本技術(shù)涉及顯示，特別涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light-emitting?display，oled)顯示面板，由于其具有自發(fā)光、亮度高、畫質(zhì)好以及能耗低等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為顯示技術(shù)領(lǐng)域的主流發(fā)展方向。

2、相關(guān)技術(shù)中，顯示面板具有顯示區(qū)域以及圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域。顯示面板包括位于周邊區(qū)域且圍繞顯示區(qū)域的阻擋結(jié)構(gòu)，用于阻擋顯示區(qū)域的有機(jī)材料溢流。為了避免水氧沿著有機(jī)材料從周邊區(qū)域浸入至顯示區(qū)域，需要將位于阻擋結(jié)構(gòu)旁邊區(qū)域的有機(jī)膜層去除。并且，顯示面板包括電源走線，電源走線需從周邊區(qū)域穿過(guò)阻擋結(jié)構(gòu)和顯示區(qū)域的像素單元的相關(guān)結(jié)構(gòu)連接，進(jìn)而為像素單元的相關(guān)結(jié)構(gòu)提供電源信號(hào)。

3、但是，由于需要將位于阻擋結(jié)構(gòu)旁邊區(qū)域的有機(jī)膜層去除，因此會(huì)導(dǎo)致電源走線在有機(jī)膜層去除的位置暴露在外。在電源走線之后的膜層制備過(guò)程中，電源走線暴露在外的部分可能會(huì)被側(cè)刻，進(jìn)而影響顯示面板的良率，顯示面板的顯示效果較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)提供了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，可以解決相關(guān)技術(shù)中顯示面板的顯示效果較差的問(wèn)題。所述技術(shù)方案如下：

2、一方面，提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括：

3、襯底基板，所述襯底基板具有顯示區(qū)域以及圍繞所述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域；

4、多個(gè)像素單元，所述多個(gè)像素單元位于所述顯示區(qū)域；

5、阻擋結(jié)構(gòu)，所述阻擋結(jié)構(gòu)圍繞所述顯示區(qū)域；

6、至少一條電源走線，位于所述襯底基板的一側(cè)，每條所述電源走線用于接收電源信號(hào)，且與所述多個(gè)像素單元連接；

7、第一有機(jī)膜層，所述第一有機(jī)膜層位于所述電源走線遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，且所述第一有機(jī)膜層具有至少一個(gè)通槽區(qū)域，所述通槽區(qū)域在所述襯底基板上的正投影和所述阻擋結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影相鄰設(shè)置，且所述通槽區(qū)域用于露出所述電源走線的第一目標(biāo)區(qū)域；

8、其中，所述電源走線至少包括第一走線層，所述第一走線層包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向依次層疊的第一材料層，第二材料層以及第三材料層，所述第一走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層在所述襯底基板上的正投影位于所述第二材料層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，且所述第一走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第二材料層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一材料層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

9、可選的，所述第一走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第一材料層具有沿第一方向延伸的第一邊界，所述第一走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第二材料層具有沿第一方向延伸的第二邊界，所述第一走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層具有沿第一方向延伸的第三邊界；

10、其中，所述第一邊界與所述第三邊界在第二方向上的距離大于3微米，所述第二邊界位于所述第一邊界和所述第三邊界之間，所述第二方向和所述第一方向垂直。

11、可選的，所述第一有機(jī)膜層具有凹槽區(qū)域，所述第一有機(jī)膜層位于所述凹槽區(qū)域的厚度，小于除所述凹槽區(qū)域之外的其他區(qū)域的厚度，所述凹槽區(qū)域用于覆蓋所述第一走線層的第二目標(biāo)區(qū)域；

12、其中，所述第二目標(biāo)區(qū)域和所述第一目標(biāo)區(qū)域在所述第一方向上相鄰。

13、可選的，所述凹槽區(qū)域具有靠近所述第一走線層且沿第一方向延伸的第一凹槽邊界，所述第一走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層具有沿所述第一方向延伸的第三邊界；

