技術(shù)特征：

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項所述的存儲器，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的存儲器，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述填充結(jié)構(gòu)包括支撐塊，所述支撐塊的材質(zhì)包括絕緣材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括絕緣部，所述絕緣部位于所述填充結(jié)構(gòu)和所述存儲陣列之間，所述絕緣部還位于所述隔離側(cè)墻和所述存儲陣列之間，所述絕緣部與所述填充結(jié)構(gòu)的材質(zhì)不同。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項所述的存儲器，其特征在于，所述電容器為鐵電電容器。

13.一種存儲器的制備方法，其特征在于，包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器的制備方法，其特征在于，在所述提供襯底之后，且所述形成多個存儲陣列和填充結(jié)構(gòu)之前，制備方法還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器的制備方法，其特征在于，所述填充結(jié)構(gòu)包括虛擬晶體管，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲器的制備方法，其特征在于，所述形成多條沿所述第二方向間隔設(shè)置的字線之后，所述形成多個存儲陣列和填充結(jié)構(gòu)，還包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器的制備方法，其特征在于，在所述形成所述晶體管的柵極和所述虛擬晶體管的柵極以后，所述形成多個存儲陣列，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲器的制備方法，其特征在于，在所述形成交替堆疊的多層介質(zhì)層和多層導(dǎo)電層以后，所述形成隔離側(cè)墻，包括：

19.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種存儲器及其制備方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域。存儲器包括襯底、多個存儲陣列、填充結(jié)構(gòu)及隔離側(cè)墻。其中，存儲陣列包括多個存儲單元，存儲單元包括層疊設(shè)置的晶體管和至少一個電容器，至少一個電容器電連接于晶體管背離襯底的一側(cè)。在平行于襯底的方向上，填充結(jié)構(gòu)位于相鄰的兩個存儲陣列的晶體管之間。隔離側(cè)墻位于填充結(jié)構(gòu)背離襯底的一側(cè)，且在平行于襯底的方向上，位于相鄰的兩個存儲陣列的電容器之間。通過設(shè)置填充結(jié)構(gòu)，位于相鄰存儲陣列之間區(qū)域的結(jié)構(gòu)密度增大，在進(jìn)行工藝制程時，能夠改善存儲陣列的邊緣區(qū)域的膜層結(jié)構(gòu)發(fā)生工藝缺陷，進(jìn)而改善位于存儲陣列邊緣區(qū)域的晶體管性能退化的現(xiàn)象。

技術(shù)研發(fā)人員：殷士輝,景蔚亮,季秉武,王正波,廖恒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華為技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9