1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括核心區(qū)和階梯區(qū)，所述頂部選擇柵極層設(shè)置在所述核心區(qū)，所述半導(dǎo)體器件還包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，
14.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
15.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述形成第一電介質(zhì)層，包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，還包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括核心區(qū)和階梯區(qū)，所述形成溝道局部觸點，包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制備方法，其特征在于，所述在所述核心區(qū)對所述蓋帽層和所述第一電介質(zhì)層執(zhí)行刻蝕操作，包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制備方法，其特征在于，所述在所述核心區(qū)對所述蓋帽層和所述第一電介質(zhì)層執(zhí)行刻蝕操作，還包括：
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制備方法，其特征在于，在所述核心區(qū)對所述蓋帽層和所述第一電介質(zhì)層執(zhí)行刻蝕操作，形成溝道局部接觸窗之后，還包括：
22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的制備方法，其特征在于，還包括：
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的制備方法，其特征在于，所述在所述溝道局部接觸窗內(nèi)填充導(dǎo)電材料，還包括：
24.根據(jù)權(quán)利要求17至21中任一項所述的制備方法，其特征在于，還包括：
25.根據(jù)權(quán)利要求15至21中任一項所述的制備方法，其特征在于，還包括：
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的制備方法，其特征在于，還包括：