本公開涉及發(fā)光元件、顯示裝置、發(fā)光元件的制造方法以及發(fā)光元件的發(fā)光特性的恢復(fù)方法。

背景技術(shù)：

1、近年來，作為包含量子點(diǎn)的發(fā)光元件的qled(quantum?dot?light?emittingdiode:量子點(diǎn)發(fā)光二極管)的顯示裝置從能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗化、薄型化及高畫質(zhì)化等方面出發(fā)，備受關(guān)注。

2、例如，在專利文獻(xiàn)1中記載了在含有氟的納米晶粒、即核和殼的至少一部分含有氟的量子點(diǎn)。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1:日本國(guó)公開專利公報(bào)“特開2015-147726號(hào)公報(bào)”

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

2、已知包含配體的量子點(diǎn)隨著時(shí)間的經(jīng)過一部分配體從量子點(diǎn)脫離，這樣的配體脫離雖然存在程度的差異，但無(wú)論是有機(jī)配體、還是氟等鹵素配體都會(huì)同樣地發(fā)生這樣的配體脫離。

3、因此，在專利文獻(xiàn)1記載的具備含氟量子點(diǎn)作為發(fā)光層的發(fā)光元件以及具備所述發(fā)光元件的顯示裝置的情況下，存在難以確保包含量子點(diǎn)的發(fā)光層的長(zhǎng)期可靠性，并且不能避免隨著時(shí)間的經(jīng)過而產(chǎn)生的包含量子點(diǎn)的發(fā)光層的發(fā)光特性(發(fā)光效率)降低的問題。

4、本公開的一方面鑒于上述問題點(diǎn)而作出，其目的在于，提供能夠?qū)崿F(xiàn)改善包含量子點(diǎn)的發(fā)光層的長(zhǎng)期可靠性以及恢復(fù)降低的發(fā)光特性(發(fā)光效率)的發(fā)光元件、顯示裝置、發(fā)光元件的制造方法以及發(fā)光元件的發(fā)光特性的恢復(fù)方法。

5、用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

6、為了解決上述問題，本公開的發(fā)光元件包括:第一電極；第二電極；以及發(fā)光層，設(shè)置于所述第一電極與所述第二電極之間，所述發(fā)光層包含量子點(diǎn)以及熔點(diǎn)為200℃以下的金屬鹵化物。

7、為了解決上述問題，本公開的顯示裝置包括包含所述發(fā)光元件的顯示面板以及驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路基于從外部輸入的圖像信號(hào)，在所述第一電極與所述第二電極之間以在第一電流密度范圍內(nèi)被選擇的電流密度流過電流，使所述發(fā)光層以與所述選擇的電流密度對(duì)應(yīng)的亮度發(fā)光，所述金屬鹵化物的熔點(diǎn)高于在所述第一電極與所述第二電極之間以所述被選擇的電流密度流過電流的情況下所述發(fā)光元件的溫度。

8、為了解決上述問題，本公開的顯示裝置包括:顯示面板，包含所述發(fā)光元件；以及加熱部，使所述發(fā)光元件的溫度比所述金屬鹵化物的熔點(diǎn)高。

9、為了解決上述問題，本公開的發(fā)光元件的制造方法包括形成發(fā)光層的工序，該發(fā)光層含有量子點(diǎn)以及熔點(diǎn)為200℃以下的金屬鹵化物。

10、為了解決所述課題，本公開的發(fā)光元件的發(fā)光特性的恢復(fù)方法中，所述發(fā)光元件通過所述發(fā)光元件的制造方法制造，所述恢復(fù)方法包括使所述金屬鹵化物熔融的工序。

11、有益效果

12、根據(jù)本公開的一方面，提供能夠?qū)崿F(xiàn)改善包含量子點(diǎn)的發(fā)光層的長(zhǎng)期可靠性以及恢復(fù)降低的發(fā)光特性(發(fā)光效率)的發(fā)光元件、顯示裝置、發(fā)光元件的制造方法以及發(fā)光元件的發(fā)光特性的恢復(fù)方法。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層是所述量子點(diǎn)和所述金屬鹵化物混合在一層中的層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層含有熔點(diǎn)為50℃以下的有機(jī)配體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬鹵化物的帶隙為所述量子點(diǎn)的帶隙以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬鹵化物的帶隙小于所述量子點(diǎn)的帶隙的3倍值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬鹵化物的帶隙為3.4ev以上且5.3ev以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述金屬鹵化物的熔點(diǎn)高于50℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層包含所述金屬鹵化物以及與所述金屬鹵化物不同種類的第二金屬鹵化物。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件，其特征在于，在所述第一電極與所述第二電極之間，以30ma/cm2以上的電流密度流過電流。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括顯示面板以及驅(qū)動(dòng)電路，該顯示面板包含權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的所述發(fā)光元件，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路在所述第一電極與所述第二電極之間，以在第二電流密度范圍中被選擇的電流密度流過電流，使所述發(fā)光元件的溫度比所述金屬鹵化物的熔點(diǎn)高，其中，所述第二電流密度范圍具有比所述第一電流密度范圍大的值。

13.一種顯示裝置，包括：

14.一種發(fā)光元件的制造方法，其包括形成發(fā)光層的工序，該發(fā)光層含有量子點(diǎn)以及熔點(diǎn)為200℃以下的金屬鹵化物。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述發(fā)光層的工序中，使用包含所述量子點(diǎn)、所述金屬鹵化物以及溶劑的量子點(diǎn)溶液形成所述發(fā)光層。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，形成所述發(fā)光層的工序包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，還包括使所述金屬鹵化物熔融的工序。

18.一種發(fā)光元件的發(fā)光特性的恢復(fù)方法，所述發(fā)光元件是通過權(quán)利要求14至17中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件的制造方法制造的發(fā)光元件，所述恢復(fù)方法包含使所述金屬鹵化物熔融的工序。

技術(shù)總結(jié)
發(fā)光元件(5R)具備第一電極(22)、第二電極(25)和設(shè)置在第一電極(22)與第二電極(25)之間的發(fā)光層(24REM)，發(fā)光層(24REM)包含量子點(diǎn)(RQD)和熔點(diǎn)為200℃以下的金屬鹵化物(MHa)。

技術(shù)研發(fā)人員：土江貴洋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：夏普顯示科技株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9