本公開涉及顯示，尤其涉及一種發(fā)光基板及其制備方法、發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

1、量子點(quantum?dot，qd)作為新型的發(fā)光材料，具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色可調(diào)、使用壽命長等優(yōu)點，成為目前新型led(light?emitting?diode，發(fā)光二極管)發(fā)光材料的研究熱點。因此，以量子點材料作為發(fā)光層的量子點發(fā)光二極管(quantumdot?light?emitting?diodes，qled)成為目前新型顯示器件研究的主要方向。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的實施例的目的在于提供一種發(fā)光基板及其制備方法、發(fā)光裝置，用于解決量子點發(fā)光材料形成的殘留層會造成混色的問題。

2、為達到上述目的，本公開的實施例提供了如下技術(shù)方案：

3、一方面，提供一種發(fā)光基板；所述發(fā)光基板包括襯底和多個發(fā)光器件，多個發(fā)光器件設(shè)置于襯底上，并沿第一方向排布設(shè)置，第一方向與襯底所在平面平行；多個發(fā)光器件中的每個發(fā)光器件包括：第一電極、第二電極、以及設(shè)置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光圖案；多個發(fā)光器件包括：至少一個第一發(fā)光器件，至少一個第一發(fā)光器件中的每個第一發(fā)光器件包括：第一發(fā)光圖案，以及設(shè)置于襯底和第一發(fā)光圖案之間的第一載流子傳輸層和第一載流子注入層；第一載流子傳輸層相對第一載流子注入層更靠近第一發(fā)光圖案；其中，第一發(fā)光圖案的材料包括：第一交聯(lián)發(fā)光材料；第一載流子傳輸層的材料包括：第一交聯(lián)載流子傳輸材料；第一載流子注入層的材料包括：第一交聯(lián)載流子注入材料。

4、與相關(guān)技術(shù)中采用直接光刻法實現(xiàn)量子點發(fā)光材料的圖案化相比，通過將在光輻照下可發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的材料作為兩層前膜層(即第一載流子傳輸層和第一載流子注入層)材料的設(shè)置，一方面，可以使兩層前膜層作為雙犧牲層對第一量子點材料位于除第一發(fā)光器件所在區(qū)域以外的其余區(qū)域的部分去除，從而可以避免第一量子點材料在除第一發(fā)光器件所在區(qū)域以外的其余區(qū)域形成殘留，進而可以解決相關(guān)技術(shù)中下一種顏色的發(fā)光圖案的靠近襯底的一側(cè)有上一種顏色的量子點發(fā)光材料殘留，從而造成混色的問題。另一方面，由于形成第一載流子傳輸層的第一初始載流子傳輸層，是與形成第一發(fā)光圖案的第一初始發(fā)光圖案相接觸的膜層，且第一初始載流子傳輸層會在除第一發(fā)光器件所在區(qū)域以外的其余區(qū)域殘留形成第二臨時殘留層，本技術(shù)可以通過顯影去除第二臨時殘留層，可以避免第二臨時殘留層在多個發(fā)光器件中除第一發(fā)光器件外的其他發(fā)光器件所在區(qū)域的殘留，如此，可以進一步解決混色的問題，避免出現(xiàn)發(fā)光光譜不純的問題，器件性能可以得到有效提升。

5、在一些實施例中，多個發(fā)光器件還包括至少一個第二發(fā)光器件；至少一個第二發(fā)光器件中的每個第二發(fā)光器件包括：第二發(fā)光圖案，以及設(shè)置于襯底和第二發(fā)光圖案之間的第二犧牲層組，第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層；其中，第二發(fā)光圖案的材料包括：第二交聯(lián)發(fā)光材料；第二載流子傳輸層的材料包括：第二交聯(lián)載流子傳輸材料。

6、在一些實施例中，第二犧牲層組還包括：第二載流子注入層；第二載流子注入層位于第二載流子傳輸層的靠近襯底的一側(cè)，第二載流子注入層的材料包括：第二交聯(lián)載流子注入材料。

7、在一些實施例中，多個發(fā)光器件還包括至少一個第三發(fā)光器件；至少一個第三發(fā)光器件中的每個第三發(fā)光器件包括：第三發(fā)光圖案，以及設(shè)置于襯底和第三發(fā)光圖案之間的第三犧牲層組，第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層；其中，第三發(fā)光圖案的材料包括：第三交聯(lián)發(fā)光材料；第三載流子傳輸層的材料包括：第三交聯(lián)載流子傳輸材料。

8、在一些實施例中，第三犧牲層組還包括第三載流子注入層；第三載流子注入層位于第三載流子傳輸層的靠近襯底的一側(cè)，第三載流子注入層的材料包括：第三交聯(lián)載流子注入材料。

9、在一些實施例中，第一交聯(lián)發(fā)光材料通過第一量子點材料在光輻射下交聯(lián)生成；第一量子點材料在第一溶劑中的溶解度，大于第一交聯(lián)發(fā)光材料在第一溶劑中的溶解度；或，第一交聯(lián)發(fā)光材料通過第一量子點材料和第一光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成；第一量子點材料和第一光敏材料在第一溶劑中的溶解度，大于第一交聯(lián)發(fā)光材料在第一溶劑中的溶解度。

10、第一交聯(lián)載流子傳輸材料通過第一載流子傳輸材料在光輻射下交聯(lián)生成，第一載流子傳輸材料在第二溶劑中的溶解度，大于第一交聯(lián)載流子傳輸材料在第二溶劑中的溶解度；或，第一交聯(lián)載流子傳輸材料通過第一載流子傳輸材料和第二光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成，第一載流子傳輸材料和第二光敏材料在第二溶劑中的溶解度，大于第一交聯(lián)載流子傳輸材料在第二溶劑中的溶解度。

