1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝道層與所述有源柱的摻雜類型相同；所述溝道層的摻雜濃度為1e17cm-3-1e18cm-3；及/或
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述柵極的沿第三方向相對兩側(cè)的位線、電容；所述第三方向與所述第一方向、所述第二方向均相交；
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源柱被所述電容覆蓋的部分包括沿所述第一方向相對的第一表面、第四表面，及沿所述第二方向相對的第二表面與第三表面；所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源柱被所述溝道層覆蓋部分的沿所述第一方向的長度小于所述有源柱被所述電容覆蓋部分的沿所述第一方向的長度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電容包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣蓋層的材料包括氧化硅；及/或
9.一種存儲器，其特征在于，包括沿第二方向疊置的目標(biāo)層；
10.一種存儲器的制備方法，其特征在于，包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述于所述雙柵溝槽內(nèi)有源柱的沿所述第一方向相對的表面均形成溝道層，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制備方法，其特征在于，于所述襯底上形成所述目標(biāo)疊層結(jié)構(gòu)及所述雙柵溝槽，包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的制備方法，其特征在于，在形成所述溝道層之前，還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法，其特征在于，在于所述雙柵溝槽內(nèi)形成與所述溝道層對應(yīng)的柵極之前或之后，還包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣層位于所述有源柱的用于形成電容部分的沿所述第二方向相對兩外表面的部分用于構(gòu)成第一絕緣蓋層，沿所述第一方向相鄰的兩個(gè)延伸部與位于所述兩個(gè)延伸部之間的所述第一絕緣蓋層用于構(gòu)成絕緣蓋層；在形成所述摻雜后有源柱之后，還包括：