本技術(shù)涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光器件及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光器件通過電子與空穴復合釋放能量發(fā)光，在照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。近年來，量子點(qds)因具有熒光量子產(chǎn)率高、單色性佳、發(fā)射光譜隨尺寸連續(xù)可調(diào)、光化學穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性強的優(yōu)點引起了產(chǎn)學研界的廣泛關(guān)注。以量子點作為發(fā)光層所構(gòu)筑的量子點發(fā)光器件(quantum?dot?light?emitting?diodes，qled)因其具有低成本、高亮度、廣色域、優(yōu)異的可溶液加工等諸多優(yōu)點已成為了最活躍的科學研究主題之一，在下一代平板顯示和固態(tài)照明應(yīng)用中表現(xiàn)出極具競爭潛力。

2、雖然說，qled顯示技術(shù)是從oled(organic?light-emitting?diode)繼承并發(fā)展而來的，可以通過借鑒oled中已有的理論應(yīng)用到qled中，來提升器件的性能。但由于量子點是納米材料，在與其他功能層相搭配時，材料的種類、自身的結(jié)構(gòu)設(shè)計和成膜質(zhì)量、量子點材料與其他功能層間的膜層界面注入勢壘、材料自身老化衰減等方面都表現(xiàn)出巨大差異，導致實際加工過程中，當采用不同量子點時，器件內(nèi)會出現(xiàn)截然不同的載流子傳輸情況，加劇了qled器件優(yōu)化的難度，導致qled器件的發(fā)光效率和壽命難以同時得到提升，極大地限制了其發(fā)展。因此，針對差異性較大的量子點材料，亟需開發(fā)出更具有針對性的高性能發(fā)光器件。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于此，本技術(shù)提供一種發(fā)光器件及顯示裝置，旨在同時提升發(fā)光器件的發(fā)光效率和使用壽命。

2、本技術(shù)實施例是這樣實現(xiàn)的：

3、第一方面，本技術(shù)提供一種發(fā)光器件，依次層疊設(shè)置的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、陰極，其中，所述發(fā)光層的材料包括熒光量子產(chǎn)率為30％～70％的量子點，所述發(fā)光層的厚度為所述量子點的平均粒徑的0.8n～1..2n倍，n為大于等于3的整數(shù)；

4、所述空穴傳輸層的材料的遷移率為10×10-3～100×10-3cm2/vs。

5、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述空穴傳輸層的材料的遷移率為15×10-3～40×10-3cm2/vs。

6、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述空穴傳輸層與所述發(fā)光層的能級差的絕對值為0.1～1.6ev。

7、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述空穴傳輸層的材料的homo能級為-5ev～-6ev。

8、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述空穴傳輸層的材料包括t5dp2,7、tbpys中的任意一種，t5dp2,7具有如式(ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)式，tbpys具有如式(ⅱ)所示的結(jié)構(gòu)式。

9、

10、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述量子點的熒光量子產(chǎn)率為30％～70％。

11、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，n小于等于10；

12、和/或，所述量子點的平均粒徑為5～8nm；

13、和/或，所述量子點為核殼結(jié)構(gòu)量子點，且所述量子點具有自內(nèi)而外的第一殼層和第二殼層，其中，所述第一殼層的材料為znse，所述第二殼層的材料為cdzns；

14、和/或，所述量子點的核材料選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一種；所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一種；所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一種；所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一種；所述i-iii-vi族化合物選自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一種。

15、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述第一殼層的厚度與所述量子點的核的半徑的比值為0.5～2:1；和/或，

16、所述第二殼層的厚度與所述量子點的核的半徑的比值為0.4～2:1。

17、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述發(fā)光器件還包括設(shè)于所述陰極和所述發(fā)光層之間的電子傳輸層；

18、所述電子傳輸層的材料的遷移率為0.05×10-3～0.2×10-3cm2/vs；

19、和/或，所述電子傳輸層的材料包括金屬氧化物、摻雜金屬氧化物中的一種或多種；所述金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro、al2o3、wo3、hfo3、ta2o3、zrsio4、batio3、bazro3中的一種或多種；所述摻雜金屬氧化物中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro、al2o3、wo3、hfo3、ta2o3、zrsio4、batio3、bazro3中的多種，摻雜元素包括al、mg、li、in、ga、cd、cs、cu中的一種或多種；

20、和/或，所述電子傳輸層的材料的平均粒徑為2～12nm。

21、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述陽極和所述陰極各自獨立的選自摻雜金屬氧化物顆粒電極、金屬與金屬氧化物的復合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物顆粒電極的材料選自銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂中的一種或多種，所述金屬與金屬氧化物的復合電極選自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns，所述金屬電極的材料選自ag、al、cu、mo、au、pt、si、ca、mg及ba中的一種或多種；和/或，

22、所述發(fā)光器件還包括設(shè)于所述陽極和所述發(fā)光層之間的空穴注入層，所述空穴注入層的材料包括聚(亞乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸鹽、聚[(9,9'-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(對丁基苯基))二苯胺)]、多芳基胺、聚(n-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、n,n,n',n'-四(4-甲氧基苯基)-聯(lián)苯胺、4-雙[n-(1-萘基)-n-苯基-氨基]聯(lián)苯、4,4',4”-三[苯基(間-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基環(huán)己烷、摻雜有四氟-四氰基-醌二甲烷的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺、p-摻雜酞菁、f4-tcnq摻雜的n,n′-二苯基-n,n′-二(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4″-二胺、六氮雜苯并菲-己腈中的一種或多種。

23、可選的，在本技術(shù)的一些實施例中，所述陽極的厚度為20～200nm；和/或，

24、所述陰極的厚度為40～190nm；和/或，

25、所述空穴傳輸層的厚度為30～180nm；和/或，

26、所述電子傳輸層的厚度為20～180nm；和/或，

27、所述發(fā)光器件還包括設(shè)于所述陽極和所述空穴傳輸層之間的空穴注入層，所述空穴注入層的厚度為20～200nm。

28、第二方面，本技術(shù)還提出一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上文所述的發(fā)光器件。

29、本技術(shù)提供的技術(shù)方案，當發(fā)光層采用的材料為發(fā)光層設(shè)置為三層或三層以上量子點構(gòu)建的多層膜時，搭配材料空穴遷移率為10×10-3～100×10-3cm2/vs的空穴傳輸層，有助于增強空穴注入，克服多層膜存在的隧穿勢壘較大的問題，提升載流子在器件中的有效注入，改善空穴和電子的注入平衡，從而提升器件的效率和壽命。