本技術(shù)涉及顯示，尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

1、近年來，amoled(active-matrix?organic?light?emitting?diode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)因無需背光源、輕薄、發(fā)光效率高、低功耗、高色飽和度以及廣視角等優(yōu)點(diǎn)，成為了平面顯示器的發(fā)展趨勢。

2、amoled通常是由低溫多晶硅(low?temperature?poly-silicon，ltps)驅(qū)動(dòng)背板和電激發(fā)光層組成自發(fā)光組件。低溫多晶硅具有較高的電子遷移率，對(duì)amoled而言，采用低溫多晶硅材料具有高分辨率、反應(yīng)速度快、高亮度、高開口率、低能耗等優(yōu)點(diǎn)。

3、目前準(zhǔn)分子鐳射退火(ela，excimer?laser?annealing)是制作低溫多晶硅使用最為廣泛的方法，已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)。然而，采用準(zhǔn)分子鐳射退火制作低溫多晶硅還存在生產(chǎn)能耗高的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種陣列基板及顯示面板，旨在解決采用準(zhǔn)分子鐳射退火制備陣列基板的過程中生產(chǎn)能耗高的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種陣列基板，該陣列基板包括：

3、襯底，以及依次沉積在所述襯底上的氮化硅緩沖層、復(fù)合反射層、二氧化硅緩沖層、半導(dǎo)體層、第一絕緣層、第一柵極、第二絕緣層、第二柵極、第三絕緣層、電極數(shù)據(jù)線、第四絕緣層、有機(jī)平坦層、陽極電極、像素定義層；

4、所述電極數(shù)據(jù)線穿過所述第三絕緣層和所述第二絕緣層，且避開所述第一柵極和所述第二柵極，進(jìn)入所述第一絕緣層中與所述半導(dǎo)體層接觸；

5、所述陽極電極穿過所述有機(jī)平坦層，進(jìn)入所述第四絕緣層中與所述電極數(shù)據(jù)線接觸。

6、可選地，所述復(fù)合反射層包括二氧化鈦原子層和二氧化硅原子層交替設(shè)置的疊層。

7、可選地，所述復(fù)合反射層的厚度為160-300nm。

8、可選地，所述復(fù)合反射層中，和所述二氧化硅緩沖層接觸的膜層為所述二氧化硅原子層。

9、可選地，所述半導(dǎo)體層的厚度為

10、可選地，所述氮化硅緩沖層的厚度為

11、可選地，所述二氧化硅緩沖層的厚度為

12、可選地，所述有機(jī)平坦層的厚度為1.8-2.5μm。

13、可選地，所述第三絕緣層的厚度為所述第四絕緣層的厚度為

14、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括如上文所述的陣列基板。

15、本實(shí)用新型提供的陣列基板，包括：襯底，以及依次沉積在所述襯底上的氮化硅緩沖層、復(fù)合反射層、二氧化硅緩沖層、半導(dǎo)體層、第一絕緣層、第一柵極、第二絕緣層、第二柵極、第三絕緣層、電極數(shù)據(jù)線、第四絕緣層、有機(jī)平坦層、陽極電極、像素定義層；所述電極數(shù)據(jù)線穿過所述第三絕緣層和所述第二絕緣層，且避開所述第一柵極和所述第二柵極，進(jìn)入所述第一絕緣層中與所述半導(dǎo)體層接觸；所述陽極電極穿過所述有機(jī)平坦層，進(jìn)入所述第四絕緣層中與所述電極數(shù)據(jù)線接觸。通過在二氧化硅緩沖層和氮化硅緩沖層之間設(shè)置復(fù)合反射層，在進(jìn)行準(zhǔn)分子鐳射退火的過程中，當(dāng)激光穿透半導(dǎo)體層中的非晶硅和二氧化硅緩沖層后照射在復(fù)合反射層，復(fù)合反射層能將激光反射回非晶硅，提高了激光的利用率，即使降低發(fā)射激光的輸出能量，也能保證非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅，故降低了低溫多晶硅的生產(chǎn)能耗，且復(fù)合反射層還可以將來自外界通過襯底進(jìn)入的紫外光反射出去，提高多晶硅陣列基板器件的穩(wěn)定性。

技術(shù)特征：

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述復(fù)合反射層包括二氧化鈦原子層和二氧化硅原子層交替設(shè)置的疊層。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述復(fù)合反射層的厚度為160-300nm。

4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述復(fù)合反射層中，和所述二氧化硅緩沖層接觸的膜層為所述二氧化硅原子層。

5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的厚度為

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述氮化硅緩沖層的厚度為

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述二氧化硅緩沖層的厚度為

8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)平坦層的厚度為1.8-2.5μm。

9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第三絕緣層的厚度為所述第四絕緣層的厚度為

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的陣列基板。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種陣列基板及顯示面板，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，該陣列基板包括：襯底，以及依次沉積在襯底上的氮化硅緩沖層、復(fù)合反射層、二氧化硅緩沖層、半導(dǎo)體層、第一絕緣層、第一柵極、第二絕緣層、第二柵極、第三絕緣層、電極數(shù)據(jù)線、第四絕緣層、有機(jī)平坦層、陽極電極、像素定義層；電極數(shù)據(jù)線穿過第三絕緣層和第二絕緣層，且避開第一柵極和第二柵極，進(jìn)入第一絕緣層中與多晶硅接觸；陽極電極穿過有機(jī)平坦層，進(jìn)入第四絕緣層中與電極數(shù)據(jù)線接觸。本技術(shù)通過設(shè)置復(fù)合反射層，將穿透二氧化硅緩沖層的激光反射回半導(dǎo)體層，實(shí)現(xiàn)了降低制備陣列基板的生產(chǎn)能耗的技術(shù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：胡威威,卓恩宗,謝俊烽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：滁州惠科光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231206
技術(shù)公布日：2024/12/26