本公開實施例涉及但不限于存儲，具體涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)是一種半導(dǎo)體存儲器，和靜態(tài)存儲器相比，dram存儲器具有結(jié)構(gòu)較為簡單、制造成本較低、容量密度較高的優(yōu)點，隨著技術(shù)的發(fā)展，dram存儲器的應(yīng)用日益廣泛。

2、在含有垂直溝道晶體管(vertical?channel?transistor，vct)的半導(dǎo)體器件(例如dram器件)制備過程中，需要對很厚的單晶硅基底進(jìn)行大量的化學(xué)機(jī)械研磨工序，才能磨至需要的厚度，這不僅需要較長的工序周期，且造成大量單晶硅的損耗，成本過高，嚴(yán)重制約該制程的技術(shù)發(fā)展。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、以下是對本公開詳細(xì)描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

2、第一方面，本公開實施例提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件的制造方法包括：

3、提供半導(dǎo)體層；

4、對所述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化工藝，形成沿第一方向延伸的多個間隔設(shè)置的第一凹槽和墻體；

5、在所述第一凹槽的底部形成剝離層；

6、在所述墻體的頂部形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層；

7、采用倒裝芯片鍵合的方式，將所述半導(dǎo)體層上形成有所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的一側(cè)與基底鍵合；

8、使所述剝離層發(fā)生斷裂，將所述第一凹槽的底部與所述墻體剝離；

9、使所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層形成位線，使所述多個墻體分別形成半導(dǎo)體柱，所述半導(dǎo)體柱包含第一電極、溝道和第二電極。

10、在示例性實施例中，在所述第一凹槽的底部形成剝離層包括：

11、在所述多個墻體和所述第一凹槽上形成阻擋薄膜；

12、刻蝕去除所述第一凹槽底部上的阻擋薄膜；

13、采用刻蝕工藝，對所述第一凹槽的底部進(jìn)行刻蝕，使所述墻體與所述半導(dǎo)體層連接處形成支撐柱；

14、采用電子回旋共振低溫氮化工藝，使所述支撐柱形成具有高應(yīng)力的氮化物。

15、在示例性實施例中，使所述支撐柱形成具有高應(yīng)力的氮化物之后，還包括：

16、采用原子層沉積工藝，在所述支撐柱的側(cè)壁上沉積高應(yīng)力薄膜，以在所述第一凹槽的底部形成具有一個或多個孔洞的剝離層。

17、在示例性實施例中，所述高應(yīng)力薄膜的材料與所述支撐柱形成的氮化物相同。

18、在示例性實施例中，所述支撐柱側(cè)壁的中部為向所述支撐柱內(nèi)側(cè)凹陷的弧狀結(jié)構(gòu)；所述剝離層中的多個孔洞沿著平行于所述半導(dǎo)體層所在平面的方向間隔設(shè)置，相鄰所述孔洞之間設(shè)置有所述剝離層的材料。

19、在示例性實施例中，通過熱處理工藝或者紫外光照射，使所述剝離層發(fā)生斷裂。

20、在示例性實施例中，在所述墻體的頂部形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層，包括：

21、在所述墻體的頂部依次形成第一金屬層、第二阻擋層、導(dǎo)電層、第一阻擋層以及第二金屬層；

22、其中，所述第一金屬層、所述第二阻擋層、所述導(dǎo)電層、所述第一阻擋層以及所述第二金屬層形成所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層。

23、在示例性實施例中，在所述墻體的頂部形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層之前，還包括：

24、在所述墻體的頂部形成至少一層過渡層；其中，所述過渡層包括硅元素。

25、在示例性實施例中，采用倒裝芯片鍵合的方式，將所述半導(dǎo)體層上形成有所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)層的一側(cè)與基底鍵合包括：

26、在所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述墻體的一側(cè)形成第一鍵合層；或者，使所述第二金屬層作為第一鍵合層；

