本技術(shù)涉及光電器件，尤其涉及一種光電器件、所述光電器件的制備方法、以及包括所述光電器件的顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、目前廣泛使用的光電器件為有機光電器件(oled)和量子點光電器件(qled)。oled由于其具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡單、超輕薄、相應速度快、寬視角、低功耗、可柔性顯示等十分優(yōu)異的顯示性能，已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域中的主流技術(shù)。qled具有出射光顏色飽、波長可調(diào)、啟亮電壓低、溶液加工性好、量子點易于精細控制等優(yōu)點，而且光致、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高，近年來成了oled的有力競爭著。

2、傳統(tǒng)的oled和qled器件結(jié)構(gòu)一般包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。在電場的作用下，光電器件的陽極產(chǎn)生的空穴和陰極產(chǎn)生的電子發(fā)生移動，分別向空穴傳輸層和電子傳輸層注入，最終遷移到發(fā)光層，當二者在發(fā)光層相遇時，產(chǎn)生能量激子，從而激發(fā)發(fā)光分子最終產(chǎn)生可見光。

3、現(xiàn)有的光電器件的效率較低，有待進一步提高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)提供一種光電器件，旨在改善現(xiàn)有的光電器件效率較低的問題。

2、本技術(shù)實施例是這樣實現(xiàn)的，一種光電器件，包括相對設(shè)置的第一電極和第二電極、以及設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的空穴傳輸層，所述光電器件還包括界面層，所述界面層設(shè)置在所述第一電極與所述空穴傳輸層之間，所述界面層中包括二維三氧化鉬。

3、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述空穴傳輸層的材料包括金屬氧化物顆粒，所述金屬氧化物顆粒包括摻雜型金屬氧化物顆粒和非摻雜型金屬氧化物顆粒中的一種或多種，所述非摻雜型金屬氧化物顆粒的材料包括niox、moo3、v2o5、cro3、cuo中的一種或多種，所述摻雜型金屬氧化物顆粒中包括金屬氧化物和摻雜元素，所述金屬氧化物包括niox、moo3、v2o5、cro3、cuo中的一種或多種，所述摻雜元素包括ga、li、mg、mn、f、cl、br、i、al、k中的一種或多種。

4、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述金屬氧化物顆粒的平均粒徑為4～10nm；和/或

5、所述摻雜型金屬氧化物顆粒中，所述摻雜元素的質(zhì)量分數(shù)為1～20％；和/或

6、所述二維三氧化鉬的片徑為50～300nm；和/或

7、所述二維三氧化鉬的平均片徑為80nm；和/或

8、所述二維三氧化鉬的片狀結(jié)構(gòu)的厚度為3～10nm；和/或

9、所述二維三氧化鉬的片狀結(jié)構(gòu)的平均厚度為6nm；和/或

10、所述界面層的厚度為3～10nm。

11、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述光電器件還包括發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)置在所述第一電極與所述界面層之間，或者，所述發(fā)光層設(shè)置在所述第二電極與所述空穴傳輸層之間。

12、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述界面層由所述二維三氧化鉬組成。

13、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述第一電極和所述第二電極分別獨立包括摻雜金屬氧化物電極、復合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬單質(zhì)電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物電極的材料包括銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅、鋁摻雜氧化鎂、鎘摻雜氧化鋅中的一種或多種，所述復合電極包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、ca/al、lif/ca、lif/al、baf2/al、csf/al、caco3/al、baf2/ca/al，所述金屬單質(zhì)電極的材料包括ag、ni、pt、au、ir、cu、mo、al、ca、mg及ba中的一種或多種，所述合金電極包括au:mg合金電極和ag:mg合金電極中的一種或多種；和/或

