本技術涉及光電器件，尤其涉及一種光電器件、光電器件的制備方法和顯示裝置。

背景技術：

1、目前廣泛使用的光電器件為有機發(fā)光器件(oled)和量子點發(fā)光器件(qled)。oled由于其具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡單、超輕薄、相應速度快、寬視角、低功耗、可柔性顯示等十分優(yōu)異的顯示性能，已成為顯示技術領域中的主流技術。qled具有出射光顏色飽、波長可調(diào)、啟亮電壓低、溶液加工性好、量子點易于精細控制等優(yōu)點，而且光致、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高，近年來成了oled的有力競爭著。

2、傳統(tǒng)的oled和qled器件結(jié)構(gòu)一般包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。在電場的作用下，光電器件的陽極產(chǎn)生的空穴和陰極產(chǎn)生的電子發(fā)生移動，分別向空穴傳輸層和電子傳輸層注入，最終遷移到發(fā)光層，當二者在發(fā)光層相遇時，產(chǎn)生能量激子，從而激發(fā)發(fā)光分子最終產(chǎn)生可見光。

3、現(xiàn)有的光電器件的效率較低，有待進一步提高。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術提供一種光電器件的制備方法，旨在改善現(xiàn)有的制備方法制備得到的光電器件的效率較低的問題。

2、本技術實施例是這樣實現(xiàn)的，一種光電器件，包括相對設置的陽極和陰極，還包括設置在所述陽極和所述陰極之間的電子傳輸層，所述光電器件還包括界面層，所述界面層位于所述陰極和所述電子傳輸層之間，所述界面層中包括氟化鋅。

3、可選的，在一些實施例中，所述界面層的厚度為5～15nm，優(yōu)選的，所述界面層的厚度為8～12nm；和/或

4、所述氟化鋅為氟化鋅顆粒，所述氟化鋅顆粒的平均粒徑為3～6nm。

5、可選的，在一些實施例中，所述電子傳輸層的材料包括無機半導體粒子，其中，

6、所述無機半導體粒子的平均粒徑的范圍為3～5nm；和/或

7、所述無機半導體粒子包括摻雜型金屬氧化物顆粒、非摻雜型金屬氧化物顆粒、iib-via族半導體材料、iiia-va族半導體材料及ib-iiia-via族半導體材料中的一種或多種，所述非摻雜型金屬氧化物顆粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一種或多種，所述摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一種或多種，所述摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一種或幾種，所述iib-via族半導體材料包括zns、znse、cds中的一種或多種，所述iiia-va族半導體材料包括inp、gap中的一種或多種，所述ib-iiia-via族半導體材料包括cuins、cugas中的一種或多種。

8、可選的，在一些實施例中，所述摻雜型金屬氧化物顆粒中，所述摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素的質(zhì)量分數(shù)為1～20％。

9、可選的，在一些實施例中，所述界面層由所述氟化鋅組成。

10、可選的，在一些實施例中，所述光電器件還包括發(fā)光層，所述發(fā)光層位于所述陽極與所述電子傳輸層之間。

11、可選的，在一些實施例中，所述陽極包括摻雜金屬氧化物電極、第一復合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、第一金屬單質(zhì)電極或第一合金電極，所述摻雜金屬氧化物電極的材料包括銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅、鋁摻雜氧化鎂、鎘摻雜氧化鋅中的一種或多種，所述第一復合電極包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns或zns/al/zns，所述第一金屬單質(zhì)電極的材料包括ni、pt、au、ir、cu、mo、中的一種或多種；和/或

12、所述陰極包括第二金屬單質(zhì)電極、第二合金電極或第二復合電極，所述第二金屬單質(zhì)電極的材料包括ag、ca、ba、al或mg；所述第二合金電極包括au:mg和ag:mg中的一種或多種；所述第二復合電極包括ca/al、lif/ca、lif/al、baf2/al、csf/al、caco3/al或baf2/ca/al；和/或

