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采用雙層壓電材料的具有增強(qiáng)功率處理能力的體聲波諧振器設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):40583941發(fā)布日期:2025-01-07 20:23閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一壓電層(110)的所述聲阻抗與所述第二壓電層(120)的所述聲阻抗的比值在0.8至1.2的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一壓電層(110)的厚度(d1)和所述第二壓電層(120)的厚度(d2)在0.3λ至0.7λ的范圍內(nèi),其中,λ是諧振時(shí)的聲波波長(zhǎng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一壓電層(110)的所述厚度(d1)和所述第二壓電層(120)的所述厚度(d2)在100nm至1100nm的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述聲波諧振器設(shè)備(100)用于在3ghz至10ghz的頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。

6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述聲波諧振器設(shè)備(100)用于在所述聲波諧振器設(shè)備(100)的第二復(fù)合板厚度諧振下運(yùn)行。

7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一壓電層(110)和所述第二壓電層(120)中的至少一個(gè)來(lái)自3m點(diǎn)群。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述正壓縮c軸alscn層和所述負(fù)壓縮c軸alscn層是al(1–x)scxn層,其中,x>0.2。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述alscn層生長(zhǎng)在所述linbo3層上,所述linbo3層是單晶層。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一壓電層(110)是第一linbo3層,所述第二壓電層(120)是第二linbo3層,或者反之亦然,所述第一linbo3層和所述第二linbo3層具有在153°至173°范圍或–7°至–27°范圍中的任一范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)y切,并且所述第一linbo3層具有相對(duì)于所述第二linbo3層的x軸旋轉(zhuǎn)180°的x軸。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一壓電層(110)是具有第一旋轉(zhuǎn)y切的第一linbo3層,所述第二壓電層(120)是具有第二旋轉(zhuǎn)y切的第二linbo3層,或者反之亦然,其中,所述第一旋轉(zhuǎn)y切相對(duì)于所述第二旋轉(zhuǎn)y切繞linbo3層晶體的x軸旋轉(zhuǎn)180°,或者反之亦然。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一linbo3層具有在26°至46°范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)y切,所述第二linbo3層具有在–134°至–154°范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)y切。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一linbo3層具有在153°至173°范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)y切,所述第二linbo3層具有在–7°至–27°范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)y切。

15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一linbo3層具有相對(duì)于所述第二linbo3層的所述x軸旋轉(zhuǎn)0°、60°、90°、120°或180°的x軸。

16.根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一linbo3層和所述第二linbo3層是單晶層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第一linbo3層通過(guò)鍵合附接在所述第二linbo3層上,或者反之亦然。

18.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述第二壓電層(120)與布拉格反射鏡(150)聲耦合,其中,所述布拉格反射鏡(150)包括具有不同聲阻抗的多個(gè)交替層(160)。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的聲波諧振器設(shè)備(100),其特征在于,所述多個(gè)交替層(160)布置在支撐襯底(170)上,并與所述支撐襯底(170)聲耦合。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種用于激勵(lì)體聲波(bulk?acoustic?wave,BAW)的具有增強(qiáng)功率處理能力的聲波諧振器設(shè)備(100)。所述聲波諧振器設(shè)備(100)具有復(fù)合壓電片,所述復(fù)合壓電片包括第一壓電層(110)和第二壓電層(120),所述第一壓電層(110)和所述第二壓電層(120)的聲阻抗相同或相似,但是,在給定波偏振時(shí),所述第一壓電層(110)和所述第二壓電層(120)具有相反的相位波激勵(lì)。因此,在給定靜態(tài)電容時(shí),所述復(fù)合壓電片的尺寸可以增加,同時(shí)保持所述聲波諧振器設(shè)備(100)的寬帶寬,從而提高所述聲波諧振器設(shè)備(100)的功率處理能力。

技術(shù)研發(fā)人員:文特西斯拉夫·揚(yáng)切夫
受保護(hù)的技術(shù)使用者:華為技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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