14、所述發(fā)光層的材料為有機發(fā)光材料或量子點發(fā)光材料，所述有機發(fā)光材料包括4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、ttpx熒光材料、tbrb熒光材料、dbp熒光材料、延遲熒光材料、tta材料、熱活化延遲材料、含有b-n共價鍵合的聚合物、雜化局域電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)材料、激基復合物發(fā)光材料、聚乙炔及其衍生物、聚對苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的一種或多種；所述量子點發(fā)光材料包括單一結(jié)構(gòu)量子點、核殼結(jié)構(gòu)量子點及鈣鈦礦型半導體材料中的一種或多種，所述單一結(jié)構(gòu)量子點的材料、核殼結(jié)構(gòu)量子點的核材料及核殼結(jié)構(gòu)量子點的殼層材料分別獨立選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的一種或多種，所述ii-vi族化合物包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的一種或多種，所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的一種或多種，所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的一種或多種，所述i-iii-vi族化合物包括cuins2、cuinse2及agins2中的一種或多種；所述鈣鈦礦型半導體材料包括摻雜或非摻雜的無機鈣鈦礦型半導體或有機-無機雜化鈣鈦礦型半導體，所述無機鈣鈦礦型半導體的結(jié)構(gòu)通式為amx3，其中a為cs+離子，m為二價金屬陽離子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一種或多種，x為鹵素陰離子，包括cl-、br-、i-中的一種或多種；所述有機-無機雜化鈣鈦礦型半導體的結(jié)構(gòu)通式為bmx3，其中b為有機胺陽離子，包括ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m為二價金屬陽離子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一種或多種，x為鹵素陰離子，包括cl-、br-、i-中的一種或多種；和/或

15、所述光電器件還包括空穴注入層，所述空穴注入層設(shè)置在所述第一電極與所述界面層之間或者所述第二電極與所述空穴傳輸層之間，所述空穴注入層的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、pedot、pedot:pss、pedot:pss摻有s-moo3的衍生物、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、酞菁銅、氧化鎳、氧化鉬、氧化鎢、氧化釩、硫化鉬、硫化鎢及氧化銅中的一種或多種；和/或

16、所述光電器件還包括電子傳輸層，所述電子傳輸層設(shè)置在所述第一電極與所述發(fā)光層之間、或者所述第二電極與所述發(fā)光層之間，所述電子傳輸層的材料包括無機電子傳輸材料和有機電子傳輸材料中的一種或多種，所述無機電子傳輸材料包括金屬氧化物、摻雜金屬氧化物、iib-via族半導體材料、iiia-va族半導體材料及ib-iiia-via族半導體材料中的一種或多種，所述金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一種或多種；所述摻雜金屬氧化物中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一種或多種，所述摻雜金屬氧化物中的摻雜物包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga、sn中的一種或幾種；所述iib-via族半導體材料包括zns、znse、cds中的一種或多種；所述iiia-va族半導體材料包括inp、gap中的一種或多種；所述ib-iiia-via族半導體材料包括cuins、cugas中的一種或多種；所述有機電子傳輸材料包括喹喔啉化合物、咪唑類化合物、三嗪類化合物、含芴類化合物、羥基喹啉化合物中的一種或多種。

17、相應的，本技術(shù)實施例還提供一種光電器件的制備方法，包括如下步驟：

18、提供光電器件預制件，所述光電器件預制件包括第一電極；

19、提供二維三氧化鉬，將所述二維三氧化鉬設(shè)置在所述光電器件預制件上，形成界面層；

20、在所述界面層上制備空穴傳輸層，所述空穴傳輸層中包括金屬氧化物顆粒；

21、在所述空穴傳輸層上形成第二電極，得到光電器件。

22、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極，所述在所述空穴傳輸層上形成第二電極包括：在所述空穴傳輸層上依次形成層疊的發(fā)光層和第二電極；或者

23、所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極，所述光電器件預制件還包括設(shè)置在所述第一電極上的發(fā)光層；或者

24、所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極，所述光電器件預制件還包括設(shè)置在所述第一電極上的空穴注入層；或者

25、所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極，所述光電器件預制件還包括層疊設(shè)置在所述第一電極上的電子傳輸層和發(fā)光層；或者

26、所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極，所述在所述空穴傳輸層上形成第二電極包括：在所述空穴傳輸層上依次形成層疊的發(fā)光層、電子傳輸層和第二電極；或者

27、所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極，所述光電器件預制件還包括設(shè)置在所述第一電極上的發(fā)光層，所述在所述空穴傳輸層上依次形成第二電極包括：在所述空穴傳輸層上形成層疊的空穴注入層和第二電極。

