本技術(shù)涉及光電，具體涉及一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法以及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、發(fā)光器件是指一類通過載流子的注入和復(fù)合而發(fā)光的器件，包括但不限于是有機發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode,oled)和量子點發(fā)光二極管(quantum?dotlight?emitting?diodes,qled)。發(fā)光器件具有“三明治”結(jié)構(gòu)，即包括陽極、陰極以及發(fā)光層，其中，陽極與陰極相對設(shè)置，發(fā)光層設(shè)置于陽極與陰極之間。發(fā)光器件的發(fā)光原理是：電子從器件的陰極注入至發(fā)光區(qū)，空穴從器件的陽極注入至發(fā)光區(qū)，電子和空穴在發(fā)光區(qū)復(fù)合形成激子，復(fù)合后的激子通過輻射躍遷的形式釋放光子，從而發(fā)光。

2、發(fā)光器件經(jīng)過多年的發(fā)展，性能指標(biāo)方面取得了巨大的進步，也展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用發(fā)展?jié)摿?，但是目前仍存在不足之處，例如發(fā)光器件的器件壽命有待進一步地提升。因此，如何進一步地提升發(fā)光器件的器件壽命對發(fā)光器件的應(yīng)用與發(fā)展具有重要意義。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)提供了一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法以及電子設(shè)備，以改善發(fā)光器件的器件壽命。

2、第一方面，本技術(shù)提供了一種發(fā)光器件，包括：

3、相對設(shè)置的底電極與頂電極；

4、發(fā)光層，設(shè)置于所述底電極與所述頂電極之間；以及

5、輔助層，設(shè)置于所述底電極與所述發(fā)光層之間；

6、其中，所述輔助層包括層疊設(shè)置的第一輔助子層和第二輔助子層，所述第一輔助子層的材料包含ag以及cu中的一種或多種，所述第二輔助子層的材料包含第一金屬氧化物以及第一碳材料中的一種或多種。

7、可選地，所述第一金屬氧化物中的金屬元素選自fe、zn、sn以及al中的一種或多種；和/或

8、所述第一金屬氧化物選自fe3o4、fe2o3、zno、sno、sno2以及al2o3中的一種或多種；和/或

9、所述第一碳材料選自石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或多種；和/或

10、所述輔助層的厚度為20nm～200nm。

11、可選地，所述第一輔助子層對所述第二輔助子層的厚度比為1：(0.1～0.5)。

12、可選地，所述輔助層還包括第三輔助子層，所述第三輔助子層設(shè)置于所述第二輔助子層遠離所述第一輔助子層的一側(cè)；

13、其中，所述第二輔助子層和所述第三輔助子層中一者的材料選自所述第一金屬氧化物，另一者的材料選自所述第一碳材料。

14、可選地，所述第一輔助子層、所述第二輔助子層以及所述第三輔助子層的厚度比為1：(0.04～0.2)：(0.04～0.2)。

15、可選地，所述頂電極和所述底電極的材料彼此獨立地選自金屬、第二碳材料以及第二金屬氧化物中的一種或多種，所述金屬選自al、ag、cu、mo、au、ba、pt、ca以及mg中的一種或多種，所述第二碳材料選自石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或多種，所述第二金屬氧化物選自銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂的一種或多種；和/或

16、所述底電極的厚度為40nm～300nm；和/或

17、所述頂電極的厚度為40nm～300nm；和/或

18、所述發(fā)光器件的發(fā)光方式為頂發(fā)射式，所述頂電極對可見光的透過率不小于90％。

19、可選地，所述發(fā)光層的材料包含有機發(fā)光材料以及量子點中的一種或多種；其中，所述有機發(fā)光材料選自4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、ttpx熒光材料、tbrb熒光材料、dbp熒光材料、延遲熒光材料、tta材料、熱活化延遲材料、含有b-n共價鍵合的聚合物、雜化局域電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)材料以及激基復(fù)合物發(fā)光材料中的一種或多種；所述量子點選自單一組分量子點、核殼結(jié)構(gòu)量子點、無機鈣鈦礦量子點、有機鈣鈦礦量子點以及有機-無機雜化鈣鈦礦量子點的一種或多種；

20、所述單一組分量子點的材料、所述核殼結(jié)構(gòu)量子點的核的材料以及所述核殼結(jié)構(gòu)量子點的殼的材料彼此獨立地選自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物或i-iii-vi族化合物中的至少一種，其中，所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete以及hgznste中的一種或多種，所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas以及inalpsb中的一種或多種，所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete以及snpbste中的一種或多種，所述i-iii-vi族化合物選自cuins、cuinse以及agins中的一種或多種；所述無機鈣鈦礦量子點的結(jié)構(gòu)通式為amx3，其中a為cs+離子，m為二價金屬陽離子，m選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+以及eu2+中的一種或多種，x為鹵素陰離子；所述有機鈣鈦礦量子點的結(jié)構(gòu)通式為cmx3，c為甲脒基；所述有機-無機雜化鈣鈦礦量子點的結(jié)構(gòu)通式為bmx3，b選自有機胺陽離子；和/或

