本技術(shù)涉及顯示，更具體地，涉及一種發(fā)光器件、其制備方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、傳統(tǒng)的疊層發(fā)光器件是將兩個(gè)發(fā)光單元在基板垂直方向上串聯(lián)在一起，從而取得相同電流下效率及亮度翻倍的效果；目前該結(jié)構(gòu)適用于蒸鍍制備工藝，但不適用于溶液法制備工藝，因?yàn)槿芤悍ǖ娜軇?huì)造成界面互溶，而破壞疊層中的下層發(fā)光單元。因此急需一種新的結(jié)構(gòu)，使得采用溶液法制備疊層發(fā)光器件及其顯示裝置成為可能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，本技術(shù)實(shí)施例在于提供一種發(fā)光器件、其制備方法及顯示裝置。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)實(shí)施例提供一種發(fā)光器件，采用了如下所述的技術(shù)方案：

3、一種發(fā)光器件，包括層疊設(shè)置的第一基板和第二基板；

4、所述第一基板上設(shè)有第一像素開口、第一電極開口以及第二電極開口，所述第一像素開孔內(nèi)設(shè)有第一發(fā)光單元，所述第一電極開口內(nèi)設(shè)有第一導(dǎo)電體，所述第二電極開口內(nèi)設(shè)有第二導(dǎo)電體，所述第一發(fā)光單元與所述第一導(dǎo)電體和所述第二導(dǎo)電體連接；

5、所述第二基板上設(shè)有第二像素開口、第三電極開口以及第四電極開口，所述第二像素開孔內(nèi)設(shè)有第二發(fā)光單元，所述第三電極開口內(nèi)設(shè)有第三導(dǎo)電體，所述第四電極開口內(nèi)設(shè)有第四導(dǎo)電體，所述第二發(fā)光單元與所述第三導(dǎo)電體和所述第四導(dǎo)電體連接；

6、所述第二發(fā)光單元在所述第一基板的正投影至少部分覆蓋所述第一發(fā)光單元；所述第一導(dǎo)電體與所述第三導(dǎo)電體連接；所述第二導(dǎo)電體與所述第四導(dǎo)電體連接，使所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元并聯(lián)。

7、進(jìn)一步地，所述第二基板包括層疊設(shè)置的透光層和第二像素界定層，所述透光層靠近所述第一基板設(shè)置；所述第二像素開口、第三電極開口以及第四電極開口設(shè)于所述第二像素界定層上；

8、所述透光層上設(shè)有貫穿上下兩端第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述第三電極開口的底部，所述第二通孔位于所述第四電極開口的底部，所述第一通孔內(nèi)設(shè)有所述第一導(dǎo)電體和第三導(dǎo)電體，所述第二通孔內(nèi)設(shè)有所述第二導(dǎo)電體和第四導(dǎo)電體；和/或

9、所述透光層的材質(zhì)為聚酰亞胺；和/或

10、所述透光層的透光率為30％～100％；和/或

11、所述第一基板包括層疊設(shè)置的電路層和第一像素界定層，所述第一像素界定層靠近所述第二基板設(shè)置，所述第一像素開口、第一電極開口以及第二電極開口設(shè)于所述第一像素界定層上。

12、進(jìn)一步地，所述第二基板遠(yuǎn)離所述第一基板的一側(cè)設(shè)有封裝層；和/或

13、所述第二基板靠近所述第一基板的一側(cè)與所述第一基板表面接觸。

14、進(jìn)一步地，所述第一發(fā)光單元包括由下而上依次層疊設(shè)置的第一電極、第一功能層和第二電極；所述第一電極一端延伸至第一電極開口內(nèi)，并與所述第一導(dǎo)電體連接；所述第二電極一端延伸至所述第二電極開口內(nèi)，并與所述第二導(dǎo)電體連接；和/或

15、所述第二發(fā)光單元包括由下而上依次層疊設(shè)置的第三電極、第二功能層和第四電極；所述第三電極一端延伸至所述第三電極開口內(nèi)，并與所述第三導(dǎo)電體連接；所述第四電極一端延伸至所述第四電極開口內(nèi)，并與所述第四導(dǎo)電體連接。

16、進(jìn)一步地，每個(gè)所述第一像素開口兩側(cè)分別設(shè)有至少一個(gè)所述第一電極開口與至少一個(gè)所述第二電極開口；和/或

17、每個(gè)所述第二像素開口兩側(cè)分別設(shè)有至少一個(gè)所述第三電極開口與至少一個(gè)所述第四電極開口；和/或

18、所述第三電極開口在所述第一基板的正投影至少部分覆蓋位于所述第一電極開口；和/或

19、所述第四電極開口在所述第一基板的正投影至少部分覆蓋位于所述第二電極開口。

20、進(jìn)一步地，所述第一電極為反射電極；和/或

21、所述第二電極為透明電極；和/或

22、所述第三電極為透明電極；和/或

23、所述第四電極為透明電極。

24、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種發(fā)光器件的制備方法，采用了如下所述的技術(shù)方案：

