本技術(shù)屬于顯示，尤其涉及一種顯示面板、所述顯示面板的制備方法以及包括所述顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、光電器件例如oled(organic?light-emitting?diode，有機(jī)發(fā)光二極管)和qled(quantum?dot?light-emitting?diode，量子點(diǎn)發(fā)光二極管)經(jīng)常應(yīng)用在顯示技術(shù)領(lǐng)域。其中，oled具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、使用溫度范圍寬和可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，使得其在顯示面板中有著廣泛的應(yīng)用前景。

2、然而，現(xiàn)有顯示面板中的光電器件的出光效率仍有待進(jìn)一步提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板及顯示裝置，以解決現(xiàn)有顯示面板中的光電器件出光效率有待提高的問題。

2、第一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括基板、像素界定層、陽極、功能層和陰極；所述像素界定層設(shè)置在所述基板上，所述像素界定層包括多個第一堤壩和多個第二堤壩，多個所述第一堤壩間隔分布，所述第二堤壩覆蓋所述第一堤壩，多個所述第二堤壩的側(cè)壁形成開口；所述陽極包括第一陽極和第二陽極，所述第一陽極設(shè)置在所述第一堤壩與所述第二堤壩之間并覆蓋所述第一堤壩，所述第二陽極設(shè)置在所述開口中；所述功能層設(shè)置在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上；所述陰極覆蓋所述第二堤壩和所述功能層。

3、可選的，所述第一陽極的側(cè)壁靠近所述基板的一側(cè)向內(nèi)凹進(jìn)，所述第一陽極的側(cè)壁遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)向外凸出；和/或，所述第一陽極的可見光反射率為95％～100％。

4、可選的，所述第一堤壩的縱截面形狀為梯形或者矩形。

5、可選的，所述第一陽極的厚度為50nm～150nm；和/或，所述第二陽極的厚度為50nm～150nm；和/或，所述第一堤壩的厚度為0.1μm～2μm；和/或，所述第二堤壩的厚度為0.1μm～2μm。

6、可選的，所述顯示面板還包括設(shè)置在所述基板上的顯示驅(qū)動器件，所述像素界定層、所述陽極、所述功能層和所述陰極設(shè)置在所述顯示驅(qū)動器件遠(yuǎn)離所述基板的表面上，所述陽極與所述顯示驅(qū)動器件電性連接。

7、可選的，所述顯示驅(qū)動器件包括第一電容，所述第二堤壩、所述第一陽極和所述陰極形成第二電容，所述第一陽極與所述第一電容的其中一個電極電性連接，所述陰極的電位與所述第一電容的另一個電極的電位相同。

8、可選的，所述功能層包括發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)置在所述第二陽極與所述陰極之間。

9、可選的，所述第一堤壩和所述第二堤壩的材料分別獨(dú)立選自聚酰亞胺、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚丙烯酸、聚二甲基硅氧烷、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅以及碳氧化硅中的一種；和/或，所述第一陽極選自金屬電極以及摻雜或非摻雜金屬氧化物電極中的一種或者多種形成的復(fù)合電極；其中，所述金屬電極的材料選自al、ag、ti、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的至少一種；所述摻雜或非摻雜金屬氧化物電極的材料選自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的至少一種；所述復(fù)合電極的材料選自izo/ag、izo/ag/izo、azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的至少一種；和/或，所述第二陽極和所述陰極分別獨(dú)立選自金屬電極、碳電極以及摻雜或非摻雜金屬氧化物電極中的一種或者多種形成的復(fù)合電極；其中，所述金屬電極的材料選自al、ag、ti、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的至少一種；所述碳電極的材料選自石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的至少一種；所述摻雜或非摻雜金屬氧化物電極的材料選自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的至少一種；所述復(fù)合電極的材料選自izo/ag、izo/ag/izo、azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的至少一種；和/或，所述發(fā)光層為量子點(diǎn)發(fā)光層或有機(jī)發(fā)光層，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的材料選自單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)及核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)中的至少一種，所述單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的材料選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物以及i-iii-vi族化合物中的至少一種，其中，所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete以及hgznste中的至少一種，所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete以及snpbste中的至少一種，所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas以及inalpsb中的至少一種，所述i-iii-vi族化合物選自cuins2、cuinse2以及agins2中的至少一種；和/或，

