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硅膠基導(dǎo)熱儲(chǔ)熱片的制作方法

文檔序號(hào):11353170閱讀:857來源:國(guó)知局
硅膠基導(dǎo)熱儲(chǔ)熱片的制造方法與工藝

本實(shí)用新型涉及一種屏蔽導(dǎo)熱件,具體是涉及一種硅膠基導(dǎo)熱儲(chǔ)熱片。



背景技術(shù):

導(dǎo)熱硅膠可廣泛涂覆于各種電子產(chǎn)品,電器設(shè)備中的發(fā)熱體(功率管、可控硅、電熱堆等)與散熱設(shè)施(散熱片、散熱條、殼體等)之間的接觸面,起傳熱媒介作用和防潮、防塵、防腐蝕、防震等性能。硅膠本身具有很好的儲(chǔ)熱功能,但是其導(dǎo)熱是垂直方向的,在快速導(dǎo)熱時(shí),存在一定的不足。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提出一種硅膠基導(dǎo)熱儲(chǔ)熱片,實(shí)現(xiàn)了良好的導(dǎo)熱儲(chǔ)熱的功能。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:

一種硅膠基導(dǎo)熱儲(chǔ)熱片,包括導(dǎo)熱硅膠片,所述導(dǎo)熱硅膠片兩面均敷有一層納米銅碳,所述納米銅碳包括經(jīng)納米工藝處理的納米銅箔、依次形成于所述納米銅箔一側(cè)的用于熱輻射吸收導(dǎo)熱的納米導(dǎo)熱材料涂層及用于實(shí)現(xiàn)絕緣的納米絕緣材料涂層和形成于所述納米銅箔相對(duì)的另一側(cè)的用于增強(qiáng)空間輻射熱的吸收的熱輻射低酸均熱層,所述熱輻射低酸均熱層與所述導(dǎo)熱硅膠片接觸。

進(jìn)一步的,所述導(dǎo)熱硅膠片的厚度為0.5-25mm,所述納米銅碳的厚度為25-75um。

進(jìn)一步的,所述納米銅箔采用電解法制取,其厚度為25-55um,電解過程中,銅的粒度控制在600-800nm。

進(jìn)一步的,所述納米導(dǎo)熱涂層包含55-75%固含量的膨脹石墨粉,所述納米導(dǎo)熱涂層的厚度為3-5um。

進(jìn)一步的,所述納米絕緣材料涂層包含45-60%固含量的氮化硼,所述納米絕緣材料涂層厚度為0.5-2.5um。

進(jìn)一步的,所述熱輻射低酸均熱層包含25-45%固含量的氮化硼及45-65%固含量的石墨粉,所述熱輻射低酸均熱層的厚度為1-3um。

進(jìn)一步的,所述導(dǎo)熱硅膠片的主要性能參數(shù)為:硬度為35-75 Shore 00,耐溫范圍為-35-215C,密度為1.35-1.85g/cm3,介電性能(耐電壓)為>3KV,導(dǎo)熱性能為1.0-2.0W/M-K,自粘性為20-35Pa.s。

本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型提供一種硅膠基導(dǎo)熱儲(chǔ)熱片,通過在導(dǎo)熱硅膠片兩面均復(fù)合涂敷一層納米銅碳,利用納米銅碳在垂直和水平方向的導(dǎo)熱優(yōu)良性,彌補(bǔ)了導(dǎo)熱硅膠的一些不足,同時(shí)結(jié)合硅膠體的厚度優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)熱儲(chǔ)熱的性能。該納米銅碳采用納米銅箔作為導(dǎo)熱基材,并在納米銅箔一側(cè)涂布了用于熱輻射吸收導(dǎo)熱的納米導(dǎo)熱材料涂層及用于實(shí)現(xiàn)絕緣的納米絕緣材料涂層,在納米銅箔另一側(cè)涂布了用于增強(qiáng)空間輻射熱的吸收的熱輻射低酸均熱層,在垂直和水平方向具有良好的導(dǎo)熱性能。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型中硅膠基導(dǎo)熱儲(chǔ)熱片示意圖。

圖2為本實(shí)用新型中納米銅碳結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容,特舉以下實(shí)施例詳細(xì)說明,其目的僅在于更好理解本實(shí)用新型的內(nèi)容而非限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。實(shí)施例附圖的結(jié)構(gòu)中各組成部分未按正常比例縮放,故不代表實(shí)施例中各結(jié)構(gòu)的實(shí)際相對(duì)大小。