25、一種發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

26、提供第一基板預(yù)制件和第二基板預(yù)制件；其中，所述第一基板預(yù)制件設(shè)有第一像素開口、第一電極開口和第二電極開口，所述第一像素開口中設(shè)有第一發(fā)光單元；所述第二基板預(yù)制件設(shè)有第二像素開口、第三電極開口和第四電極開口，所述第二像素開口中設(shè)有第二發(fā)光單元；

27、在所述第一電極開口和所述第二電極開口中分別設(shè)置第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體，使所述第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體與所述第一發(fā)光單元連接；

28、將所述第二基板預(yù)制件設(shè)置于所述第一基板預(yù)制件上，使所述第二發(fā)光單元在所述第一基板的正投影至少部分覆蓋所述第一發(fā)光單元；

29、在所述第三電極開口和所述第四電極開口中分別設(shè)置第三導(dǎo)電體和第四導(dǎo)電體，使所述第一導(dǎo)電體與所述第三導(dǎo)電體連接、所述第二導(dǎo)電體與所述第四導(dǎo)電體連接，以使所述第一發(fā)光單元與所述第二發(fā)光單元并聯(lián)。

30、進(jìn)一步地，所述第二基板預(yù)制件包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述第三電極開口的底部，所述第二通孔位于所述第四電極開口的底部；

31、所述第一導(dǎo)電體、第二導(dǎo)電體、第三導(dǎo)電體和第四導(dǎo)電體為液體導(dǎo)電材料；

32、所述在所述第一電極開口和所述第二電極開口中分別設(shè)置第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體的步驟中，設(shè)置所述第一導(dǎo)電體的體積大于所述第一電極開口的容積，所述第二導(dǎo)電體的體積大于所述第二電極開口的容積；

33、所述將所述第二基板預(yù)制件設(shè)置于所述第一基板預(yù)制件上的步驟中，所述第一導(dǎo)電體至少部分進(jìn)入并填充所述第一通孔，所述第二導(dǎo)電體至少部分進(jìn)入并填充所述第二通孔。

34、進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電體的體積與所述第一電極開口容積的比例為(1～1.3):1；和/或，所述第二導(dǎo)電體的體積與所述第二電極開口容積的比例為(1～1.3):1；和/或

35、所述第三導(dǎo)電體的體積與所述第三電極開口容積的比例為(0.7～1):1；和/或，所述第四導(dǎo)電體的體積與所述第四電極開口容積的比例為(0.7～1):1；和/或

36、所述液體導(dǎo)電材料為液態(tài)鎵金屬、液體鎵銦錫合金或液體汞金屬的至少一種。

37、進(jìn)一步地，所述液體導(dǎo)電材料的體積為10～100pl；和/或

38、所述液體鎵銦錫合金中鎵金屬、銦金屬和錫金屬的質(zhì)量比為(6～8):(1～3):(0～2)。

39、進(jìn)一步地，所述第一基板預(yù)制件包括層疊設(shè)置的電路層和第一像素界定層；所述第一像素開口、第一電極開口以及第二電極開口設(shè)于所述第一像素界定層上；和/或

40、所述第二基板預(yù)制件包括層疊設(shè)置的透光層和第二像素界定層；所述第二像素開口、第三電極開口以及第四電極開口設(shè)于所述第二像素界定層上；和/或

41、所述第一發(fā)光單元包括由下而上依次層疊設(shè)置的第一電極、第一功能層和第二電極；所述第一電極一端延伸至第一電極開口內(nèi)；所述第二電極一端延伸至所述第二電極開口內(nèi)；和/或

42、所述第二發(fā)光單元包括由下而上依次層疊設(shè)置的第三電極、第二功能層和第四電極；所述第三電極一端延伸至第三電極開口內(nèi)；所述第四電極一端延伸至所述第四電極開口內(nèi)。

43、進(jìn)一步地，所述將所述第二基板預(yù)制件設(shè)置于所述第一基板預(yù)制件上的步驟為：將所述第二基板預(yù)制件設(shè)置于所述第一基板預(yù)制件表面，以密封所述第一電極開口和第二電極開口；和/或

44、所述在所述第三電極開口和所述第四電極開口中分別設(shè)置第三導(dǎo)電體和第四導(dǎo)電體的步驟之后，還包括：在所述第二基板預(yù)制件表面設(shè)置封裝層，以密封所述第三電極開口和第四電極開口。

45、為了解決上述技術(shù)問題，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種顯示裝置，采用了如下所述的技術(shù)方案：

46、一種顯示裝置，包括如上所述的發(fā)光器件，或如上所述的制備方法制備得到的發(fā)光器件。

47、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)實(shí)施例主要有以下有益效果：采用第一基板和第二基板使第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元獨(dú)立設(shè)置，防止第一發(fā)光單元與第二發(fā)光單元的界面互溶，進(jìn)而避免溶液法的溶劑破壞下層發(fā)光單元，滿足了發(fā)光器件的制備。