14、其中，所述第一凹槽邊界在所述襯底基板上的正投影，與所述第三邊界在所述襯底基板上的正投影共線。

15、可選的，所述凹槽區(qū)域還具有遠(yuǎn)離所述通槽區(qū)域且沿第二方向延伸的第二凹槽邊界，以及和所述通槽區(qū)域相鄰且沿所述第二方向延伸的第三凹槽邊界；其中，所述第二方向和所述第一方向垂直；

16、所述第二凹槽邊界和所述第三凹槽邊界在所述第一方向上的距離大于3微米。

17、可選的，所述電源走線包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向依次層疊的第三走線層，第二走線層以及所述第一走線層；所述顯示面板包括：位于所述第三走線層和所述第二走線層之間的第三有機(jī)膜層，以及位于所述第二走線層和所述第一走線層之間的第二有機(jī)膜層，所述第一有機(jī)膜層位于所述第一走線層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；

18、其中，所述第三走線層和所述第二走線層通過(guò)所述第三有機(jī)膜層中的開(kāi)口連接，所述第二走線層和所述第一走線層通過(guò)所述第二有機(jī)膜層中的開(kāi)口連接；所述通槽區(qū)域用于露出所述第一走線層的第一目標(biāo)區(qū)域。

19、可選的，所述電源走線包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向依次層疊的第二走線層以及所述第一走線層；所述顯示面板包括：位于所述第二走線層和所述第一走線層之間的第二有機(jī)膜層，所述第一有機(jī)膜層位于所述第一走線層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；

20、其中，所述第二走線層和所述第一走線層通過(guò)所述第二有機(jī)膜層中的開(kāi)口連接；所述通槽區(qū)域用于露出所述第一走線層的第一目標(biāo)區(qū)域。

21、可選的，所述至少一條電源走線包括在所述第二方向上方間隔設(shè)置的第一信號(hào)電源走線和第二信號(hào)電源走線，所述通槽區(qū)域具有用于露出所述第一信號(hào)電源走線的第一子通槽區(qū)域和用于露出所述第二信號(hào)電源走線的第二子通槽區(qū)域；

22、其中，所述第一子通槽區(qū)域沿所述第一方向的長(zhǎng)度，小于或等于所述第二子通槽區(qū)域沿所述第一方向的長(zhǎng)度。

23、可選的，所述第二材料層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的部分的厚度，小于或等于所述第二材料層位于所述其他區(qū)域的部分的厚度。

24、可選的，在所述第二材料層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的部分的厚度小于所述第二材料層位于所述其他區(qū)域的部分的厚度的情況下，所述第二材料層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的部分遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面凹凸不平。

25、可選的，所述阻擋結(jié)構(gòu)包括：沿遠(yuǎn)離所述顯示區(qū)域依次設(shè)置的第一阻擋壩，第二阻擋壩以及第三阻擋壩；

26、其中，所述第一有機(jī)膜層具有兩個(gè)所述通槽區(qū)域，其中一個(gè)所述通槽區(qū)域位于所述第三阻擋壩遠(yuǎn)離所述顯示區(qū)域的一側(cè)，另外一個(gè)所述通槽區(qū)域位于所述第二阻擋壩和所述第三阻擋壩之間。

27、可選的，所述阻擋結(jié)構(gòu)中的每個(gè)阻擋壩均包括所述顯示面板中的有機(jī)膜層中的至少一層，所述顯示面板中的有機(jī)膜層包括：第三有機(jī)膜層，第二有機(jī)膜層以及所述第一有機(jī)膜層；

28、其中，所述第一有機(jī)膜層，所述第二有機(jī)膜層以及所述第三有機(jī)膜層中的其中一個(gè)有機(jī)膜層位于所述阻擋結(jié)構(gòu)中的任一阻擋壩相鄰且未設(shè)置所述通槽區(qū)域的區(qū)域。

29、可選的，所述電源走線中被所述顯示面板中的有機(jī)膜層覆蓋的區(qū)域中，所述第三材料層，所述第二材料層以及所述第一材料層的側(cè)邊為平坦側(cè)邊，且所述平坦側(cè)邊相對(duì)于所述襯底基板的承載面傾斜；

30、其中，所述第三材料層在所述襯底基板上的正投影位于所述第二材料層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，所述第二材料層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一材料層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

