本公開屬于無源器件，具體涉及一種濾波器及其制備方法、電子設備。

背景技術(shù)：

1、隨著通信技術(shù)的發(fā)展，移動通信所用頻率越來越高，從2g技術(shù)的幾百兆赫茲，逐漸提高到5g技術(shù)的3.5g赫茲及毫米波。當前市場對電子產(chǎn)品小型化發(fā)展的需求越來越高，目前無源器件如電容、電感、電阻在印制電路板(printed?circuit?board，pcb)上的面積占比在70％左右，集成無源器件(integrated?passive?devices，ipd)技術(shù)可使無源器件的面積縮小80％以上，市場前景廣闊。基于集成基板的不同，集成無源器件技術(shù)可分為硅基、低溫共燒陶瓷(low?temperature?co-fired?ceramic，ltcc)基、玻璃基等技術(shù)路線。作為電子產(chǎn)品中的主要耗能部件，射頻前端要求器件電磁損耗大幅降低，由于玻璃基材料在介電損耗、成本等方面的優(yōu)勢，玻璃基集成無源器件逐漸成為了主流路線。

2、玻璃基ipd在玻璃面上直接堆疊單面或雙面金屬重布線層(re-distributedlayer，rdl)線路，金屬rdl線路和玻璃兩類材料在熱膨脹系數(shù)上有3到7倍的差異，在導熱系數(shù)上有十幾到三百多倍的差異，金屬rdl線路是熱的良導體，同時熱膨脹系數(shù)比玻璃大很多。這兩種材料直接互連時，在其上方堆疊單層及多層不同材料層(金屬材料層、有機材料層、無機材料層)結(jié)構(gòu)，其在結(jié)構(gòu)制作、倒裝焊接、可靠性測試過程中，會存在熱應力并將其傳遞到金屬rdl線路和玻璃的互聯(lián)面上，將增加金屬rdl線路和玻璃互聯(lián)層出現(xiàn)分層、脫落的風險，器件的可靠性和性能會出現(xiàn)下降或失效。尤其是多層金屬rdl線路和有機材料堆疊時，出現(xiàn)分層使器件的可靠性和性能下降或失效的風險更高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種濾波器及其制備方法、電子設備。

2、第一方面，解決本公開技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種濾波器，包括介質(zhì)基板、集成在所述介質(zhì)基板上的至少一個電容和至少一個電感；所述濾波器還包括設置在所述介質(zhì)基板上的第一緩沖層；所述第一緩沖層的材料為有機材料；

3、所述第一緩沖層上具有第一容納部和第二容納部；所述電容的第一極板填充在所述第一容納部內(nèi)，所述電感的至少部分結(jié)構(gòu)填充在所述第二容納部內(nèi)，且所述電容的第一極板背離所述介質(zhì)基板的表面，以及所述電感填充在所述第二容納部內(nèi)的結(jié)構(gòu)背離所述介質(zhì)基板的表面，均與所述第一緩沖層背離所述介質(zhì)基板的表面平齊。

4、在一些實施例中，所述介質(zhì)基板包括沿其厚度方向相對設置的第一表面和第二表面，以及沿其厚度方向貫穿的第一連接過孔；所述第一緩沖層設置在所述第一表面上；

5、所述電感包括設置在所述第一表面的第一導電結(jié)構(gòu)，設置在所述第二表面的第二導電結(jié)構(gòu)，以及設置在所述第一連接過孔內(nèi)的第一連接電極；所述第二導電結(jié)構(gòu)通過所述第一連接電極與所述第一導電結(jié)構(gòu)電連接，并形成所述電感的線圈結(jié)構(gòu)；

6、所述第二容納部貫穿所述第一緩沖層的全部厚度，所述第二導電結(jié)構(gòu)填充在所述第二容納部內(nèi)。

7、在一些實施例中，所述濾波器還包括設置在所述第二表面上的第二緩沖層；所述第二緩沖層的材料為有機材料；

8、所述第二緩沖層上具有第三容納部；所述第三容納部貫穿所述第二緩沖層的全部厚度，所述第一導電結(jié)構(gòu)填充在所述第三容納部內(nèi)，且所述第一導電結(jié)構(gòu)背離所述介質(zhì)基板的表面與所述第二緩沖層背離所述介質(zhì)基板的表面平齊。

