駐波值小于門(mén)限值,MCU將鎖定此時(shí)頻率發(fā)生器的頻率;

第七步: MCU控制功放輸出功率到額定輸出,打開(kāi)連接高速運(yùn)放同相輸入端的PWM輸出;

第八步:若本次檢測(cè)駐波值大于門(mén)限值,MCU將改變頻率發(fā)生器的頻率,返回第一步,頻率變化步進(jìn)為Δf,且為單調(diào)變化 ;

第九步: MCU累計(jì)設(shè)置N次頻率,功放駐波值任然大于門(mén)限值,判斷為結(jié)束掃描程序,檢查硬件。

實(shí)施例1:具體的連接方式如圖3所示,系統(tǒng)主要包括:壓控震蕩器VCO,高速運(yùn)算放大器U2,作為一種具體的實(shí)施方案,高速運(yùn)算放大器U2選擇LM7171,此時(shí),保證速運(yùn)算放大器U2正常工作的電阻R1和R2可取值為R1=150K,R2=15K;線性穩(wěn)壓電源LDO,LDO可選擇LP2951,微處理器MCU,作為一種具體的實(shí)施方案,微處理器MCU 可選擇STM32F-051K4T6,預(yù)驅(qū)動(dòng)功能放大器選擇2SC2026+AH128兩級(jí)串聯(lián),驅(qū)動(dòng)功能放大器選擇MW6S004NT1,,末級(jí)功能放大器選擇 BLC10M6XS200 ,檢測(cè)電路包括30dB正反向微帶耦合器及兩個(gè)檢波電路,兩個(gè)檢波電路可由兩個(gè)HSMS-2850檢波器實(shí)現(xiàn),具體的連接方式可參考附圖3,具體實(shí)施過(guò)程如下:

1)系統(tǒng)上電初始化以后,STM32F051K4T6控制LDO使能為預(yù)驅(qū)動(dòng)功放線性供電,關(guān)閉連接高速運(yùn)放同相輸入端PWM輸出

2)STM32F051K4T6控制VCO-S-A22輸出工作頻率425MH的射頻信號(hào);

3)射頻信號(hào)經(jīng)過(guò)2SC2026、AH128、MW6S004NT1和 BLC10M6XS200 功率放大器,(BLC10M6XS200此LDMOS功率放大器工作在C類偏置條件,以便提高功放的效率, STM32F051K4T6對(duì)功放增益進(jìn)行控制,保證其輸出功率恒定。)功放輸出功率首先經(jīng)過(guò)正反向30dB耦合器,由耦合器前向藕合端進(jìn)行采樣,進(jìn)而由HSMS -2850檢波,得到功放輸出功率對(duì)應(yīng)的直流電壓為V1=1.2V,電壓值直接由STM32F051K4T6進(jìn)行采集;

4)經(jīng)過(guò)正反向耦合器的直通輸出功率直接輸出給負(fù)載,該輸出功率在傳輸給負(fù)載時(shí),有一部份反射功率,由正反向耦合器的反向藕合端進(jìn)行采樣,進(jìn)而由HSMS -2850檢波,得到相應(yīng)的反射功率的直流電壓V2=0 .8V 并,做為差分比例電路的反向輸入;

5)STM32F051K4T6計(jì)算V2/V1=0.67,大于預(yù)設(shè)電壓0.25V,則STM32F051K4T6控制VCO-S-A22輸出工作頻率427MHz,經(jīng)過(guò)上述步驟后得到V2/V1=0.42,依然大于0.25的門(mén)限要求;

6)然后經(jīng)過(guò)7次設(shè)置VCO,其輸出頻率為441MHz時(shí)對(duì)應(yīng)V2/V1=0.2,達(dá)到預(yù)設(shè)門(mén)限,此時(shí)VCO輸出頻率被STM32F051K4T6鎖定。

7)STM32F051K4T6控制功放輸出功率到額定輸出,打開(kāi)連接高速運(yùn)放同相輸入端的PWM輸出,系統(tǒng)保持穩(wěn)定工作。

本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種低成本并且方便實(shí)用的射頻驅(qū)動(dòng)源,且該射頻驅(qū)動(dòng)源可以根據(jù)需要工作在連續(xù)和脈沖信號(hào)兩種狀態(tài)下,該電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、實(shí)用方便,解決了現(xiàn)有射頻驅(qū)動(dòng)源功耗大、可靠性低、結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)難、系統(tǒng)重量太大等問(wèn)題,為等離子體激發(fā)及光源應(yīng)用等方面提供了高性能易實(shí)現(xiàn)的脈沖射頻驅(qū)動(dòng)源。

實(shí)施例2:

如圖4所示,在圖2的基礎(chǔ)上增加可調(diào)多諧震蕩器,可調(diào)多諧震蕩器連接MCU及預(yù)驅(qū)動(dòng)功率放大器。即利用可調(diào)多諧震蕩器產(chǎn)生PWM信號(hào),可調(diào)多諧震蕩器可以降低MCU選型要求,可以降低系統(tǒng)成本,另外在要求較低的場(chǎng)合可不通過(guò)MCU獨(dú)立使用。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此,本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。

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