11、第一交聯(lián)載流子注入材料通過第一載流子注入材料在光輻射下交聯(lián)生成，第一載流子注入材料在第三溶劑中的溶解度，大于第一交聯(lián)載流子注入材料在第三溶劑中的溶解度；或，第一交聯(lián)載流子注入材料通過第一載流子注入材料和第三光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成，第一載流子注入材料和第三光敏材料在第三溶劑中的溶解度，大于第一交聯(lián)載流子注入材料在第三溶劑中的溶解度。

12、在一些實施例中，第二交聯(lián)發(fā)光材料通過第二量子點材料在光輻射下交聯(lián)生成；第二量子點材料在第四溶劑中的溶解度，大于第二交聯(lián)發(fā)光材料在第四溶劑中的溶解度；或，第二交聯(lián)發(fā)光材料通過第二量子點材料和第四光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成；第二量子點材料和第四光敏材料在第四溶劑中的溶解度，大于第二交聯(lián)發(fā)光材料在第四溶劑中的溶解度。

13、第二交聯(lián)載流子傳輸材料通過第二載流子傳輸材料在光輻射下交聯(lián)生成，第二載流子傳輸材料在第五溶劑中的溶解度，大于第二交聯(lián)載流子傳輸材料在第五溶劑中的溶解度；或，第二交聯(lián)載流子傳輸材料通過第二載流子傳輸材料和第五光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成，第二載流子傳輸材料和第五光敏材料在第五溶劑中的溶解度，大于第二交聯(lián)載流子傳輸材料在第五溶劑中的溶解度。

14、在一些實施例中，第二交聯(lián)載流子注入材料通過第二載流子注入材料在光輻射下交聯(lián)生成，第二載流子注入材料在第六溶劑中的溶解度，大于第二交聯(lián)載流子注入材料在第六溶劑中的溶解度，或，第二交聯(lián)載流子注入材料通過第二載流子注入材料和第六光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成，第二載流子注入材料和第六光敏材料在第六溶劑中的溶解度，大于第二交聯(lián)載流子注入材料在第六溶劑中的溶解度。

15、在一些實施例中，第三交聯(lián)發(fā)光材料通過第三量子點材料在光輻射下交聯(lián)生成；第三量子點材料在第七溶劑中的溶解度，大于在第三交聯(lián)發(fā)光材料第七溶劑中的溶解度；或，第三交聯(lián)發(fā)光材料通過第三量子點材料和第七光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成；第三量子點材料和第七光敏材料在第七溶劑中的溶解度，大于在第三交聯(lián)發(fā)光材料第七溶劑中的溶解度。

16、第三交聯(lián)載流子傳輸材料通過第三載流子傳輸材料在光輻射下交聯(lián)生成，第三載流子傳輸材料在第八溶劑中的溶解度，大于第三交聯(lián)載流子傳輸材料在第八溶劑中的溶解度；或，第三交聯(lián)載流子傳輸材料通過第三載流子傳輸材料和第八光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成，第三載流子傳輸材料和第八光敏材料在第八溶劑中的溶解度，大于第三交聯(lián)載流子傳輸材料在第八溶劑中的溶解度。

17、在一些實施例中，第三交聯(lián)載流子注入材料通過第三載流子注入材料在光輻射下交聯(lián)生成，第三載流子注入材料在第九溶劑中的溶解度，大于第三交聯(lián)載流子注入材料在第九溶劑中的溶解度；或，第三交聯(lián)載流子注入材料通過第三載流子注入材料和第九光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成，第三載流子注入材料和第九光敏材料在第九溶劑中的溶解度，大于第三交聯(lián)載流子注入材料在第九溶劑中的溶解度。

18、在一些實施例中，至少一個第一發(fā)光器件被配置為發(fā)射第一波長的光；至少一個第一發(fā)光器件中的每個第一發(fā)光器件還包括：第一圖案層和第二圖案層，第一圖案層設(shè)置于第一發(fā)光圖案遠離襯底的一側(cè)，第二圖案層設(shè)置于第一圖案層遠離襯底的一側(cè)，第一發(fā)光圖案、第一圖案層和第二圖案層依次接觸。

19、在一些實施例中，在第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層的情況下，第一圖案層的厚度小于第二載流子傳輸層的厚度；在第二交聯(lián)載流子傳輸材料通過第二載流子傳輸材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第一圖案層的材料包括：第二載流子傳輸材料；或者，在第二交聯(lián)載流子傳輸材料通過第二載流子傳輸材料和第五光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第一圖案層的材料包括：第二載流子傳輸材料和第五光敏材料；或，

20、在第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層和第二載流子注入層的情況下，第一圖案層的厚度小于第二載流子注入層的厚度；在第二交聯(lián)載流子注入材料通過第二載流子注入材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第一圖案層的材料包括：第二載流子注入材料；或者，在第二交聯(lián)載流子注入材料通過第二載流子注入材料和第六光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第一圖案層的材料包括：第二載流子注入材料和第六光敏材料。

21、在一些實施例中，在第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層的情況下，第二圖案層的厚度小于第三載流子傳輸層的厚度；在第三交聯(lián)載流子傳輸材料通過第三載流子傳輸材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第二圖案層的材料包括：第三載流子傳輸材料；或者，在第三交聯(lián)載流子傳輸材料通過第三載流子傳輸材料和第八光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第二圖案層的材料包括：第三載流子傳輸材料和第八光敏材料；或，