28、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述將所述二維三氧化鉬設(shè)置在所述光電器件預制件上，形成界面層包括：將所述二維三氧化鉬溶于第一溶劑中，得到二維三氧化鉬分散液，將所述二維三氧化鉬分散液通過溶液法設(shè)置在所述光電器件預制件上，形成二維三氧化鉬液膜，對所述二維三氧化鉬液膜進行退火，得到界面層。

29、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述第一溶劑包括乙醇、甲醇、丁醇、n,n-二甲基甲酰胺中的一種或多種；和/或

30、所述二維三氧化鉬分散液的濃度為3～8mg/ml；和/或

31、所述對所述二維三氧化鉬液膜進行退火的溫度為60～120℃，時間為5～15min。

32、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述二維三氧化鉬的制備方法包括：

33、提供鉬鹽和第二溶劑，混合，得到鉬鹽溶液；

34、提供過氧化物溶液，將所述過氧化物溶液與所述鉬鹽溶液混合，得到三氧化鉬顆粒分散液；

35、向所述三氧化鉬顆粒分散液中加入插層劑，超聲剝離，得到二維三氧化鉬。

36、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述鉬鹽包括無機鉬鹽和有機鉬鹽中的一種或多種，所述無機鉬鹽包括鉬酸銨、2-乙基己酸鉬鹽、鉬酸鈉、鉬酸鉀及其水合物中的一種或多種，所述有機鉬鹽包括乙酰丙酮鉬；和/或

37、所述第二溶劑包括甲醇、乙醇、丁醇、n,n-二甲基甲酰胺中的一種或多種；和/或

38、所述過氧化物溶液中的過氧化物包括h2o2、na2o2和k2o2中的一種或多種；和/或

39、所述插層劑包括正丁基鋰、叔丁基鋰和n-甲基吡咯烷酮中的一種或多種；和/或

40、所述鉬鹽中的mo與所述過氧化物溶液中的過氧化物的摩爾比為1：(0.2～1)；和/或

41、所述鉬鹽溶液中，鉬鹽的濃度為0.01～0.1m；和/或

42、所述過氧化物溶液的質(zhì)量濃度為10～50％；和/或

43、所述三氧化鉬顆粒中的mo與所述插層劑的摩爾比為1：(0.1～1)；和/或

44、所述超聲處理的功率為200～800w；和/或

45、所述超聲處理的時間為6～10h。

46、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述在所述界面層上制備空穴傳輸層的方法包括：提供金屬氧化物顆粒分散液，將所述金屬氧化物顆粒分散液設(shè)置在所述界面層上，得到第一液膜，對所述第一液膜進行退火，得到空穴傳輸層；或者

47、所述在所述界面層上制備空穴傳輸層的方法包括：提供金屬氧化物顆粒的前驅(qū)體溶液，將所述金屬氧化物顆粒的前驅(qū)體溶液設(shè)置在所述界面層上，得到第二液膜，對所述第二液膜進行退火，使金屬氧化物顆粒的前驅(qū)體反應形成金屬氧化物顆粒，得到空穴傳輸層。

48、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述金屬氧化物顆粒的前驅(qū)體溶液包括金屬氫氧化物溶液，所述金屬氫氧化物溶液中的金屬氫氧化物包括ni(oh)2、mo(oh)6、v(oh)5、cr(oh)6、cu(oh)2中的一種或多種；和/或

49、所述對所述第一液膜進行退火的溫度為100～250℃，時間為15～120min；和/或

50、所述對所述第二液膜進行退火的溫度為100～250℃，時間為15～120min。

51、相應的，本技術(shù)實施例還提供一種顯示裝置，包括權(quán)利上述光電器件。

52、本技術(shù)所述的光電器件中包括所述界面層，所述界面層具有較強的粘附強度，如此，將所述空穴傳輸層設(shè)置在所述界面層上，可以優(yōu)化空穴傳輸層與相鄰層之間的界面接觸質(zhì)量，從而有效改善空穴傳輸層與與相鄰層之間的界面接觸效果，減少金屬氧化物顆粒與與相鄰層直接接觸所形成的孔洞，降低漏電流，增強空穴有效注入，從而提升光電器件的效率。