技術(shù)特征：

1.一種nor型存儲器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的nor型存儲器件，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的nor型存儲器件，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的nor型存儲器件，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的nor型存儲器件，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的nor型存儲器件，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的nor型存儲器件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的nor型存儲器件，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的nor型存儲器件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的nor型存儲器件，其中，

11.一種制造nor型存儲器件的方法，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求11-14中任一項所述的方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及NOR型存儲器件及其制造方法。該NOR型存儲器件包括：沿豎直方向交替堆疊的至少兩個源/漏接觸層和至少一個隔離層；豎直延伸穿過所述源/漏接觸層和所述隔離層的柵極結(jié)構(gòu)；以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)外周的半導(dǎo)體層；其中，分別緊鄰所述隔離層上方和下方的兩個源/漏接觸層被分別連接到兩個位線/源極線，并且與所述柵極結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體層形成一個存儲晶體管。本公開如上所述地提出了一種新型的豎直堆疊的NOR型存儲器件結(jié)構(gòu)，其提高了存儲陣列的集成密度且結(jié)構(gòu)簡單、制造工藝簡單易行。

技術(shù)研發(fā)人員：羅嘯,馮駿,許毅勝,王林凱
受保護(hù)的技術(shù)使用者：兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9