本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的尺寸越來越小，制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝變得困難。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以被配置以儲(chǔ)存數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。連接于晶體管的多個(gè)字元線能夠打開或關(guān)閉晶體管。如果晶體管處于打開狀態(tài)，則晶體管可以與電容器連接，以充電或放電電容器，并且數(shù)據(jù)可以通過連接于晶體管的位元線進(jìn)行寫入或讀取。

2、此外，制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝中存在一些挑戰(zhàn)。遮罩堆疊與下面層的平整性可能會(huì)影響半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能，其中遮罩堆疊用以形成位元線。因此，需要一種可以改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)性能的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

2、根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括形成主動(dòng)區(qū)于基板中，其中基板具有陣列區(qū)域與鄰接陣列區(qū)域的周邊區(qū)域。形成字元線結(jié)構(gòu)于基板的陣列區(qū)域中。形成第一保護(hù)層覆蓋主動(dòng)區(qū)與字元線結(jié)構(gòu)。形成硬遮罩堆疊于第一保護(hù)層上。形成位元線特征于第一保護(hù)層中。在形成位元線特征之后，形成柵極介電層于基板的周邊區(qū)域中的主動(dòng)區(qū)上。形成柵極電極層于柵極介電層上。

3、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，形成硬遮罩堆疊包括形成第一硬遮罩層覆蓋第一保護(hù)層，以及形成第二硬遮罩層覆蓋第一硬遮罩層。第一硬遮罩層包括碳。

4、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，形成位元線特征包括通過使用硬遮罩堆疊作為蝕刻遮罩，形成開口于第一保護(hù)層中。形成第一導(dǎo)電層于開口中及第一保護(hù)層上。執(zhí)行平坦化工藝以形成位元線特征于基板的陣列區(qū)域上的第一保護(hù)層中。

5、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，形成開口于第一保護(hù)層中還包括蝕刻主動(dòng)區(qū)的一部分。

6、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在形成第一導(dǎo)電層之前，去除硬遮罩堆疊以暴露第一保護(hù)層的頂面。

7、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括在形成位元線特征之后，蝕刻在基板的周邊區(qū)域上的第一保護(hù)層，以暴露在基板的周邊區(qū)域中的主動(dòng)區(qū)。

8、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，形成柵極電極層包括形成第二導(dǎo)電層于基板的周邊區(qū)域上方的柵極介電層上及基板的陣列區(qū)域上方的第一保護(hù)層上。執(zhí)行蝕刻工藝以去除在基板的陣列區(qū)域上方的第二導(dǎo)電層，使得位元線特征被暴露。圖案化在基板的周邊區(qū)域上方的第二導(dǎo)電層，以形成柵極電極層。

9、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，執(zhí)行蝕刻工藝還包括蝕刻位元線特征的一部分。

10、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，執(zhí)行蝕刻工藝使得第一保護(hù)層的頂面與側(cè)壁被暴露。

11、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)于基板的陣列區(qū)域上及基板的周邊區(qū)域上。圖案化在基板的周邊區(qū)域上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以形成柵極導(dǎo)體。

12、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)使得導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有在第一保護(hù)層中的一部分。

13、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成第二保護(hù)層于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上。圖案化在基板的周邊區(qū)域上的第二保護(hù)層，以形成覆蓋層。

14、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成鄰接主動(dòng)區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)，其中字元線結(jié)構(gòu)包括介電層與字元線，介電層覆蓋主動(dòng)區(qū)的側(cè)壁，且字元線位于隔離結(jié)構(gòu)與主動(dòng)區(qū)之間。

15、本發(fā)明的另一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

16、根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括主動(dòng)區(qū)、字元線結(jié)構(gòu)、保護(hù)層、位元線特征、柵極介電層以與柵極電極層。主動(dòng)區(qū)設(shè)置于基板中，其中基板具有陣列區(qū)域與鄰接陣列區(qū)域的周邊區(qū)域。字元線結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板的陣列區(qū)域中。保護(hù)層覆蓋主動(dòng)區(qū)與字元線結(jié)構(gòu)。位元線特征設(shè)置于保護(hù)層中，其中位元線特征的頂面在保護(hù)層的頂面下方。柵極介電層與柵極電極層設(shè)置于基板的周邊區(qū)域上。

17、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，位元線特征與柵極電極層包括相同的材料。

18、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于柵極電極層上的柵極導(dǎo)體。

19、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于保護(hù)層與位元線特征上的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有位于保護(hù)層中的一部分，且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與柵極導(dǎo)體包括相同的材料。

20、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于鄰接主動(dòng)區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)。位元線特征的底面在隔離結(jié)構(gòu)的頂面下方。

21、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，字元線結(jié)構(gòu)包括介電層與字元線，介電層覆蓋主動(dòng)區(qū)的側(cè)壁，且字元線設(shè)置于隔離結(jié)構(gòu)與主動(dòng)區(qū)之間。

22、在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于基板的陣列區(qū)域上的隔離層。隔離層設(shè)置于保護(hù)層與主動(dòng)區(qū)之間。

23、根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施方式，由于形成柵極介電層于基板的周邊區(qū)域中的主動(dòng)層上是在形成位元線特征之后執(zhí)行的，可以改善硬遮罩堆疊的平整性(例如，在基板的陣列區(qū)域上的硬遮罩堆疊的第一頂面與在基板的周邊區(qū)域上的硬遮罩堆疊的第二頂面實(shí)質(zhì)上共面)與下面層的平整性，從而避免或防止在硬遮罩堆疊中形成空隙。

24、應(yīng)當(dāng)理解，上述一般描述與以下詳細(xì)描述都是通過示例，并且旨在提供對(duì)所要求保護(hù)的揭露內(nèi)容的進(jìn)一步解釋。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中形成該硬遮罩堆疊包含：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中形成該位元線特征包含：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其中形成該開口于該第一保護(hù)層中還包含蝕刻該主動(dòng)區(qū)的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其中，還包含：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，還包含：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中形成該柵極電極層包含：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中執(zhí)行該蝕刻工藝還包含蝕刻該位元線特征的一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中執(zhí)行該蝕刻工藝使得該第一保護(hù)層的頂面與側(cè)壁被暴露。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，還包含：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中形成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)使得該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有在該第一保護(hù)層中的一部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中，還包含：

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，還包含：

14.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該位元線特征與該柵極電極層包含相同的材料。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，還包含：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，還包含：

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，還包含：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該字元線結(jié)構(gòu)包含介電層與字元線，該介電層覆蓋該主動(dòng)區(qū)的側(cè)壁，且該字元線設(shè)置于該隔離結(jié)構(gòu)與該主動(dòng)區(qū)之間。

20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，還包含：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明包括一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括形成主動(dòng)區(qū)于基板中，其中基板具有陣列區(qū)域與鄰接陣列區(qū)域的周邊區(qū)域。形成字元線結(jié)構(gòu)于基板的陣列區(qū)域中。形成第一保護(hù)層覆蓋主動(dòng)區(qū)與字元線結(jié)構(gòu)。形成硬遮罩堆疊于第一保護(hù)層上。形成位元線特征于第一保護(hù)層中。在形成位元線特征之后，形成柵極介電層于基板的周邊區(qū)域中的主動(dòng)區(qū)上。形成柵極電極層于柵極介電層上。借此，可以改善硬遮罩堆疊的平整性與下面層的平整性，從而避免或防止在硬遮罩堆疊中形成空隙。

技術(shù)研發(fā)人員：王茂盈,林育廷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南亞科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26