22、在第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層和第三載流子注入層的情況下，第二圖案層的厚度小于第三載流子注入層的厚度；在第三交聯(lián)載流子注入材料通過第三載流子注入材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第二圖案層的材料包括：第三載流子注入材料；或者，在第三交聯(lián)載流子注入材料通過第三載流子注入材料和第九光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第二圖案層的材料包括：第三載流子注入材料和第九光敏材料。

23、在一些實施例中，至少一個第二發(fā)光器件被配置為發(fā)射第二波長的光；至少一個第二發(fā)光器件還包括：第三圖案層和第四圖案層，第三圖案層設(shè)置于第二犧牲層組靠近襯底的一側(cè)，第四圖案層設(shè)置于第二發(fā)光圖案遠離襯底的一側(cè)，第三圖案層、第二犧牲層組、第二發(fā)光圖案和第四圖案層依次接觸。

24、在一些實施例中，第三圖案層的厚度小于第一載流子注入層的厚度；第三圖案層的材料包括第一交聯(lián)載流子注入材料。

25、在第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層的情況下，第四圖案層的厚度小于第三載流子傳輸層的厚度；在第三交聯(lián)載流子傳輸材料通過第三載流子傳輸材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第四圖案層的材料包括：第三載流子傳輸材料；或者，在第三交聯(lián)載流子傳輸材料通過第三載流子傳輸材料和第八光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第四圖案層的材料包括：第三載流子傳輸材料和第八光敏材料；或，

26、在第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層和第三載流子注入層的情況下，第四圖案層的厚度小于第三載流子注入層的厚度；在第三交聯(lián)載流子注入材料通過第三載流子注入材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第四圖案層的材料包括：第三載流子注入材料；或者，在第三交聯(lián)載流子注入材料通過第三載流子注入材料和第九光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第四圖案層的材料包括：第三載流子注入材料和第九光敏材料。

27、在一些實施例中，至少一個第三發(fā)光器件被配置為發(fā)射第三波長的光；至少一個第三發(fā)光器件還包括：第五圖案層和第六圖案層，第六圖案層設(shè)置于第三犧牲層組靠近襯底的一側(cè)，第五圖案層設(shè)置于第六圖案層靠近襯底的一側(cè)，第三犧牲層組、第六圖案層和第五圖案層依次接觸。

28、在一些實施例中，第五圖案層的厚度小于第一載流子注入層的厚度；第五圖案層的材料包括：第一交聯(lián)載流子注入材料。在第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層的情況下，第六圖案層的厚度小于第二載流子傳輸層的厚度；第六圖案層的材料包括：第二交聯(lián)載流子傳輸材料?；?，在第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層和第二載流子注入層的情況下，第六圖案層的厚度小于第二載流子注入層的厚度；第六圖案層的材料包括：第二交聯(lián)載流子注入材料。

29、在一些實施例中，至少一個第一發(fā)光器件被配置為發(fā)射第一波長的光，第一波長的光為紅色光。至少一個第二發(fā)光器件被配置為發(fā)射第二波長的光，第二波長的光為綠色光。至少一個第三發(fā)光器件被配置為發(fā)射第三波長的光，第三波長的光為藍色光。

30、在一些實施例中，發(fā)光基板還包括：像素界定層，像素界定層上設(shè)置有多個開口，多個發(fā)光器件一一對應(yīng)地設(shè)置于多個開口中。像素界定層遠離襯底的一側(cè)設(shè)置有：第七圖案層、第八圖案層和第九圖案層，第七圖案層、第八圖案層和第九圖案層沿遠離襯底的方向依次設(shè)置，且第七圖案層、第八圖案層和第九圖案層依次接觸。

31、在一些實施例中，第七圖案層的厚度小于第一載流子注入層的厚度；在第一交聯(lián)載流子注入材料通過第一載流子注入材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第七圖案層的材料包括第一載流子注入材料；或者，在第一交聯(lián)載流子注入材料通過第一載流子注入材料和第三光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第七圖案層的材料包括第一載流子注入材料和第三光敏材料。

32、在第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層的情況下，第八圖案層的厚度小于第二載流子傳輸層的厚度。在第二交聯(lián)載流子傳輸材料通過第二載流子傳輸材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第八圖案層的材料包括：第二載流子傳輸材料。或者，在第二交聯(lián)載流子傳輸材料通過第二載流子傳輸材料和第五光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第八圖案層的材料包括：第二載流子傳輸材料和第五光敏材料。或，

33、在第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層和第二載流子注入層的情況下，第八圖案層的厚度小于第二載流子注入層的厚度；在第二交聯(lián)載流子注入材料通過第二載流子注入材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第八圖案層的材料包括：第二載流子注入材料；或者，在第二交聯(lián)載流子注入材料通過第二載流子注入材料和第六光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第八圖案層的材料包括：第二載流子注入材料和第六光敏材料。

34、在一些實施例中，在第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層的情況下，第九圖案層的厚度小于第三載流子傳輸層的厚度。在第三交聯(lián)載流子傳輸材料通過第三載流子傳輸材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第九圖案層的材料包括第三載流子傳輸材料?；蛘撸诘谌宦?lián)載流子傳輸材料通過第三載流子傳輸材料和第八光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第九圖案層的材料包括第三載流子傳輸材料和第八光敏材料?；?，

35、在第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層和第三載流子注入層的情況下，第九圖案層的厚度小于第三載流子注入層的厚度；在第三交聯(lián)載流子注入材料通過第三載流子注入材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第九圖案層的材料包括：第三載流子注入材料；或者，在第三交聯(lián)載流子注入材料通過第三載流子注入材料和第九光敏材料在光輻射下交聯(lián)生成的情況下，第九圖案層的材料包括：第三載流子注入材料和第九光敏材料。

