1.一種實(shí)現(xiàn)圓偏振光分辨和存儲的方法,包括如下步驟:在基底表面形成半導(dǎo)體薄膜和手性團(tuán)簇薄膜,構(gòu)筑手性團(tuán)簇半導(dǎo)體界面;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)圓偏振光分辨和存儲的方法,其特征在于:所述結(jié)構(gòu)一的所述手性團(tuán)簇半導(dǎo)體界面按照下述步驟制備:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的實(shí)現(xiàn)圓偏振光分辨和存儲的方法,其特征在于:步驟s1中,所述半導(dǎo)體薄膜的材質(zhì)為有機(jī)半導(dǎo)體材料、無機(jī)半導(dǎo)體材料和能級帶隙位于半導(dǎo)體材料定義范圍內(nèi)的二維材料中的一種或多種;
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的實(shí)現(xiàn)圓偏振光分辨和存儲的方法,其特征在于:步驟s1中,所述半導(dǎo)體薄膜的制備按照下述步驟進(jìn)行:
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項(xiàng)所述的實(shí)現(xiàn)圓偏振光分辨和存儲的方法,其特征在于:步驟s2中,所述手性團(tuán)簇薄膜的材質(zhì)為手性團(tuán)簇材料;
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)圓偏振光分辨和存儲的方法,其特征在于:所述結(jié)構(gòu)二的所述手性團(tuán)簇半導(dǎo)體界面按照下述步驟制備:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的實(shí)現(xiàn)圓偏振光分辨和存儲的方法,其特征在于:步驟sa中,所述基底為硅晶圓片、石英片、康寧玻璃、金屬電極、電荷傳輸介質(zhì)、介電層、電荷阻擋層、納米線和納米球中的一種或多種;
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的實(shí)現(xiàn)圓偏振光分辨和存儲的方法,其特征在于:步驟sb中,所述半導(dǎo)體薄膜的材質(zhì)為二維材料和有機(jī)半導(dǎo)體材料;
9.一種圓偏振光光電晶體管器件,包含權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述方法中所述手性團(tuán)簇半導(dǎo)體界面;
10.權(quán)利要求9所述的圓偏振光光電晶體管器件的制備方法,包括如下步驟: