本公開整體涉及半導體器件領域，并且具體地涉及包括橫向間隔開的源極線的三維存儲器器件及其制造方法。

背景技術：

1、每個單元具有一個位的三維豎直nand串在t.endoh等人的名稱為“具有堆疊的包圍柵極晶體管(s-sgt)結(jié)構(gòu)化單元的新型超高密度存儲器(novel?ultra?high?densitymemory?with?a?stacked-surrounding?gate?transistor(s-sgt)structured?cell)”，iedm?proc.(2001)33-36的文章中公開。

技術實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開的一方面，一種存儲器器件包括：第一存儲塊，該第一存儲塊包含第一字線和第一源極層區(qū)段；以及第二存儲塊，該第二存儲塊包含第二字線和與該第一源極層區(qū)段電隔離的第二源極層區(qū)段。該第一存儲塊中的該第一字線電連接到該第二存儲塊中的相應的第二字線。

2、根據(jù)本公開的另一方面，一種形成存儲器器件的方法包括：形成源極層區(qū)段和源極隔離介電結(jié)構(gòu)的橫向交替序列；形成連續(xù)絕緣層和連續(xù)犧牲材料層的豎直交替序列；穿過該豎直交替序列形成存儲器開口；在該存儲器開口中形成存儲器開口填充結(jié)構(gòu)，其中該存儲器開口填充結(jié)構(gòu)中的每個存儲器開口填充結(jié)構(gòu)包括相應的存儲器元件豎直堆疊和相應的豎直半導體溝道；通過形成沿著第一水平方向橫向延伸且沿著第二水平方向橫向間隔開的背側(cè)溝槽來將該豎直交替序列劃分成絕緣層和犧牲材料層的過程中交替堆疊；以及用導電層替換該犧牲材料層以形成絕緣層和導電的交替堆疊，該交替堆疊通過該背側(cè)溝槽彼此橫向間隔開并且在該源極隔離介電結(jié)構(gòu)中的至少一個源極隔離介電結(jié)構(gòu)上方延伸。

技術特征：

1.一種存儲器器件，所述存儲器器件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器器件，所述存儲器器件還包括第三存儲塊，所述第三存儲塊包括第三字線和存儲器開口填充結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器器件，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器器件，所述存儲器器件還包括字線切換器件和源極線開關器件，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器器件，其中：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器器件，所述存儲器器件還包括字線切換器件和源極線開關器件，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器器件，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器器件，其中所述單元結(jié)構(gòu)的每個實例包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器器件，其中：

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器器件，其中所述源極層區(qū)段中的每個源極層區(qū)段包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器器件，其中：

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器器件，其中所述第一字線和所述第二字線在所述第一單元結(jié)構(gòu)中的相應的相鄰對背側(cè)溝槽填充結(jié)構(gòu)之間橫向連續(xù)延伸。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器器件，所述存儲器器件還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器器件，其中所述第一單元結(jié)構(gòu)還包括第三存儲塊，所述第三存儲塊包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲器器件，所述存儲器器件還包括背側(cè)溝槽填充結(jié)構(gòu)，所述背側(cè)溝槽填充結(jié)構(gòu)接觸所述源極隔離介電結(jié)構(gòu)中的第一源極隔離介電結(jié)構(gòu)并且接觸所述第一單元結(jié)構(gòu)中的所述交替堆疊和位于所述單元結(jié)構(gòu)的相鄰實例內(nèi)的另一交替堆疊。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器器件，所述存儲器器件還包括接合到存儲器裸片的邏輯裸片，所述存儲器裸片包含所述單元結(jié)構(gòu)。

18.一種形成存儲器器件的方法，所述方法包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述背側(cè)溝槽和所述源極層區(qū)段沿著所述第二水平方向交錯，使得每個背側(cè)溝槽形成在相鄰對源極層區(qū)段之間。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，所述方法還包括將邏輯裸片接合到包含所述存儲器開口填充結(jié)構(gòu)的存儲器裸片，其中至少三個源極層區(qū)段位于相鄰的背側(cè)溝槽之間。

技術總結(jié)
一種存儲器器件包括：第一存儲塊，該第一存儲塊包含第一字線和第一源極層區(qū)段；和第二存儲塊，該第二存儲塊包含第二字線和與該第一源極層區(qū)段電隔離的第二源極層區(qū)段。該第一存儲塊中的該第一字線電連接到該第二存儲塊中的相應的第二字線。

技術研發(fā)人員：東谷政昭,J·凱,J·阿爾斯邁耶
受保護的技術使用者：桑迪士克科技有限責任公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/1/2