36、在一些實施例中，第一交聯(lián)發(fā)光材料、第二交聯(lián)發(fā)光材料和第三交聯(lián)發(fā)光材料中的任一種包括如下通式(i-a)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

37、

38、第一交聯(lián)發(fā)光材料、第二交聯(lián)發(fā)光材料和第三交聯(lián)發(fā)光材料中的任一種包括如下通式(i-b)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

39、

40、第一交聯(lián)發(fā)光材料、第二交聯(lián)發(fā)光材料和第三交聯(lián)發(fā)光材料中的任一種包括如下通式(i-c)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

41、

42、其中，l1選自單鍵、酯鍵、醚鍵和硫醚鍵中的任一種。r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8分別獨立的選自氫鍵、含有c1～c40的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基、c3～c40的環(huán)烷基、c3～c40的雜環(huán)烷基、c6～c40的芳基和c6～c40的雜芳基中的任一種。qd表示量子點本體中的任一種；量子點本體包括：ii-vi族量子點、iii-v族量子點、ⅳ-vi族量子點、核殼結(jié)構(gòu)的量子點和abx3型鈣鈦礦量子點中的任一種；abx3型鈣鈦礦量子點中a為ch3nh3+、nh2ch＝nh2和cs+中的一種或多種，b為pb2+和sn2+中的一種或兩種，x為cl-、br-和i-中的一種或多種，abx3型鈣鈦礦量子點包括ch3nh3pbbr3、ch3nh3pbcl3、ch3nh3pbi3、cspbbr3、cspbcl3和cspbi3。r1'選自r1去除羧基、氨基和巰基中的一個氫的剩余結(jié)構(gòu)中的任一種；r1選自含有c1～c40碳鏈的羧基、含有c1～c40碳鏈的氨基和含有c1～c40碳鏈的巰基中的任一種；羧基、氨基和巰基中的任一種與量子點本體配位連接。a、b、c分別獨立的選自大于或等于2的正整數(shù)。

43、在一些實施例中，第一交聯(lián)載流子傳輸材料、第二交聯(lián)載流子傳輸材料和第三交聯(lián)載流子傳輸材料中的任一種包括如下通式(ii-a)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

44、

45、第一交聯(lián)載流子傳輸材料、第二交聯(lián)載流子傳輸材料和第三交聯(lián)載流子傳輸材料中的任一種包括如下通式(ii-b)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

46、

47、第一交聯(lián)載流子傳輸材料、第二交聯(lián)載流子傳輸材料和第三交聯(lián)載流子傳輸材料中的任一種包括如下通式(ii-c)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

48、

49、其中，l2選自單鍵、酯鍵、醚鍵和硫醚鍵中的任一種。r9、r10、r11、r12和r13分別獨立的選自氫鍵、含有c1～c40的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基、c3～c40的環(huán)烷基、c3～c40的雜環(huán)烷基、c6～c40的芳基和c6～c40的雜芳基中的任一種。x表示第一載流子傳輸材料、第二載流子傳輸材料和第三載流子傳輸材料中的任一種除去c-h鍵的剩余結(jié)構(gòu)；c-h鍵用于與第二類光敏材料的第二光敏基團在光輻射下發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)；第二類光敏材料為第二光敏材料、第五光敏材料、第八光敏材料中的一種。d、e、f分別獨立的選自大于或等于2的正整數(shù)。

50、在一些實施例中，第一交聯(lián)載流子注入材料、第二交聯(lián)載流子注入材料和第三交聯(lián)載流子注入材料中的任一種包括如下通式(iii-a)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

51、

52、第一交聯(lián)載流子注入材料、第二交聯(lián)載流子注入材料和第三交聯(lián)載流子注入材料中的任一種包括如下通式(iii-b)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

53、

54、第一交聯(lián)載流子注入材料、第二交聯(lián)載流子注入材料和第三交聯(lián)載流子注入材料中的任一種包括如下通式(iii-c)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

55、

56、第一交聯(lián)載流子注入材料、第二交聯(lián)載流子注入材料和第三交聯(lián)載流子注入材料中的任一種包括如下通式(iii-d)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

57、

58、第一交聯(lián)載流子注入材料、第二交聯(lián)載流子注入材料和第三交聯(lián)載流子注入材料中的任一種包括如下通式(iii-e)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

59、

60、第一交聯(lián)載流子注入材料、第二交聯(lián)載流子注入材料和第三交聯(lián)載流子注入材料中的任一種包括如下通式(iii-f)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

61、

62、其中，l3和l4分別獨立的選自單鍵、酯鍵、醚鍵和硫醚鍵中的任一種。r14、r15、r16、r17、r18、r19、r20、r21、r22和r23分別獨立的選自氫鍵、含有c1～c40的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基、c3～c40的環(huán)烷基、c3～c40的雜環(huán)烷基、c6～c40的芳基和c6～c40的雜芳基中的任一種。y表示第一載流子注入材料、第二載流子注入材料和第三載流子注入材料中的任一種除去c-h鍵的剩余結(jié)構(gòu)；c-h鍵用于與第三類光敏材料的第三光敏基團在光輻射下發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)；第三類光敏材料為第三光敏材料、第六光敏材料、第九光敏材料中的一種。[m]m-、[q]q-和[u]u-分別獨立的選自有機陰離子和無機陰離子中的任一種；有機陰離子包括苯磺酸根離子、水楊酸根離子、3-羥基-2-萘甲酸根離子；無機陰離子包括氯離子、硫酸根離子、硝酸根離子。[n]n+、[t]t+和[w]z+分別獨立的選自有機陽離子和無機陽離子中的任一種；有機陽離子包括甲胺根離子；無機陽離子包括鈉離子、鉀離子。g、h、i、j、k和v分別獨立的選自大于或等于2的正整數(shù)。m、n、q、t、u和z分別獨立的選自大于或等于1的正整數(shù)。