31、另一方面，提供了一種顯示面板的制備方法，所述方法包括：

32、提供一襯底基板，所述襯底基板具有顯示區(qū)域以及圍繞所述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域；

33、在所述襯底基板的一側(cè)形成多個(gè)像素單元，阻擋結(jié)構(gòu)以及至少一條初始電源走線，所述多個(gè)像素單元位于所述顯示區(qū)域，所述阻擋結(jié)構(gòu)圍繞所述顯示區(qū)域，每條所述初始電源走線用于接收電源信號(hào)，且與所述多個(gè)像素單元連接；所述初始電源走線至少包括第一初始走線層，所述第一初始走線層包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板的方向依次層疊的第一材料層，第二材料層以及第三材料層；

34、在所述初始電源走線遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成初始有機(jī)膜層，所述初始有機(jī)膜層具有至少一個(gè)通槽區(qū)域，所述通槽區(qū)域在所述襯底基板上的正投影和所述阻擋結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影相鄰設(shè)置，且所述通槽區(qū)域用于露出所述初始電源走線的第一目標(biāo)區(qū)域；

35、采用刻蝕工藝刻蝕所述至少一條初始電源走線的所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層以及刻蝕所述初始有機(jī)膜層，得到至少一條電源走線的第一走線層和第一有機(jī)膜層，所述第一走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層在所述襯底基板上的正投影位于所述第二材料層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，且所述電源走線位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第二材料層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一材料層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

36、可選的，形成多個(gè)像素單元包括：在所述初始有機(jī)膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)依次形成陽(yáng)極層，像素界定層，發(fā)光層以及陰極層；

37、所述采用刻蝕工藝刻蝕所述至少一條初始電源走線的所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層以及刻蝕所述初始有機(jī)膜層，包括：

38、在形成所述陽(yáng)極層之后，且在形成所述像素界定層之前，所述采用刻蝕工藝刻蝕所述至少一條初始電源走線的所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層以及刻蝕所述初始有機(jī)膜層。

39、可選的，形成所述陽(yáng)極層之前，所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第一材料層的第一邊界，第二材料層的第二邊界以及第三材料層的第三邊界共線；

40、形成所述陽(yáng)極層之后，所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第二材料層在所述襯底基板上的正投影位于所述第三材料層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，且所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第一材料層的第一邊界以及第三材料層的第三邊界共線；

41、其中，所述第一邊界，所述第二邊界以及所述第三邊界均沿第一方向延伸。

42、可選的，形成多個(gè)像素單元包括：在所述第一有機(jī)膜層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)依次形成陽(yáng)極層，像素界定層，發(fā)光層以及陰極層；

43、所述采用刻蝕工藝刻蝕所述至少一條初始電源走線的所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層以及刻蝕所述初始有機(jī)膜層，包括：

44、在形成所述像素界定層之后，且在形成所述發(fā)光層之前，所述采用刻蝕工藝刻蝕所述至少一條初始電源走線的所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層以及刻蝕所述初始有機(jī)膜層。

45、可選的，形成所述像素界定層之前，第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第二材料層在所述襯底基板上的正投影位于所述第三材料層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，且所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第一材料層的第一邊界以及第三材料層的第三邊界共線；

46、形成所述像素界定層之后，所述像素界定層的部分材料位于內(nèi)縮區(qū)域，所述內(nèi)縮區(qū)域?yàn)樗龅谝怀跏甲呔€層具有第一材料層和第三材料層，且不具有第二材料層的區(qū)域；

47、在所述采用刻蝕工藝刻蝕所述至少一條初始電源走線的所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層以及刻蝕所述初始有機(jī)膜層之后，所述像素界定層位于所述內(nèi)縮區(qū)域的部分材料被去除。

48、可選的，所述采用刻蝕工藝刻蝕所述至少一條初始電源走線的所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層以及刻蝕所述初始有機(jī)膜層，包括：

49、在所述第一初始走線層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)涂覆光刻膠；

50、采用掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光；

51、采用顯影液對(duì)所述光刻膠進(jìn)行顯影，以去除所述光刻膠中被曝光的部分；

52、采用刻蝕工藝去除所述第一初始走線層位于所述第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層以及所述初始有機(jī)膜層未被光刻膠保護(hù)的部分；

