本實(shí)用新型涉及低壓配電技術(shù)，尤其是涉及一種運(yùn)用于LED驅(qū)動器的功率因素控制電路。

背景技術(shù)：

目前基于ON Semi 芯片NCL30000，應(yīng)用臨界導(dǎo)電模式（CrM）反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以單段式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提供高功率因素，其固定導(dǎo)通時間產(chǎn)生正弦與輸入電流相位相同，從而在線路周期維持恒定導(dǎo)通時間，但是因?yàn)楣潭▽?dǎo)通在使用美國工業(yè)照明電壓277V 時，功率因素低于0.9，不能符合能源之星在工業(yè)照明電壓277V或者更高時功率因素大于0.9的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對上述問題，本實(shí)用新型提供了一種控制電路，該控制電路能夠滿足LED驅(qū)動器在90-305V輸入電壓時都能滿足功率因素在0.9以上的要求。

本實(shí)用新型為解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種控制電路，包括比較器U1，所述比較器U1的電源端與基準(zhǔn)電源相連，比較器U1的地端接地，其特征在于：所述比較器U1的同相輸入端通過一基準(zhǔn)電壓處理單元與基準(zhǔn)電源相連，比較器U1的反相輸入端通過一輸入分壓電路單元與市電輸入端相連，比較器U1的輸出端通過一電阻R7與MOS管Q3的柵極相連，所述MOS管Q3的源極接地，MOS管Q3的漏極通過一電容C6與LED驅(qū)動器的主控芯片U2相連。

進(jìn)一步，所述基準(zhǔn)電壓處理單元包括電容C1，串聯(lián)連接的電阻R1和電阻R2，并聯(lián)連接后一端接地且另一端與電阻R1和電阻R2的連接端相連的穩(wěn)壓二極管D1和電容C2，電阻R1的另一端與比較器U1的同相輸入端相連，電阻R2的另一端與基準(zhǔn)電源相連，所述比較器U1的同相輸入端通過電容C1接地。

進(jìn)一步，所述輸入分壓電路單元包括二極管D2，電容C3和C4，電阻R3、R4、R5和R6，所述二極管D2的陰極與所述比較器U1的反相輸入端相連，二極管D2的陽極通過電阻R6連接至市電輸入端，電阻R4并聯(lián)在二極管D2的兩端，所述比較器U1的反相輸入端還分別通過電阻R3和電容C4接地，所述二極管D2的陽極分別通過電阻R4和電容C3接地。

本實(shí)用新型的有益效果是：本控制電路連接在LED驅(qū)動器控制芯片的CT 上，利用此CT功能，當(dāng)輸入母線電壓高時，導(dǎo)通時間還是不變，功率因素低的原理，通過本控制電路，使母線電壓高時改變其導(dǎo)通時間來達(dá)到高功率因素；本控制電路能夠滿足LED驅(qū)動器在90-305V輸入電壓時功率因素達(dá)到0.9以上的要求。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單說明。顯然，所描述的附圖只是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得的其他設(shè)計方案和附圖：

圖1為本實(shí)用新型電路原理圖；

圖2為應(yīng)用了本實(shí)用新型的LED驅(qū)動器電路原理圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合實(shí)施例和附圖對本實(shí)用新型的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果進(jìn)行清楚、完整地描述，以充分地理解本實(shí)用新型的目的、特征和效果。顯然，所描述的實(shí)施例只是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例，基于本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的其他實(shí)施例，均屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

參照圖1至圖2，一種控制電路，包括比較器U1，所述比較器U1的電源端與基準(zhǔn)電源相連，比較器U1的地端接地，其特征在于：所述比較器U1的同相輸入端通過一基準(zhǔn)電壓處理單元與基準(zhǔn)電源相連，比較器U1的反相輸入端通過一輸入分壓電路單元與市電輸入端相連，比較器U1的輸出端通過一電阻R7與MOS管Q3的柵極相連，所述MOS管Q3的源極接地，MOS管Q3的漏極通過一電容C6與LED驅(qū)動器的主控芯片U2的CT引腳相連。利用此CT功能，當(dāng)輸入母線電壓高時，導(dǎo)通時間還是不變，功率因素低的原理，通過本控制電路，使母線電壓高時改變其導(dǎo)通時間來達(dá)到高功率因素。

進(jìn)一步，所述基準(zhǔn)電壓處理單元包括電容C1，串聯(lián)連接的電阻R1和電阻R2，并聯(lián)連接后一端接地且另一端與電阻R1和電阻R2的連接端相連的穩(wěn)壓二極管D1和電容C2，電阻R1的另一端與比較器U1的同相輸入端相連，電阻R2的另一端與基準(zhǔn)電源相連，所述比較器U1的同相輸入端通過電容C1接地。

進(jìn)一步，所述輸入分壓電路單元包括二極管D2，電容C3和C4，電阻R3、R4、R5和R6，所述二極管D2的陰極與所述比較器U1的反相輸入端相連，二極管D2的陽極通過電阻R6連接至市電輸入端，電阻R4并聯(lián)在二極管D2的兩端，所述比較器U1的反相輸入端還分別通過電阻R3和電容C4接地，所述二極管D2的陽極分別通過電阻R4和電容C3接地。

本實(shí)用新型的工作原理為：基準(zhǔn)電壓處理單元提供比較基準(zhǔn)電壓給比較器U1的同向輸入端，輸入分壓電路單元將獲取的市電電壓輸入給比較器U1反相輸入端進(jìn)行電壓比較，當(dāng)輸入市電電壓高大于等于277V時比較器U1輸出端為低電平，MOS管Q3不導(dǎo)通，電容C6斷開，由C9來決定導(dǎo)通時間，當(dāng)輸入市電電壓低于90V時比較器輸出端輸出高電平，Q3導(dǎo)通，使CT電容增加，使其在90-305V輸入電壓都能滿足功率因素在0.9以上。

所述上述實(shí)施例是對本實(shí)用新型的上述內(nèi)容作進(jìn)一步的說明，但不應(yīng)將此理解為本實(shí)用新型上述主題的范圍僅限于上述實(shí)施例，凡基于上述內(nèi)容所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本實(shí)用新型的范圍。