63、在一些實施例中，第一光敏材料、第四光敏材料和第七光敏材料分別獨立的選自第一類光敏材料中的任一種；第一類光敏材料包括：第一光敏基團，第一光敏基團在光輻射下與量子點材料發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)；量子點材料是第一量子點材料、第二量子點材料和第三量子點材料中的一種。第二光敏材料、第五光敏材料和第八光敏材料分別獨立的選自第二類光敏材料中的任一種；第二類光敏材料包括：第二光敏基團，第二光敏基團在光輻射下與載流子傳輸材料發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)；載流子傳輸材料是第一載流子傳輸材料、第二載流子傳輸材料和第三載流子傳輸材料中的一種。第三光敏材料、第六光敏材料和第九光敏材料分別獨立的選自第三類光敏材料中的任一種；第三類光敏材料包括：第三光敏基團，第三光敏基團在光輻射下與載流子注入材料發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)；載流子注入材料是第一載流子注入材料、第二載流子注入材料和第三載流子注入材料中的一種。并且，第一光敏基團、第二光敏基團和第三光敏基團中的任意兩個，可以相同，也可以不同。

64、在一些實施例中，在波長范圍為200nm～400nm的紫外光下，第三類光敏材料的摩爾消光系數(shù)大于1cm-1(mol/l)-1。

65、在一些實施例中，第一類光敏材料選自如下通式(iv-a)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

66、

67、第一類光敏材料選自如下通式(iv-b)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

68、

69、第一類光敏材料選自如下通式(iv-c)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

70、

71、其中，通式(iv-a)中，二苯甲酮基團為第一光敏基團；通式(iv-b)中，疊氮基團為第一光敏基團；通式(iv-c)中，雙吖丙啶基團為第一光敏基團。l1選自單鍵、酯鍵、醚鍵和硫醚鍵中的任一種；r2、r3、r4、r5、r6、r7和r8分別獨立的選自氫鍵、含有c1～c40的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基、c3～c40的環(huán)烷基、c3～c40的雜環(huán)烷基、c6～c40的芳基和c6～c40的雜芳基中的任一種。a、b、c分別獨立的選自大于或等于2的正整數(shù)。

72、在一些實施例中，第二類光敏材料選自如下通式(v-a)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

73、

74、第二類光敏材料選自如下通式(v-b)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

75、

76、第二類光敏材料選自如下通式(v-c)所示結(jié)構(gòu)中的任一種；

77、

78、其中，通式(v-a)中，二苯甲酮基團為第二光敏基團；通式(v-b)中，疊氮基團為第二光敏基團；通式(v-c)中，雙吖丙啶基團為第二光敏基團。l2選自單鍵、酯鍵、醚鍵和硫醚鍵中的任一種。r9、r10、r11、r12和r13分別獨立的選自氫鍵、含有c1～c40的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基、c3～c40的環(huán)烷基、c3～c40的雜環(huán)烷基、c6～c40的芳基和c6～c40的雜芳基中的任一種。d、e和f分別獨立的選自大于或等于2的正整數(shù)。

79、在一些實施例中，第三類光敏材料選自如下通式(vi-a)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

80、

81、第三類光敏材料選自如下通式(vi-b)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

82、

83、第三類光敏材料選自如下通式(vi-c)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

84、

85、第三類光敏材料選自如下通式(vi-d)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

86、

87、第三類光敏材料選自如下通式(vi-e)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

88、

89、第三類光敏材料選自如下通式(vi-f)所示結(jié)構(gòu)中的任一種。

90、

91、其中，通式(vi-a)和通式(vi-b)中，二苯甲酮基團為第三光敏基團；通式(vi-c)和通式(vi-d)中，疊氮基團為第三光敏基團；通式(vi-e)和通式(vi-f)中，雙吖丙啶基團為第三光敏基團。l3和l4分別獨立的選自單鍵、酯鍵、醚鍵和硫醚鍵中的任一種。r14、r15、r16、r17、r18、r19、r20、r21、r22和r23分別獨立的選自氫鍵、含有c1～c40的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基、c3～c40的環(huán)烷基、c3～c40的雜環(huán)烷基、c6～c40的芳基和c6～c40的雜芳基中的任一種；[m]m-、[q]q-和[u]u-分別獨立的選自有機陰離子和無機陰離子中的任一種；有機陰離子包括苯磺酸根離子、水楊酸根離子、3-羥基-2-萘甲酸根離子；無機陰離子包括氯離子、硫酸根離子、硝酸根離子。[n]n+、[t]t+和[w]z+分別獨立的選自有機陽離子和無機陽離子中的任一種；有機陽離子包括甲胺根離子；無機陽離子包括鈉離子、鉀離子。g、h、i、j、k和v分別獨立的選自大于或等于2的正整數(shù)。m、n、q、t、u和z分別獨立的選自大于或等于1的正整數(shù)。

92、在一些實施例中，r5、r6和r7分別獨立的選自c10～c30的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基、至少有一個氫原子被氟原子取代的c10～c30的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基和至少含有一個醚鍵的c10～c30的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基中的任一種。和/或，r10、r11和r12分別獨立的選自c1-c8的飽和或不飽和的直鏈或支鏈烷基。和/或，r15、r17、r18、r19、r21和r23分別獨立的選自含有酯鍵的c1～c40碳鏈、含有醚鍵的c1～c40碳鏈、含有羰基的c1～c40碳鏈、含有酰胺基的c1～c40碳鏈、含有羧基的c1～c40碳鏈、含有氨基的c1～c40碳鏈和含有醛基的c1～c40碳鏈中的任一種。