21、所述底電極和所述頂電極中的一者為陽極，另一者為陰極；所述發(fā)光器件還包括設(shè)置于所述陽極與所述發(fā)光層之間的空穴功能層，所述空穴功能層的材料包含聚(3,4-乙烯二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)、酞菁銅、酞菁氧鈦、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、3-己基取代聚噻吩、聚(9-乙烯基咔唑)、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯、聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4,4'-環(huán)己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(對丁基苯基))二苯胺)]、聚(n,n'-二(4-丁基苯基)-n,n'-二苯基-1,4-苯二胺-co-9,9-二辛基芴)、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4',4'-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、n,n'-二苯基-n,n'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、n,n'-雙[4-(二苯基氨基)苯基]-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺、n2,n7-二-1-萘基-n2,n7-二苯基-9,9'-螺二[9h-芴]-2,7-二胺、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、摻雜或非摻雜的石墨烯、c60、摻雜或非摻雜的氧化鎳、摻雜或非摻雜的氧化鉬、摻雜或非摻雜的氧化鎢、摻雜或非摻雜的氧化釩、摻雜或非摻雜的p型氮化鎵、摻雜或非摻雜的氧化鉻、摻雜或非摻雜的氧化銅、過渡金屬硫化物以及過渡金屬硒化物中的一種或多種；和/或

22、所述發(fā)光器件還包括設(shè)置于所述陰極與所述發(fā)光層之間的電子功能層，所述電子功能層的材料包含第三金屬氧化物，所述第三金屬氧化物選自鋅的氧化物、鈦的氧化物、錫的氧化物、鋇的氧化物、鉭的氧化物、鋁的氧化物、鋯的氧化物、氧化鋅鎂、氧化鋅鈣、氧化鋅鋯、氧化鋅鎵、氧化鋅鋁、氧化鋅鋰、氧化鋅鈦、氧化釔鋅、氧化銦錫以及氧化鈦鋰中的一種或多種。

23、第二方面，本技術(shù)提供了一種發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

24、提供底電極，在所述底電極的一側(cè)形成輔助層；

25、在所述輔助層遠離所述底電極的一側(cè)形成發(fā)光層；以及

26、在所述發(fā)光層遠離所述輔助層的一側(cè)形成頂電極；

27、其中，所述輔助層的形成方法包括如下步驟：

28、在所述底電極的一側(cè)形成第一輔助子層，所述第一輔助子層的材料包含ag以及cu中的一種或多種；以及

29、在所述第一輔助子層遠離所述底電極的一側(cè)形成第二輔助子層，所述第二輔助子層的材料包含第一金屬氧化物以及第一碳材料中的一種或多種。

30、可選地，所述在所述第一輔助子層遠離所述底電極的一側(cè)形成第二輔助子層的步驟之后，所述輔助層的形成方法還包括步驟：在所述第二輔助子層遠離所述第一輔助子層的一側(cè)形成第三輔助子層；

31、其中，所述第二輔助子層和所述第三輔助子層中一者的材料選自所述第一金屬氧化物，另一者的材料選自所述第一碳材料；和/或

32、當(dāng)所述第一輔助子層靠近所述第二輔助子層的一側(cè)具有凸起時，所述在所述第一輔助子層遠離所述底電極的一側(cè)形成第二輔助子層的步驟之前，所述輔助層的形成方法還包括步驟：去除所述的凸起。

33、第三方面，本技術(shù)提供了一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括如第一方面中任意一種所述的發(fā)光器件，或者所述電子設(shè)備包括如第二方面中任意一種所述的制備方法制得的發(fā)光器件。

34、本技術(shù)提供了一種發(fā)光器件、發(fā)光器件的制備方法以及電子設(shè)備，具有如下技術(shù)效果：

35、在本技術(shù)的發(fā)光器件中，通過在第一輔助子層靠近發(fā)光層的一側(cè)增設(shè)第二輔助子層，使得第一輔助子層靠近發(fā)光層的表面被致密且具有導(dǎo)電性的第二輔助子層覆蓋，有效改善了第一輔助子層被氧化而形成凸起的問題，從而改善因第一輔助子層形成凸起而導(dǎo)致漏電流增大的問題，進而有利于提升發(fā)光器件的器件壽命和性能穩(wěn)定性。本技術(shù)中發(fā)光器件的制備方法具有制備工序簡單、適用于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的優(yōu)點。本技術(shù)的電子設(shè)備包括所述發(fā)光器件或所述發(fā)光器件的制備方法制得的發(fā)光器件，有利于提高電子設(shè)備的使用壽命和性能穩(wěn)定性。