本公開總體上涉及一種存儲器設(shè)備和一種制造存儲器設(shè)備的方法，并且更具體地，本公開涉及一種包括在豎直方向上延伸的單元插塞的存儲器設(shè)備和一種制造該存儲器設(shè)備的方法。

背景技術(shù)：

1、存儲器設(shè)備可以包括非易失性存儲器設(shè)備，在非易失性存儲器設(shè)備中，即使電源中斷，存儲的數(shù)據(jù)也會保持原樣。根據(jù)布置存儲器單元的結(jié)構(gòu)，非易失性存儲器設(shè)備可以劃分為二維結(jié)構(gòu)和三維結(jié)構(gòu)。具有二維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的存儲器單元可以以單層布置在襯底上方，并且具有三維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的存儲器單元可以在豎直方向上堆疊在襯底上方。由于具有三維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的集成度高于具有二維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的集成度，因此近來越來越多地使用利用具有三維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的電子設(shè)備。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、實施例提供了一種存儲器設(shè)備及其制造方法，其可以提高存儲器設(shè)備的操作可靠性。

2、根據(jù)本公開的一個方面，提供了一種存儲器設(shè)備，該存儲器設(shè)備包括：堆疊結(jié)構(gòu)；以及在堆疊結(jié)構(gòu)內(nèi)部的溝道層，其中溝道層包括：第一子溝道層；沿著第一子溝道層的內(nèi)壁形成的襯墊層；以及沿著襯墊層的內(nèi)壁形成的第二子溝道層。

3、根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種制造存儲器設(shè)備的方法，該方法包括：形成堆疊結(jié)構(gòu)，在堆疊結(jié)構(gòu)中，第一材料層和第二材料層交替地堆疊；在堆疊結(jié)構(gòu)內(nèi)部形成開口；在開口中形成第一子溝道層；沿著第一子溝道層的內(nèi)壁形成襯墊層；以及沿著襯墊層的內(nèi)壁形成第二子溝道層。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器設(shè)備，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述第一子溝道層包括未摻雜硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述第二子溝道層包括摻雜有雜質(zhì)的硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器設(shè)備，其中所述雜質(zhì)是xiii族元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器設(shè)備，其中所述雜質(zhì)是硼。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述襯墊層是絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器設(shè)備，其中所述襯墊層具有小于所述第二寬度的第三寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述第一子溝道層、所述第二子溝道層和所述襯墊層中的每者穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述襯墊層形成在所述第一子溝道層與所述第二子溝道層之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述襯墊層沿著所述第二子溝道層的外壁形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，還包括在所述溝道層的外壁上的存儲器層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲器設(shè)備，其中所述存儲器層包括阻擋層、電荷陷阱層和隧道絕緣層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器設(shè)備，其中

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，還包括在所述溝道層內(nèi)部的柱。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交替地堆疊的導(dǎo)電層和層間絕緣層。

17.一種制造存儲器設(shè)備的方法，所述方法包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括：在形成所述第一子溝道層之前，沿著所述開口的內(nèi)壁形成存儲器層。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中形成所述存儲器層包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一子溝道層由未摻雜硅形成。

21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述襯墊層是絕緣層。

22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第二子溝道層是摻雜有雜質(zhì)的硅。

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中形成所述第二子溝道層的步驟包括：

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中將雜質(zhì)注入到所述硅層中是通過傾斜離子注入工藝來執(zhí)行的，在所述傾斜離子注入工藝中，由注入所述雜質(zhì)的方向和襯底形成的角度小于90度。

25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述雜質(zhì)是xiii族元素。

26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述雜質(zhì)是硼。

27.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括：在形成所述第二子溝道層之后，用柱填充所述第二子溝道層的內(nèi)部。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及存儲器設(shè)備及其制造方法。一種存儲器設(shè)備可以包括堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)由交替地堆疊的第一材料層和第二材料層組成。堆疊結(jié)構(gòu)還包括在堆疊結(jié)構(gòu)內(nèi)部的溝道層。溝道層可以包括第一子溝道層、沿著第一子溝道層的內(nèi)壁形成的襯墊層，以及沿著襯墊層的內(nèi)壁形成的第二子溝道層。

技術(shù)研發(fā)人員：梁螢埈,鄭泰秀
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2