93、在一些實施例中，第一量子點材料、第二量子點材料和第三量子點材料中的任一種包括：量子點本體和配位在量子點本體上的第一配體材料；第一配體材料含有碳氫插入基團zh；碳氫插入基團zh被配置為在光輻射下與第一類光敏基團發(fā)生碳氫插入反應(yīng)。和/或，第一載流子傳輸材料、第二載流子傳輸材料和第三載流子傳輸材料中的任一種包括：碳氫插入基團zh；碳氫插入基團zh被配置為在光輻射下與第二類光敏基團發(fā)生碳氫插入反應(yīng)。和/或，第一載流子注入材料、第二載流子注入材料和第三載流子注入材料中的任一種包括：碳氫插入基團zh；碳氫插入基團zh被配置為在光輻射下與第三類光敏基團發(fā)生碳氫插入反應(yīng)。碳氫插入基團zh中，z為伯碳、仲碳和叔碳中的任一種。

94、在一些實施例中，第三溶劑的極性大于第二溶劑的極性；第二溶劑的極性大于第一溶劑的極性。和/或，第六溶劑的極性大于第五溶劑的極性；第五溶劑的極性大于第四溶劑的極性。和/或，第九溶劑的極性大于第八溶劑的極性；第八溶劑的極性大于第七溶劑的極性。

95、在一些實施例中，第一類溶劑為辛烷和丙二醇甲醚醋酸酯中的至少一種；第一類溶劑為第一溶劑、第四溶劑和第七溶劑中的任一種。和/或，第二類溶劑為甲苯、氯苯和二氯甲苯中的至少一種；第二類溶劑為第二溶劑、第五溶劑和第八溶劑中的任一種。和/或，第三類溶劑為水、乙醇、甲醇、n,n-二甲基甲酰胺、n-甲基甲酰胺和二氯亞砜中的至少一種；第三類溶劑為第三溶劑、第六溶劑和第九溶劑中的任一種。

96、在一些實施例中，第一載流子注入層、第二載流子注入層和第三載流子注入層為空穴注入層；第一載流子傳輸層、第二載流子傳輸層和第三載流子傳輸層為空穴傳輸層。

97、另一方面，提供一種發(fā)光基板的制備方法，該制備方法包括：在襯底上形成多個發(fā)光器件。多個發(fā)光器件沿第一方向排布設(shè)置，第一方向與襯底所在平面平行；多個發(fā)光器件中的每個發(fā)光器件包括：第一電極、第二電極、以及設(shè)置于第一電極和第二電極之間的發(fā)光圖案。多個發(fā)光器件包括：至少一個第一發(fā)光器件，至少一個第一發(fā)光器件中的每個第一發(fā)光器件包括：第一發(fā)光圖案，以及設(shè)置于襯底和第一發(fā)光圖案之間的第一載流子傳輸層和第一載流子注入層；第一載流子傳輸層相對第一載流子注入層更靠近第一發(fā)光圖案。其中，第一發(fā)光圖案的材料包括：第一交聯(lián)發(fā)光材料；第一載流子傳輸層的材料包括：第一交聯(lián)載流子傳輸材料；第一載流子注入層的材料包括：第一交聯(lián)載流子注入材料。

98、在一些實施例中，形成至少一個第一發(fā)光器件，包括：在襯底上形成第一電極層；第一電極層包括至少一個第一發(fā)光器件的第一電極。依次在第一電極層的遠離襯底的一側(cè)形成第一初始載流子注入層、第一初始載流子傳輸層、第一初始發(fā)光圖案。其中，第一初始載流子注入層的材料包括第一載流子注入材料，或者，第一載流子注入材料和第三光敏材料。第一初始載流子傳輸層的材料包括第一載流子傳輸材料，或者，第一載流子傳輸材料和第二光敏材料。第一初始發(fā)光圖案的材料包括第一量子點材料，或者，第一量子點材料和第一光敏材料。對層疊的第一初始載流子注入層、第一初始載流子傳輸層、第一初始發(fā)光圖案進行曝光，使第一初始載流子注入層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝唤宦?lián)載流子注入材料，第一初始載流子傳輸層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝唤宦?lián)載流子傳輸材料，第一初始發(fā)光圖案中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝唤宦?lián)發(fā)光材料。對層疊的第一初始載流子注入層、第一初始載流子傳輸層、第一初始發(fā)光圖案進行顯影，形成層疊的第一載流子注入層、第一載流子傳輸層、第一發(fā)光圖案。

99、在一些實施例中，形成至少一個第一發(fā)光器件，包括：在襯底上形成第一電極層；第一電極層包括至少一個第一發(fā)光器件的第一電極。在第一電極層的遠離襯底的一側(cè)形成第一初始載流子注入層；第一初始載流子注入層的材料包括第一載流子注入材料，或者，第一載流子注入材料和第三光敏材料。對第一初始載流子注入層進行曝光，使第一初始載流子注入層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝唤宦?lián)載流子注入材料。依次在第一初始載流子注入層的遠離襯底的一側(cè)形成第一初始載流子傳輸層、第一初始發(fā)光圖案；其中，第一初始載流子傳輸層的材料包括第一載流子傳輸材料，或者，第一載流子傳輸材料和第二光敏材料。第一初始發(fā)光圖案的材料包括第一量子點材料，或者，第一量子點材料和第一光敏材料。對層疊的第一初始載流子傳輸層、第一初始發(fā)光圖案進行曝光，使第一初始載流子傳輸層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝唤宦?lián)載流子傳輸材料，第一初始發(fā)光圖案中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谝唤宦?lián)發(fā)光材料。對層疊的第一初始載流子注入層、第一初始載流子傳輸層、第一初始發(fā)光圖案進行顯影，形成層疊的第一載流子注入層、第一載流子傳輸層、第一發(fā)光圖案。

