1.轉(zhuǎn)換速率可控的半導(dǎo)體電源保護開關(guān)，其特征在于，包括電源、PMOS管負載開關(guān)、使能開關(guān)、速率轉(zhuǎn)換控制器、微控制器，所述電源與PMOS管負載開關(guān)的源極連接，PMOS管負載開關(guān)的漏極與負載連接，PMOS管負載開關(guān)的柵極與速率轉(zhuǎn)換控制器連接，所述使能開關(guān)與速率轉(zhuǎn)換控制器連接，所述微控制器與速率轉(zhuǎn)換控制器連接；所述PMOS管負載開關(guān)用于控制浪涌電流；所述速率轉(zhuǎn)換控制器用于控制PMOS管負載開關(guān)，所述使能開關(guān)用于控制速率轉(zhuǎn)換控制器的工作狀態(tài)，所述微控制器用于調(diào)節(jié)速率轉(zhuǎn)換控制器的速率轉(zhuǎn)換的快慢。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換速率可控的半導(dǎo)體電源保護開關(guān)，其特征在于，所述速率轉(zhuǎn)換控制器包括振蕩器、門驅(qū)動器、參考電流發(fā)生器，所述振蕩器與參考電流發(fā)生器連接，所述振蕩器與門驅(qū)動器連接，所述參考電流發(fā)生器與門驅(qū)動器連接；所述使能開關(guān)連接在振蕩器與參考電流發(fā)生器連接的線路上，所述微控制器連接在門驅(qū)動器上，所述PMOS管負載開關(guān)的柵極與門驅(qū)動器連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)換速率可控的半導(dǎo)體電源保護開關(guān)，其特征在于，所述門驅(qū)動器包括場效應(yīng)管M1、場效應(yīng)管M2、場效應(yīng)管M3，所述場效應(yīng)管M2的柵極與振蕩器的一根時鐘線CLKB連接，所述場效應(yīng)管M3的柵極與使能開關(guān)連接，場效應(yīng)管M1的柵極與振蕩器的另一根時鐘線CLK連接，場效應(yīng)管M2的漏極與場效應(yīng)管M3的源極連接，場效應(yīng)管M2的源極與場效應(yīng)管M1的源極連接，場效應(yīng)管M1的漏極與場效應(yīng)管M3的漏極連接，所述參考電流發(fā)生器連接在場效應(yīng)管M1與場效應(yīng)管M2連接的線路上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的轉(zhuǎn)換速率可控的半導(dǎo)體電源保護開關(guān)，所述振蕩器的兩根時鐘線產(chǎn)生的兩個時鐘信號中，其中一個時鐘信號的占空比近似為整個時鐘周期的1％，該時鐘信號的占空比決定了時鐘信號的開啟上升時間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)換速率可控的半導(dǎo)體電源保護開關(guān)，其特征在于，所述速率轉(zhuǎn)換控制器包括緩沖器、場效應(yīng)管M4、場效應(yīng)管M5、場效應(yīng)管M6、場效應(yīng)管M7、場效應(yīng)管M8、場效應(yīng)管M9，所述場效應(yīng)管M4的柵極和場效應(yīng)管M5的柵極連接，所述場效應(yīng)管M4的源極與場效應(yīng)管M6的漏極連接，所述場效應(yīng)管M4的漏極與場效應(yīng)管M5的漏極連接；所述場效應(yīng)管M6的源極接地，且自身的漏極與自身的源極連接；所述場效應(yīng)管M6的柵極與場效應(yīng)管M7的柵極連接，場效應(yīng)管M7的柵極與自身的漏極連接，場效應(yīng)管M7的漏極與場效應(yīng)管M8的漏極連接，所述場效應(yīng)管M8的源極與場效應(yīng)管M9的源極連接，所述場效應(yīng)管M9的柵極與場效應(yīng)管的柵極連接，所述場效應(yīng)管M9的漏極與微控制器連接，場效應(yīng)管M9的柵極與自身的漏極連接；場效應(yīng)管M7的源極與場效應(yīng)管M6的源極連接；所述場效應(yīng)管M5的源極連接在場效應(yīng)管M8的源極與場效應(yīng)管M9的源極連接的線路上。