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一種用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置的制作方法

文檔序號:11595761閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置,其特征在于:包括有高導(dǎo)銅內(nèi)層和軟鐵外層構(gòu)成的屏蔽罩,所述高導(dǎo)銅內(nèi)層和軟鐵外層之間通過爆炸焊焊接為一體,所述屏蔽罩通過支架可拆卸安裝在被保護(hù)設(shè)備外部,且與被屏蔽設(shè)備有一定的氣隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置,其特征在于:所述的高導(dǎo)銅內(nèi)層作為內(nèi)層屏蔽材料,其采用Cu-OF材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置,其特征在于:所述的軟鐵外層采用DT4A電工純鐵,用于屏蔽靜磁場。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置,其特征在于:所述的屏蔽罩外噴涂有噴漆層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置,其特征在于:所述的支架采用316L無磁不銹鋼加工而成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置,其特征在于:所述的支架與屏蔽罩連接處設(shè)有環(huán)氧墊片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于屏蔽強(qiáng)電磁場及強(qiáng)靜磁場的裝置,其特征在于:所述的屏蔽罩的開口處背向電磁場源及靜磁場源的方向。

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