1.一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，包括封裝在封裝管殼內(nèi)依次連接的輸入匹配電路、N個(gè)GaN芯片和輸出匹配電路；
所述的輸入匹配電路分為兩級(jí)，第一級(jí)為T型匹配網(wǎng)絡(luò)，第二級(jí)為N路功率分配器；
所述的輸出匹配電路分為兩級(jí)，第一級(jí)為T型匹配網(wǎng)絡(luò)，第二級(jí)為N路功率合成器；
所述T型匹配網(wǎng)絡(luò)由N個(gè)第一串聯(lián)電感、匹配電容和第二串聯(lián)電感構(gòu)成的單元組成；第一串聯(lián)電感和第二串聯(lián)電感串聯(lián)，其共接端經(jīng)輸入匹配電容接地；
所述N路功率分配器包括二級(jí)，第一級(jí)由一個(gè)輸入端口導(dǎo)出成兩個(gè)輸出端口，第二級(jí)由兩個(gè)輸出端口導(dǎo)出成N個(gè)輸出端口；
所述N路功率合成器包括二級(jí)，第一級(jí)由N個(gè)輸入端口導(dǎo)出成兩個(gè)輸出端口，第二級(jí)由兩個(gè)輸出端口導(dǎo)出成一個(gè)輸出端口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，所述T型匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗變換Q值設(shè)置有一上限。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，所述T型匹配網(wǎng)絡(luò)中的匹配電容旁設(shè)有微調(diào)電容塊；匹配電容和微調(diào)電容塊通過(guò)鍵合金絲連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，匹配電容中包括兩個(gè)并聯(lián)的匹配電容，兩個(gè)并聯(lián)的匹配電容之間設(shè)有隔離電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，第一串聯(lián)電感、第二串聯(lián)電感均由鍵合金絲實(shí)現(xiàn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，所述N路功率分配器輸出端口的相位不一致性控制在5度以內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，所述N路功率分配器輸出端和功率合成器輸入端設(shè)置有隔離電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN多芯片合成的大功率微波器件防振蕩寬帶匹配電路，其特征是，GaN芯片數(shù)N為不小于4的偶數(shù)。