100、在一些實施例中，該制備方法用于制備上述一些實施例所述的發(fā)光器件(例如是用于制備如圖3a所示的發(fā)光基板)。在襯底上形成多個發(fā)光器件還包括：形成至少一個第二發(fā)光器件，以及形成至少一個第三發(fā)光器件。

101、其中，在多個發(fā)光器件還包括至少一個第二發(fā)光器件，且至少一個第二發(fā)光器件中的每個第二發(fā)光器件包括第二犧牲層組，第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層的情況下，形成至少一個第二發(fā)光器件，包括：依次在第一電極層和至少一個第一發(fā)光器件的遠離襯底的一側(cè)形成第二初始載流子傳輸層、第二初始發(fā)光圖案；其中，第二初始載流子傳輸層的材料包括第二載流子傳輸材料，或者，第二載流子傳輸材料和第五光敏材料；第二初始發(fā)光圖案的材料包括第二量子點材料，或者，第二量子點材料和第四光敏材料。對層疊的第二初始載流子傳輸層、第二初始發(fā)光圖案進行曝光，使第二初始載流子傳輸層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙宦?lián)載流子傳輸材料，第二初始發(fā)光圖案中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙宦?lián)發(fā)光材料。對層疊的第二初始載流子傳輸層、第二初始發(fā)光圖案進行顯影，形成層疊的第二載流子傳輸層、第二發(fā)光圖案。

102、在多個發(fā)光器件還包括至少一個第三發(fā)光器件，且至少一個第三發(fā)光器件中的每個第三發(fā)光器件包括第三犧牲層組，第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層和第三載流子注入層的情況下，形成至少一個第三發(fā)光器件，包括：依次在第一電極層、至少一個第一發(fā)光器件和至少一個第二發(fā)光器件的遠離襯底的一側(cè)形成第三初始載流子傳輸層、第三初始發(fā)光圖案；其中，第三初始載流子傳輸層的材料包括第三載流子傳輸材料，或者，第三載流子傳輸材料和第八光敏材料；第三初始發(fā)光圖案的材料包括第三量子點材料，或者，第三量子點材料和第七光敏材料。對層疊的第三初始載流子傳輸層、第三初始發(fā)光圖案進行曝光，使第三初始載流子傳輸層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌宦?lián)載流子傳輸材料，第三初始發(fā)光圖案中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌宦?lián)發(fā)光材料。對層疊的第三初始載流子傳輸層、第三初始發(fā)光圖案進行顯影，形成層疊的第三載流子傳輸層、第三發(fā)光圖案。

103、在一些實施例中，該制備方法用于制備上述一些實施例所述的發(fā)光器件(例如是用于制備如圖3b所示的發(fā)光基板)。在襯底上形成多個發(fā)光器件還包括：至少一個第二發(fā)光器件，以及形成至少一個第三發(fā)光器件。

104、其中，在多個發(fā)光器件還包括至少一個第二發(fā)光器件，且至少一個第二發(fā)光器件中的每個第二發(fā)光器件包括第二犧牲層組，第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層和第二載流子注入層的情況下，形成至少一個第二發(fā)光器件，包括：依次在第一電極層和至少一個第一發(fā)光器件的遠離襯底的一側(cè)形成第二初始載流子注入層、第二初始載流子傳輸層、第二初始發(fā)光圖案。其中，第二初始載流子注入層的材料包括第二載流子注入材料，或者，第二載流子注入材料和第六光敏材料。第二初始載流子傳輸層的材料包括第二載流子傳輸材料，或者，第二載流子傳輸材料和第五光敏材料。第二初始發(fā)光圖案的材料包括第二量子點材料，或者，第二量子點材料和第四光敏材料。對層疊的第二初始載流子注入層、第二初始載流子傳輸層、第二初始發(fā)光圖案進行曝光，使第二初始載流子注入層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙宦?lián)載流子注入材料，第二初始載流子傳輸層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙宦?lián)載流子傳輸材料，第二初始發(fā)光圖案中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙宦?lián)發(fā)光材料。對層疊的第二初始載流子注入層、第二初始載流子傳輸層、第二初始發(fā)光圖案進行顯影，形成層疊的第二載流子注入層、第二載流子傳輸層、第二發(fā)光圖案。

105、在多個發(fā)光器件還包括至少一個第三發(fā)光器件，且至少一個第三發(fā)光器件中的每個第三發(fā)光器件包括第三犧牲層組，第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層和第三載流子注入層的情況下，形成至少一個第三發(fā)光器件，包括：依次在第一電極層、至少一個第一發(fā)光器件和至少一個第二發(fā)光器件的遠離襯底的一側(cè)形成第三初始載流子注入層、第三初始載流子傳輸層、第三初始發(fā)光圖案。其中，第三初始載流子注入層的材料包括第三載流子注入材料，或者，第三載流子注入材料和第九光敏材料。第三初始載流子傳輸層的材料包括第三載流子傳輸材料，或者，第三載流子傳輸材料和第八光敏材料。第三初始發(fā)光圖案的材料包括第三量子點材料，或者，第三量子點材料和第七光敏材料。對層疊的第三初始載流子注入層、第三初始載流子傳輸層、第三初始發(fā)光圖案進行曝光，使第三初始載流子注入層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌宦?lián)載流子注入材料，第三初始載流子傳輸層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌宦?lián)載流子傳輸材料，第三初始發(fā)光圖案中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌宦?lián)發(fā)光材料。對層疊的第三初始載流子注入層、第三初始載流子傳輸層、第三初始發(fā)光圖案進行顯影，形成層疊的第三載流子注入層、第三載流子傳輸層、第三發(fā)光圖案。

