本申請(qǐng)屬于顯示,尤其涉及一種光電器件及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù):
1、目前廣泛使用的光電器件為有機(jī)發(fā)光器件(oled)和量子點(diǎn)發(fā)光器件(qled)。oled由于其具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超輕薄、相應(yīng)速度快、寬視角、低功耗、可柔性顯示等十分優(yōu)異的顯示性能,已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域中的主流技術(shù)。qled具有出射光顏色飽、波長(zhǎng)可調(diào)、啟亮電壓低、溶液加工性好、量子點(diǎn)易于精細(xì)控制等優(yōu)點(diǎn),而且光致、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高,近年來(lái)成了oled的有力競(jìng)爭(zhēng)著。
2、然而,現(xiàn)有光電器件的功能層,例如發(fā)光層、電子功能層、空穴功能層等,由于缺乏柔性骨架與柔性鏈段,其斷裂能低,在機(jī)械應(yīng)力下這些功能層容易產(chǎn)生嚴(yán)重的裂紋,導(dǎo)致光電器件的效率大幅降低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、基于此,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光電器件及其制備方法、顯示裝置。
2、第一方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種光電器件,所述光電器件包括層疊設(shè)置的第一電極、功能層和第二電極,所述功能層包括層疊設(shè)置的第一電極、功能層和第二電極,所述功能層包括多層子功能層,至少兩層相鄰的所述子功能層之間設(shè)置有第一界面修飾層,所述第一界面修飾層的材料包括超支化聚合物。
3、第二方面,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種光電器件的制備方法,所述制備方法包括如下步驟:在預(yù)拉伸的彈性襯底上形成第一電極;在所述第一電極上形成包括多層子功能層的功能層以及在至少兩層相鄰的所述子功能層之間形成第一界面修飾層,所述第一界面修飾層的材料包括超支化聚合物;在所述功能層上形成第二電極;所述彈性襯底由拉伸狀態(tài)恢復(fù)至初始狀態(tài),使所述第一電極、所述功能層、所述第一界面修飾層和所述第二電極形成褶皺結(jié)構(gòu),得到光電器件。
4、第三方面,本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述的光電器件,或者所述顯示裝置包括由上述的制備方法制備得到的光電器件。
5、本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓怆娖骷?,至少兩層相鄰的子功能層之間設(shè)置有第一界面修飾層,所述第一界面修飾層的材料包括超支化聚合物,超支化聚合物能夠有效地吸收和減輕變形能量,從而提高相鄰的子功能層之間的界面的機(jī)械強(qiáng)度和韌性,減少甚至避免各子功能層出現(xiàn)裂紋,減少漏電流,進(jìn)而提高光電器件的效率。
1.一種光電器件,其特征在于,包括層疊設(shè)置的第一電極、功能層和第二電極,所述功能層包括多層子功能層,至少兩層相鄰的所述子功能層之間設(shè)置有第一界面修飾層,所述第一界面修飾層的材料包括超支化聚合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電器件,其特征在于,所述第一界面修飾層形成褶皺結(jié)構(gòu);
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電器件,其特征在于,所述褶皺結(jié)構(gòu)中凸起與相鄰凹槽的高度差為5nm~300nm,所述褶皺結(jié)構(gòu)中相鄰兩個(gè)凸起的間距為50nm~2000nm,所述褶皺結(jié)構(gòu)中相鄰兩個(gè)凹槽的間距為50nm~2000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電器件,其特征在于,所述超支化聚合物為聚酰胺胺基超支化聚合物,所述聚酰胺胺基超支化聚合物由第一單體和第二單體通過加成反應(yīng)合成,所述第一單體與第二單體的摩爾比為1:2~2:1;
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電器件,其特征在于,所述聚酰胺胺基超支化聚合物的結(jié)構(gòu)式為:
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光電器件,其特征在于,所述子功能層包括發(fā)光層和電子功能層,所述電子功能層設(shè)置在所述發(fā)光層與所述第一電極之間或所述發(fā)光層與所述第二電極之間,所述發(fā)光層與所述電子功能層之間設(shè)置有所述第一界面修飾層;
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電器件,其特征在于,所述電子功能層包括電子傳輸層和/或電子注入層;
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電器件,其特征在于,所述電子功能層包括所述電子傳輸層和所述電子注入層時(shí),所述電子傳輸層與所述電子注入層之間設(shè)置有所述第一界面修飾層;
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電器件,其特征在于,所述空穴功能層包括空穴傳輸層和/或空穴注入層;
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電器件,其特征在于,所述空穴功能層包括所述空穴傳輸層和所述空穴注入層時(shí),所述空穴傳輸層與所述空穴注入層之間設(shè)置有所述第一界面修飾層;
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光電器件,其特征在于,所述第一界面修飾層的厚度為1nm~50nm;
12.一種光電器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法,其特征在于,所述子功能層包括發(fā)光層和電子功能層,所述在所述第一電極上形成包括多層子功能層的功能層以及在至少兩層相鄰的所述子功能層之間形成第一界面修飾層的步驟包括:
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備方法,其特征在于,所述在至少兩層相鄰的所述子功能層之間形成第一界面修飾層的步驟包括:
15.根據(jù)權(quán)利要求12~14任意一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述超支化聚合物為聚酰胺胺基超支化聚合物,所述聚酰胺胺基超支化聚合物由第一單體和第二單體通過加成反應(yīng)合成,所述第一單體為n,n'-亞甲基二丙烯酰胺,所述第二單體為c2~c30的烷基二胺,所述第一單體與第二單體的比例為1:2~2:1;
16.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權(quán)利要求1~11任意一項(xiàng)所述的光電器件,或者所述顯示裝置包括由權(quán)利要求12~15任意一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的光電器件。