本實(shí)用新型涉及中頻電源領(lǐng)域，尤其涉及可控硅中頻電源領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

可控硅中頻電源采用國(guó)際先進(jìn)ISP工業(yè)模塊控制，全數(shù)字化運(yùn)算，硬軟件可靠保護(hù)，功能更加齊全，適應(yīng)于金屬的熔煉、保溫、透熱、金屬熱處理、淬火、燒結(jié)等場(chǎng)合。負(fù)載由感應(yīng)線圈和補(bǔ)償電容器組成，連接成并聯(lián)諧振電路?？煽毓柚蓄l電源的基本工作原理,就是通過一個(gè)三相橋式整流電路,把50 Hz的工頻交流電流整流成直流,再經(jīng)過一個(gè)濾波器(直流電抗器)進(jìn)行濾波,最后經(jīng)逆變器將直流變?yōu)閱蜗嘀蓄l交流以供給負(fù)載,所以這種逆變器實(shí)際上是一只交流-直流-交流變換器?？煽毓桁o止變頻器電路中由變壓器將三相工頻電源降壓后，供給變頻器，在變頻器內(nèi)首先經(jīng)三相橋式半控全波整流后，再經(jīng)電抗器濾波，獲得直流電源，該直流電源經(jīng)單相橋式逆變器變?yōu)轭l率可變的中頻電源，供給感應(yīng)爐。

傳統(tǒng)的可控硅散熱器，采用散熱器平面中心點(diǎn)位置頂針和可控硅平面的中心的凹坑為定位標(biāo)置，對(duì)準(zhǔn)后用拉桿螺栓壓緊。在生產(chǎn)過程中由于頂針直徑只有1~2mm高0.5~1mm，壓制時(shí)易發(fā)生中心偏離，造成散熱面接觸不好，影響散熱效果，易損壞可控硅。如果維修需要更換可控硅時(shí)，要將部分連接銅排拆卻，如散熱器頂針磨損，則定位困難極易發(fā)生中心偏離，造成可控硅損壞，存在嚴(yán)重不足。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決以上問題，本實(shí)用新型提供一種可控硅散熱器，其特征在于包括圓柱形器體、2個(gè)圓柱外把；所述圓柱形器體的表面包括有與可控硅相匹配的內(nèi)心凹槽，所述內(nèi)心凹槽的直徑與可控硅接觸面的外部直徑相同；所述內(nèi)心凹槽在某一方向上的橫截面呈圓形，且所述內(nèi)心凹槽、所述器體在某一方向上的橫截面呈2個(gè)同心圓；所述內(nèi)心凹槽圓心處包括有一頂針；所述頂針與可控硅圓心處的凹坑相匹配。所述2個(gè)圓柱形外把位于所述器體的外側(cè)表面。

較佳的，所述內(nèi)心凹槽相對(duì)所述器體下凹0.4-0.7mm，若下凹距離小于0.4mm則凹槽壁太薄，不易固定可控硅，若凹槽壁太厚，則影響可控硅的散熱效果。

較佳的，所述頂針的直徑為1-2mm，高為0.5-1mm，選用常規(guī)頂針即可。

本實(shí)用新型提供的這種可控硅散熱器，在對(duì)可控硅定位時(shí)，通過所述內(nèi)心凹槽、頂針達(dá)到定位的目的。采用中間整體下沉0.4-0.7mm形成與可控硅硅型散熱面直徑相配合的內(nèi)心凹槽，由于有所述內(nèi)心凹槽，所述頂針不易磨損，按裝或維修時(shí)只要將可控硅放入到所述內(nèi)心凹槽內(nèi)即能保證中心定位準(zhǔn)確減少校準(zhǔn)定位時(shí)間，提高了可靠性和工作效率。

附圖說明

圖1為可控硅散熱器示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示的一種可控硅散熱器，包括圓柱形器體1、2個(gè)圓柱外把2。

所述圓柱形器體1的表面包括有與可控硅相匹配的內(nèi)心凹槽3，所述內(nèi)心凹槽3的直徑與可控硅接觸面的外部直徑相同。所述內(nèi)心凹槽3在某一方向上的橫截面呈圓形，且所述內(nèi)心凹槽3、所述器體1在某一方向上的橫截面呈2個(gè)同心圓。所述內(nèi)心凹槽3圓心處包括有一頂針4，所述頂針4與可控硅圓心處的凹坑相匹配；所述2個(gè)圓柱形外把2位于所述器體的外側(cè)表面。

所述內(nèi)心凹槽3相對(duì)所述器體1下凹0.4-0.7mm。所述頂針4的直徑為1-2mm，高為0.5-1mm，為常用規(guī)格。

使用時(shí)，直接將可控硅置于所述可控硅散熱器中，通過所述頂針4與所述內(nèi)心凹槽3達(dá)到限位的作用。

以上僅為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例，故不能依此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即依本實(shí)用新型說明書內(nèi)容所作的等效變化與裝飾，皆應(yīng)屬于本實(shí)用新型覆蓋的范圍內(nèi)。