106、在一些實施例中，該制備方法用于制備上述一些實施例所述的發(fā)光器件(例如是用于制備如圖3b所示的發(fā)光基板)。在襯底上形成多個發(fā)光器件還包括：形成至少一個第二發(fā)光器件，以及形成至少一個第三發(fā)光器件。

107、其中，在多個發(fā)光器件還包括至少一個第二發(fā)光器件，且至少一個第二發(fā)光器件中的每個第二發(fā)光器件包括第二犧牲層組，第二犧牲層組包括第二載流子傳輸層和第二載流子注入層的情況下，形成至少一個第二發(fā)光器件，包括：在第一電極層和至少一個第一發(fā)光器件的遠離襯底的一側(cè)形成第二初始載流子注入層，第二初始載流子注入層的材料包括第二載流子注入材料，或者，第二載流子注入材料和第六光敏材料。對第二初始載流子注入層進行曝光，使第二初始載流子注入層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙宦?lián)載流子注入材料。依次在第二初始載流子注入層的遠離襯底的一側(cè)形成第二初始載流子傳輸層、第二初始發(fā)光圖案。其中，第二初始載流子傳輸層的材料包括第二載流子傳輸材料，或者，第二載流子傳輸材料和第五光敏材料。第二初始發(fā)光圖案的材料包括第二量子點材料，或者，第二量子點材料和第四光敏材料。對層疊的第二初始載流子傳輸層、第二初始發(fā)光圖案進行曝光，使第二初始載流子傳輸層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙宦?lián)載流子傳輸材料，第二初始發(fā)光圖案中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙宦?lián)發(fā)光材料。對層疊的第二初始載流子注入層、第二初始載流子傳輸層、第二初始發(fā)光圖案進行顯影，形成層疊的第二載流子注入層、第二載流子傳輸層、第二發(fā)光圖案。

108、在多個發(fā)光器件還包括至少一個第三發(fā)光器件，且至少一個第三發(fā)光器件中的每個第三發(fā)光器件包括第三犧牲層組，第三犧牲層組包括第三載流子傳輸層和第三載流子注入層的情況下，形成至少一個第三發(fā)光器件，包括：在第一電極層、至少一個第一發(fā)光器件和至少一個第二發(fā)光器件的遠離襯底的一側(cè)形成第三初始載流子注入層；第三初始載流子注入層的材料包括第三載流子注入材料，或者，第三載流子注入材料和第九光敏材料。對第三初始載流子注入層進行曝光，使第三初始載流子注入層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌宦?lián)載流子注入材料。依次在第三初始載流子注入層的遠離襯底的一側(cè)形成第三初始載流子傳輸層、第三初始發(fā)光圖案。其中，第三初始載流子傳輸層的材料包括第三載流子傳輸材料，或者，第三載流子傳輸材料和第八光敏材料。第三初始發(fā)光圖案的材料包括第三量子點材料，或者，第三量子點材料和第七光敏材料。對層疊的第三初始載流子傳輸層、第三初始發(fā)光圖案進行曝光，使第三初始載流子傳輸層中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌宦?lián)載流子傳輸材料，第三初始發(fā)光圖案中被曝光的部分的材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈谌宦?lián)發(fā)光材料。對層疊的第三初始載流子注入層、第三初始載流子傳輸層、第三初始發(fā)光圖案進行顯影，形成層疊的第三載流子注入層、第三載流子傳輸層、第三發(fā)光圖案。

109、在一些實施例中，該制備方法用于制備上述一些實施例所述的發(fā)光器件(例如是用于制備如圖3a或3b所示的發(fā)光基板)。在初始發(fā)光圖案中，第一類光敏材料的質(zhì)量與量子點材料的質(zhì)量的比值范圍為0％～30％；初始發(fā)光圖案是第一初始發(fā)光圖案、第二初始發(fā)光圖案和第三初始發(fā)光圖案中的一種。和/或，在初始載流子傳輸層中，第二類光敏材料的質(zhì)量與載流子傳輸材料的質(zhì)量的比值范圍為0％～30％。初始載流子傳輸層是第一初始載流子傳輸層、第二初始載流子傳輸層和第三初始載流子傳輸層中的一種。和/或，在初始載流子注入層中，第三類光敏材料的質(zhì)量與載流子注入材料的質(zhì)量的比值范圍為0％～30％。初始載流子注入層是第一初始載流子注入層、第二初始載流子注入層和第三初始載流子注入層中的一種。

110、本公開的一些實施例提供的發(fā)光基板的制備方法所能實現(xiàn)的有益效果，與上述技術(shù)方案提供的一種發(fā)光基板所能達到的有益效果相同，在此不再贅述。

111、又一方面，提供一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括上述任一實施例所述的發(fā)光基板，以及用于驅(qū)動發(fā)光基板發(fā)光的驅(qū)動芯片。

112、本公開的一些實施例提供的發(fā)光裝置所能實現(xiàn)的有益效果，與上述技術(shù)方案提供的一種發(fā)光基板所能達到的有益效果相同，在此不再贅述。