如圖1和圖2所示,一種硅膠基導(dǎo)熱儲(chǔ)熱片,包括導(dǎo)熱硅膠片1,所述導(dǎo)熱硅膠片兩面均敷有一層納米銅碳2,所述納米銅碳包括經(jīng)納米工藝處理的納米銅箔21、依次形成于所述納米銅箔一側(cè)的用于熱輻射吸收導(dǎo)熱的納米導(dǎo)熱材料涂層22及用于實(shí)現(xiàn)絕緣的納米絕緣材料涂層23和形成于所述納米銅箔相對(duì)的另一側(cè)的用于增強(qiáng)空間輻射熱的吸收的熱輻射低酸均熱層24,所述熱輻射低酸均熱層與所述導(dǎo)熱硅膠片接觸。這樣,通過在導(dǎo)熱硅膠片兩面均復(fù)合涂敷一層納米銅碳,利用納米銅碳在垂直和水平方向的導(dǎo)熱優(yōu)良性,彌補(bǔ)了導(dǎo)熱硅膠的一些不足,同時(shí)結(jié)合硅膠體的厚度優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)熱儲(chǔ)熱的性能。該納米銅碳采用納米銅箔作為導(dǎo)熱基材,并在納米銅箔一側(cè)涂布了用于熱輻射吸收導(dǎo)熱的納米導(dǎo)熱材料涂層及用于實(shí)現(xiàn)絕緣的納米絕緣材料涂層,在納米銅箔另一側(cè)涂布了用于增強(qiáng)空間輻射熱的吸收的熱輻射低酸均熱層,在垂直和水平方向具有良好的導(dǎo)熱性能。

優(yōu)選的,所述導(dǎo)熱硅膠片的厚度為0.5-25mm,所述納米銅碳的厚度為25-75um。該納米銅碳的厚度結(jié)合硅膠的厚度,可實(shí)現(xiàn)較好的導(dǎo)熱儲(chǔ)熱功能。

優(yōu)選的,所述納米銅箔采用電解法制取,其厚度為25-55um,電解過程中,銅的粒度控制在600-800nm。這樣,通過該納米工藝處理的納米銅箔具有良好的金屬屏蔽性能及導(dǎo)熱導(dǎo)電性能。

優(yōu)選的,所述納米導(dǎo)熱涂層包含55-75%固含量的膨脹石墨粉,所述納米導(dǎo)熱涂層的厚度為3-5um。該納米導(dǎo)熱涂層包含55-75%固含量的膨脹石墨粉,具有較好的熱輻射吸收導(dǎo)熱性能。此外,所述納米導(dǎo)熱涂層可采用35-55%固含量的聚氨酯粘合膠粘體(或環(huán)氧樹脂膠粘體),5-10%固含量的二甲基硅油消泡劑(或聚丙烯酸酯消泡劑),2-4%固含量的9510,9101分散劑等與55-75%固含量的膨脹石墨粉一起組成涂布漿料。

優(yōu)選的,所述納米絕緣材料涂層包含45-60%固含量的氮化硼,所述納米絕緣材料涂層厚度為0.5-2.5um。該納米絕緣材料涂層包含45-60%固含量的氮化硼,具有較好的絕緣性,此外,該納米絕緣材料涂層可采用50-65%固含量的聚氨酯粘合膠粘體(或環(huán)氧樹脂膠粘體),3-8%固含量的二甲基硅油消泡劑(或聚丙烯酸酯消泡劑),2-4%固含量的9510、9101分散劑等與45-60%固含量的一起組成涂布漿料。

優(yōu)選的,所述熱輻射低酸均熱層包含25-45%固含量的氮化硼及45-65%固含量的石墨粉,所述熱輻射低酸均熱層的厚度為1-3um。該熱輻射低酸均熱層包含25-45%固含量的氮化硼及45-65%固含量的石墨粉,具有增強(qiáng)空間輻射熱的吸收的作用,可提升納米銅箔的輻射熱吸收約20-30%的能效。熱輻射低酸均熱層可采用5-8%固含量的二甲基硅油消泡劑(或聚丙烯酸酯消泡劑),3-5%固含量的9510,9101分散劑等與25-45%固含量的氮化硼及45-65%固含量的石墨粉一起組成涂布漿料。

優(yōu)選的,所述導(dǎo)熱硅膠片的主要性能參數(shù)為:硬度為35-75 Shore 00,耐溫范圍為-35-215C,密度為1.35-1.85g/cm3,介電性能(耐電壓)為>3KV,導(dǎo)熱性能為1.0-2.0W/M-K,自粘性為20-35Pa.s。

綜上,本實(shí)用新型提供一種硅膠基導(dǎo)熱儲(chǔ)熱片,通過在導(dǎo)熱硅膠片兩面均復(fù)合涂敷一層納米銅碳,利用納米銅碳在垂直和水平方向的導(dǎo)熱優(yōu)良性,彌補(bǔ)了導(dǎo)熱硅膠的一些不足,同時(shí)結(jié)合硅膠體的厚度優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)熱儲(chǔ)熱的性能。

以上實(shí)施例是參照附圖,對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種形式上的修改或變更,但不背離本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)的情況下,都落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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