13、所述發(fā)光層的材料包括有機發(fā)光材料及量子點發(fā)光材料中的一種或多種，所述有機發(fā)光材料包括4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對甲苯基)吡啶合銥、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、ttpx熒光材料、tbrb熒光材料、dbp熒光材料、延遲熒光材料、tta材料、熱活化延遲材料、含有b-n共價鍵合的聚合物、雜化局域電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)材料、激基復合物發(fā)光材料、聚乙炔及其衍生物、聚對苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的一種或多種；所述量子點發(fā)光材料包括單一結(jié)構(gòu)量子點、核殼結(jié)構(gòu)量子點及鈣鈦礦型半導體材料中的一種或多種，所述單一結(jié)構(gòu)量子點的材料、核殼結(jié)構(gòu)量子點的核材料及核殼結(jié)構(gòu)量子點的殼層材料分別獨立選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的一種或多種，所述ii-vi族化合物包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的一種或多種，所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的一種或多種，所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的一種或多種，所述i-iii-vi族化合物包括cuins2、cuinse2及agins2中的一種或多種；所述鈣鈦礦型半導體材料包括摻雜或非摻雜的無機鈣鈦礦型半導體或有機-無機雜化鈣鈦礦型半導體，所述無機鈣鈦礦型半導體的結(jié)構(gòu)通式為amx3，其中a為cs+離子，m為二價金屬陽離子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一種或多種，x為鹵素陰離子，包括cl-、br-、i-中的一種或多種；所述有機-無機雜化鈣鈦礦型半導體的結(jié)構(gòu)通式為bmx3，其中b為有機胺陽離子，包括ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m為二價金屬陽離子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一種或多種，x為鹵素陰離子，包括cl-、br-、i-中的一種或多種；和/或

14、所述光電器件還包括位于所述陽極與所述發(fā)光層之間的空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的材料包括4,4'-n,n'-二咔唑基-聯(lián)苯、聚[雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、n,n'-二苯基-n,n'-雙(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-雙(3-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺、聚(n,n'雙(4-丁基苯基)-n,n'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)、n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-雙(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4-4'-二胺、螺npb、聚(亞苯基亞乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、2,2',7,7'-四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、4,4'-環(huán)己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺]、1,3-二(咔唑-9-基)苯、聚苯胺、聚吡咯、聚(對)亞苯基亞乙烯基、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-雙(對咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯化合物、n,n,n',n'-四芳基聯(lián)苯胺、pedot:pss及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯、c60、摻雜或非摻雜的nio、摻雜或非摻雜的moo3、摻雜或非摻雜的wo3、摻雜或非摻雜的v2o5、摻雜或非摻雜的p型氮化鎵、摻雜或非摻雜的cro3、摻雜或非摻雜的cuo中的一種或多種；和/或

15、所述光電器件還包括位于所述陽極與所述發(fā)光層之間的空穴注入層，所述空穴注入層的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、pedot、pedot:pss、pedot:pss摻有s-moo3的衍生物、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、酞菁銅、氧化鎳、氧化鉬、氧化鎢、氧化釩、硫化鉬、硫化鎢及氧化銅中的一種或多種。

16、相應的，本技術實施例還提供一種光電器件的制備方法，包括：

17、提供光電器件預制件，所述光電器件預制件包括層疊的陽極和電子傳輸層；

18、提供氟化鋅，將所述氟化鋅設置在所述電子傳輸層上，得到界面層；

19、在所述界面層的遠離所述陰極的表面形成陰極，得到光電器件；

20、或者，

21、提供光電器件預制件，所述光電器件預制件包括陰極；

22、提供氟化鋅，將所述氟化鋅設置在所述陰極上，得到界面層；

23、在所述界面層的遠離所述陰極的表面制備層疊的電子傳輸層和陽極，得到光電器件。

24、可選的，在一些實施例中，所述光電器件預制件包括層疊的陽極、發(fā)光層和電子傳輸層；或者

25、所述在所述界面層的遠離所述陰極的表面制備層疊的電子傳輸層和陽極包括：在所述界面層的遠離所述陰極的表面制備層疊的電子傳輸層、發(fā)光層和陽極。

26、可選的，在一些實施例中，所述光電器件預制件包括層疊的陽極、空穴功能層、發(fā)光層和電子傳輸層；或者

27、所述在所述界面層的遠離所述陰極的表面制備層疊的電子傳輸層和陽極包括：在所述界面層的遠離所述陰極的表面制備層疊的電子傳輸層、發(fā)光層、空穴功能層和陽極。

28、可選的，在一些實施例中，所述將所述氟化鋅設置在所述光電器件預制件上的方法為蒸鍍，其中，所述蒸鍍的速率為1～10埃/分鐘，和/或，所述蒸鍍的時間為30～60min。

29、相應的，本技術實施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述光電器件。

30、本技術所述的光電器件包括所述界面層，所述界面層的材料包括所述氟化鋅，所述氟化鋅可以有效降低電子的注入勢壘，從而提高光電器件的電子遷移率，進而提升光電器件的亮度。