53、去除剩余的光刻膠。

54、可選的，所述掩膜版具有多個(gè)掩膜開(kāi)口，每個(gè)掩膜開(kāi)口在所述襯底基板上的正投影與所述通槽區(qū)域部分重疊，且和所述初始電源走線的第一目標(biāo)區(qū)域部分重疊；

55、所述掩膜開(kāi)口具有沿第一方向延伸的第一掩膜邊界，所述第一掩膜邊界用于形成刻蝕后的所述第三材料層的第三邊界，且所述第一掩膜邊界在所述襯底基板上的正投影位于所述第一材料層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，所述第一掩膜邊界與所述第三邊界在第二方向上的距離大于3微米，所述第二方向和所述第一方向垂直。

56、可選的，所述第一掩膜邊界還用于形成刻蝕后的所述第一有機(jī)膜層的凹槽區(qū)域的第一凹槽邊界，所述第一凹槽邊界靠近所述電源走線且沿所述第一方向延伸；

57、所述第一有機(jī)膜層位于所述凹槽區(qū)域的厚度，小于除所述凹槽區(qū)域之外的其他區(qū)域的厚度，所述凹槽區(qū)域用于覆蓋所述電源走線的第二目標(biāo)區(qū)域，所述第二目標(biāo)區(qū)域和所述第一目標(biāo)區(qū)域在所述第一方向上相鄰。

58、可選的，所述掩膜開(kāi)口還具有沿第二方向延伸的第二掩膜邊界，所述通槽區(qū)域位于所述第二掩膜邊界的一側(cè)，所述第二掩膜邊界用于形成所述第一有機(jī)膜層的凹槽區(qū)域遠(yuǎn)離所述通槽區(qū)域且沿所述第二方向延伸的第二凹槽邊界；所述凹槽區(qū)域還具有和所述通槽區(qū)域相鄰且沿所述第二方向延伸的第三凹槽邊界；

59、其中，所述第二凹槽邊界和所述第三凹槽邊界在所述第一方向上的距離大于3微米。

60、可選的，形成所述電源走線包括：在所述襯底基板的一側(cè)形成第一走線層；

61、或者，形成所述電源走線包括：在所述襯底基板的一側(cè)依次形成第二走線層，第二有機(jī)膜層以及第一走線層，所述第一走線層和所述第二走線層通過(guò)所述第二有機(jī)膜層中的開(kāi)口連接；

62、又或者，形成所述電源走線包括：在所述襯底基板的一側(cè)依次形成第三走線層，第三有機(jī)膜層，第二走線層，第二有機(jī)膜層以及第一走線層，所述第一走線層和所述第二走線層通過(guò)所述第二有機(jī)膜層中的開(kāi)口連接，所述第二走線層和所述第三走線層通過(guò)所述第三有機(jī)膜層中的開(kāi)口連接；

63、其中，所述通槽區(qū)域用于露出所述第一走線層的第一目標(biāo)區(qū)域。

64、又一方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括供電組件以及如上述方面所述的顯示面板；

65、其中，所述供電組件用于為顯示面板供電。

66、本技術(shù)提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果至少包括：

67、本技術(shù)提供了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，該顯示面板中的電源走線的第一走線層具有被第一有機(jī)膜層的通槽區(qū)域露出的第一目標(biāo)區(qū)域，第一走線層位于第一目標(biāo)區(qū)域的第三材料層在襯底基板上的正投影位于第二材料層在襯底基板上的正投影內(nèi)。第一走線層位于第一目標(biāo)區(qū)域的第二材料層在襯底基板上的正投影位于第一材料層在襯底基板上的正投影內(nèi)。由此，可以避免顯示面板后續(xù)形成的封裝膜層在第一目標(biāo)區(qū)域產(chǎn)生裂紋，進(jìn)而避免水氧沿著裂紋所產(chǎn)生的入侵通道入侵至顯示區(qū)域。本技術(shù)實(shí)施例的方案可以保證顯示區(qū)域的像素單元的發(fā)光效果，避免顯示區(qū)域出現(xiàn)黑斑不良，顯示面板的良率較高，顯示面板的顯示效果較好。