10、所述核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)的核包括上述單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)中的任意一種，所述核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)的殼層材料包括cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses、zns以及上述單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)中的至少一種；所述有機(jī)發(fā)光層的材料包括4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯:三[2-(對甲苯基)吡啶-c2,n)合銥(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對甲苯基)吡啶-c2,n)合銥、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、ttpx熒光材料、tbrb熒光材料及dbp熒光材料、聚乙炔及其衍生物、聚對苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一種；和/或，所述功能層還包括空穴傳輸層，所述空穴傳輸層設(shè)置在所述第二陽極與所述發(fā)光層之間，所述空穴傳輸層的材料包括tfb、cupc、pvk、poly-tpd、dntpd、tcata、tcca、cbp、tpd、npb、npd、pedot:pss、tapc、mcc、f4-tcnq、hatcn、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、過渡金屬氧化物、過渡金屬硫化物、過渡金屬錫化物、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯以及c60中的至少一種；和/或，所述功能層還包括空穴注入層，所述空穴注入層設(shè)置在所述第二陽極與所述發(fā)光層之間，所述空穴注入層的材料包括tfb、cupc、pvk、poly-tpd、dntpd、tcata、tcca、cbp、tpd、npb、npd、pedot:pss、tapc、mcc、f4-tcnq、hatcn、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、過渡金屬氧化物、過渡金屬硫化物、過渡金屬錫化物、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯以及c60中的至少一種；和/或，所述功能層還包括電子傳輸層，所述電子傳輸層設(shè)置在所述陰極與所述發(fā)光層之間，所述電子傳輸層的材料包括無機(jī)材料和/或有機(jī)材料，所述無機(jī)材料選自摻雜或非摻雜的氧化鋅、氧化鋇、氧化鋁、氧化鎳、氧化鈦、氧化錫、氧化鉭、氧化鋯、氧化鎳、氧化鈦鋰、氧化鋅鋁、氧化鋅錳、氧化鋅錫、氧化鋅鋰、氧化銦錫、硫化鎘、硫化鋅、硫化鉬、硫化鎢、硫化銅、錫化鋅、磷化銦、磷化鎵、硫化銅銦、硫化銅鎵以及鈦酸鋇中的一種或多種，摻雜的元素包括鋁、鎂、鋰、錳、釔、鑭、銅、鎳、鋯、鈰以及釓中的一種或多種，所述有機(jī)材料選自喹喔啉化合物、咪唑類化合物、三嗪類化合物，含芴類化合物以及羥基喹啉化合物中的一種或多種；和/或，所述功能層還包括電子注入層，所述電子注入層設(shè)置在所述陰極與所述發(fā)光層之間，所述電子注入層的材料包括無機(jī)材料和/或有機(jī)材料，所述無機(jī)材料選自摻雜或非摻雜的氧化鋅、氧化鋇、氧化鋁、氧化鎳、氧化鈦、氧化錫、氧化鉭、氧化鋯、氧化鎳、氧化鈦鋰、氧化鋅鋁、氧化鋅錳、氧化鋅錫、氧化鋅鋰、氧化銦錫、硫化鎘、硫化鋅、硫化鉬、硫化鎢、硫化銅、錫化鋅、磷化銦、磷化鎵、硫化銅銦、硫化銅鎵以及鈦酸鋇中的一種或多種，摻雜的元素包括鋁、鎂、鋰、錳、釔、鑭、銅、鎳、鋯、鈰以及釓中的一種或多種，所述有機(jī)材料選自喹喔啉化合物、咪唑類化合物、三嗪類化合物，含芴類化合物以及羥基喹啉化合物中的一種或多種。

11、第二方面，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種顯示面板的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：提供基板，在所述基板上形成多個間隔分布的第一堤壩，多個所述第一堤壩的側(cè)壁形成開口；在所述基板上形成陽極，所述陽極包括覆蓋所述第一堤壩的第一陽極和位于所述開口中的第二陽極，所述第二陽極與所述第一陽極之間具有間隙；在所述基板上形成覆蓋所述第一陽極的第二堤壩；在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上形成功能層；在所述第二堤壩和所述功能層上形成陰極，得到顯示面板。

12、可選的，所述在所述基板上形成多個間隔分布的第一堤壩包括：在所述基板上形成顯示驅(qū)動器件；在所述顯示驅(qū)動器件遠(yuǎn)離所述基板的表面上形成多個間隔分布的所述第一堤壩。

13、可選的，所述功能層包括發(fā)光層，所述在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上形成功能層包括：在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上形成發(fā)光層。

14、可選的，所述功能層還包括空穴傳輸層，所述在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上形成功能層包括：在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上依次形成層疊的所述空穴傳輸層和所述發(fā)光層；和/或，所述功能層還包括空穴注入層，所述在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上形成功能層包括：在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上依次形成層疊的所述空穴注入層和所述發(fā)光層；和/或，所述功能層還包括電子傳輸層，所述在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上形成功能層包括：在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上依次形成層疊的所述發(fā)光層和所述電子傳輸層；和/或，所述功能層還包括電子注入層，所述在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上形成功能層包括：在所述第二陽極遠(yuǎn)離所述基板的表面上依次形成層疊的所述發(fā)光層和所述電子注入層。

15、第三方面，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示面板，或者所述顯示裝置包括由上述的制備方法制得的顯示面板。

16、本技術(shù)通過在第二堤壩內(nèi)部設(shè)置第一堤壩和第一陽極，第一陽極覆蓋第一堤壩以形成三維反光結(jié)構(gòu)，從而當(dāng)光電器件發(fā)射的部分光線進(jìn)入第二堤壩內(nèi)部后，可通過第一陽極的反射將光線向光電器件的出光面導(dǎo)出，從而有效提高光電器件的出光效率，進(jìn)而提高了顯示面板和顯示裝置的亮度。