27、在所述基底上形成第二鍵合層；

28、采用倒裝芯片鍵合的方式，將所述第一鍵合層與所述第二鍵合層鍵合。

29、第二方面，本公開實施例還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括基底，設(shè)置在所述基底表面一側(cè)的位線以及設(shè)置在所述位線遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的半導(dǎo)體柱，所述基底表面為平坦面，所述半導(dǎo)體柱沿著垂直于所述基底方向延伸，所述半導(dǎo)體柱包括第一電極、溝道和第二電極，所述第一電極與所述位線電連接。

30、在示例性實施例中，還包括第一金屬層、第二阻擋層、第一阻擋層以及第二金屬層，所述第二阻擋層設(shè)置在所述位線靠近所述基底一側(cè)，所述第一金屬層設(shè)置在所述第二阻擋層靠近所述基底一側(cè)，所述第一阻擋層設(shè)置在所述位線遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)，所述第二金屬層設(shè)置在所述第一阻擋層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)。

31、在示例性實施例中，還包括第一鍵合層，所述第一鍵合層設(shè)置在所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)，或者，所述第二金屬層作為所述第一鍵合層。

32、在示例性實施例中，還包括至少一層過渡層，所述過渡層設(shè)置在所述位線與所述半導(dǎo)體柱之間，所述位線通過所述過渡層與所述半導(dǎo)體柱電連接，所述過渡層包括硅元素。

33、在示例性實施例中，所述位線為線狀，所述位線包括位于靠近所述基底一側(cè)的底面，所述底面在所述位線的延伸方向上呈平坦?fàn)睢?/p>

34、第三方面，本公開實施例還提供了電子設(shè)備，包括前述的半導(dǎo)體器件。

35、本技術(shù)實施例半導(dǎo)體器件的制備過程通過在半導(dǎo)體層的第一凹槽的底部形成剝離層，在將半導(dǎo)體層與基底鍵合后，使剝離層剝離，進(jìn)而可以再次利用剝離出的半導(dǎo)體層，節(jié)省半導(dǎo)體層的材料，減小損耗。

36、本技術(shù)實施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過使所述墻體與所述半導(dǎo)體層連接處形成支撐柱，并使支撐柱形成具有高應(yīng)力的氮化物，從而使剝離層容易被剝離。

37、本技術(shù)實施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過沉積高應(yīng)力薄膜，使所述高應(yīng)力薄膜和所述支撐柱形成具有一個或多個孔洞的剝離層，從而使剝離層容易被剝離。

38、本技術(shù)實施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過形成所述第一阻擋層和所述第二阻擋層，用于封裝保護(hù)導(dǎo)電層，具有隔離氧氣的作用。

39、本技術(shù)實施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過形成所述第一金屬層和所述第二金屬層，使第一金屬層能夠?qū)⒌诙钃鯇优c其他膜層更好的粘接在一起，使第二金屬層能夠?qū)⒌谝蛔钃鯇优c其他膜層更好的粘接在一起，并且，所述第二金屬層可以作為第一鍵合層，與基底上的第二鍵合層鍵合。

40、本技術(shù)實施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過采用倒裝芯片鍵合的方式，使位線轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體柱的底部與基底表面之間，使位線具有均勻緊密的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，電阻小，避免位線出現(xiàn)空洞，提高了位線的導(dǎo)電性。

41、本技術(shù)實施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過采用倒裝芯片鍵合的方式，方便離子注入墻體以形成半導(dǎo)體柱的第一電極、溝道和第二電極，解決半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)制造過程中，離子注入難的問題。

42、本技術(shù)實施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過采用至少一層過渡層，使位線通過過渡層與半導(dǎo)體柱電連接，降低位線與半導(dǎo)體柱的接觸電阻，使位線與半導(dǎo)體柱形成歐姆接觸，極大地改善了位線的電學(xué)性能。

43、本技術(shù)半導(dǎo)體器件的制造方法具有良好的工藝兼容性，工藝實現(xiàn)簡單，易于實施，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，良品率高。

44、在閱讀并理解了附圖和詳細(xì)描述后，可以明白其他方面。