9、在一些實施例中，所述第一容納部貫穿所述第一緩沖層的部分厚度。

10、在一些實施例中，所述介質(zhì)基板上具有沿其厚度方向部分貫穿的第一開槽，且所述第一開槽限定出所述第一容納部。

11、在一些實施例中，所述第一容納部和所述第二容納部均貫穿所述第一緩沖層的部分厚度；所述電感的線圈結(jié)構(gòu)填充在所述第二容納部內(nèi)。

12、在一些實施例中，所述介質(zhì)基板上具有沿其厚度方向部分貫穿的第一開槽和第二開槽；

13、所述第一緩沖層覆蓋所述介質(zhì)基板，且所述第一開槽限定出所述第一容納部，所述第二開槽限定出所述第二容納部。

14、在一些實施例中，所述第一緩沖層用作所述介質(zhì)基板。

15、在一些實施例中，所述有機材料包括聚酰亞胺、樹脂和光刻膠中的任意一種。

16、第二方面，本公開實施例還提供了一種濾波器的制備方法，包括：提供一介質(zhì)基板，在所述介質(zhì)基板上形成至少一個電容和至少一個電感的步驟，還包括在所述介質(zhì)基板上形成第一緩沖層的步驟；形成所述第一緩沖層的步驟包括：

17、對所述介質(zhì)基板進行清洗和干燥；

18、在所述介質(zhì)基板上形成第一膜層；所述第一膜層覆蓋所述介質(zhì)基板；

19、對所述第一膜層進行圖案化處理，形成所述第一緩沖層；所述第一緩沖層上具有第一容納部和第二容納部，所述第一容納部被配置為容納電容的第一極板，所述第二容納部被配置為容納電感的至少部分結(jié)構(gòu)。

20、在一些實施例中，所述第一容納部和所述第二容納部均貫穿所述第一緩沖層的部分厚度，所述第二容納部被配置為容納電感的線圈結(jié)構(gòu)。

21、在一些實施例中，所述介質(zhì)基板上具有沿其厚度方向部分貫穿的第一開槽和第二開槽；

22、所述第一緩沖層覆蓋所述介質(zhì)基板，且所述第一開槽限定出所述第一容納部，所述第二開槽限定出所述第二容納部。

23、在一些實施例中，所述第一膜層包括沿背離所述介質(zhì)基板方向上依次形成的第一子膜層和第二子膜層。

24、在一些實施例中，在所述介質(zhì)基板上形成至少一個電容和至少一個電感的步驟包括：

25、在所述第一緩沖層背離所述介質(zhì)基板的一側(cè)形成第一導電膜層；所述第一導電膜層覆蓋所述第一緩沖層；

26、通過cmp對第一導電膜層磨平，形成所述電容的第一極板和所述電感的線圈結(jié)構(gòu)；所述第一極板和所述線圈結(jié)構(gòu)背離所述介質(zhì)基板的表面，均與所述第一緩沖層背離所述介質(zhì)基板的表面平齊。

27、在一些實施例中，所述介質(zhì)基板包括沿其厚度方向相對設置的第一表面和第二表面，以及沿其厚度方向貫穿的第一連接過孔；所述第一緩沖層設置在所述第一表面上；

28、所述濾波器還包括設置在所述第二表面上的第二緩沖層；所述第二緩沖層的材料為有機材料；

29、所述第二緩沖層上具有第三容納部；所述第三容納部貫穿所述第二緩沖層的全部厚度，所述第三容納部被配置為容納電感的第一導電結(jié)構(gòu)，且所述第一導電結(jié)構(gòu)背離所述介質(zhì)基板的表面與所述第二緩沖層背離所述介質(zhì)基板的表面平齊；

30、所述第二容納部貫穿所述第一緩沖層的全部厚度，所述第二容納部被配置為容納電感的第二導電結(jié)構(gòu)。

31、在一些實施例中，所述第一容納部貫穿所述第一緩沖層的部分厚度。

32、在一些實施例中，所述介質(zhì)基板上具有沿其厚度方向部分貫穿的第一開槽，且所述第一開槽限定出所述第一容納部。

33、在一些實施例中，在所述介質(zhì)基板上形成至少一個電容和至少一個電感的步驟包括：

34、在所述第一連接過孔內(nèi)形成所述電感的第一連接電極；

35、在所述第二緩沖層背離所述介質(zhì)基板的一側(cè)形成第二導電膜層；

36、通過cmp對第二導電膜層磨平，形成所述電感的第一導電結(jié)構(gòu)；所述第一導電結(jié)構(gòu)背離所述介質(zhì)基板的表面與所述第二緩沖層背離所述介質(zhì)基板的表面平齊；

37、在所述第一緩沖層背離所述介質(zhì)基板的一側(cè)形成第三導電膜層；

38、通過cmp對第三導電膜層磨平，形成所述電容的第一極板和所述電感的第二導電結(jié)構(gòu)；所述第一極板和所述第二導電結(jié)構(gòu)背離所述介質(zhì)基板的表面，均與所述第一緩沖層背離所述介質(zhì)基板的表面平齊。

39、第三方面，本公開實施例還提供了一種電子設備，其包括上述實施例中任一項所述的濾波器。