本公開總體上涉及存儲器設(shè)備和該存儲器設(shè)備的制造方法，并且更特別地，涉及包括具有三維結(jié)構(gòu)的存儲器塊的存儲器設(shè)備和該存儲器設(shè)備的制造方法。

背景技術(shù)：

1、存儲器設(shè)備可以包括非易失性存儲器設(shè)備，在非易失性存儲器設(shè)備中存儲的數(shù)據(jù)即使在電源被中斷時也保持原樣。非易失性存儲器設(shè)備可以根據(jù)在其中布置存儲器單元的結(jié)構(gòu)被分為二維結(jié)構(gòu)和三維結(jié)構(gòu)。具有二維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的存儲器單元可以布置在襯底上方的單個層中，并且具有三維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的存儲器單元可以在垂直方向上堆疊在襯底上方。由于具有三維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的集成程度高于具有二維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的集成程度，因此使用具有三維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備的電子設(shè)備最近已經(jīng)越來越多地被使用。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、依照本公開的一個方面，提供了一種存儲器設(shè)備，該存儲器設(shè)備包括：堆疊結(jié)構(gòu)，其包括沿第一方向交替堆疊的多個導(dǎo)電層和多個層間絕緣層，該堆疊結(jié)構(gòu)包括單元區(qū)域和接觸區(qū)域，接觸區(qū)域從單元區(qū)域延伸并且具有臺階結(jié)構(gòu)；在接觸區(qū)域中分別與多個導(dǎo)電層接觸的多個接觸插塞，多個接觸插塞在第一方向上延伸；以及分別與接觸插塞接觸的多個下柱，多個下柱在堆疊結(jié)構(gòu)中位于接觸插塞的底部上，其中多個下柱中的每個下柱包括：與堆疊結(jié)構(gòu)接觸的襯墊層；以及由襯墊層圍繞的柱結(jié)構(gòu)。

2、依照本公開的另一方面，提供了一種制造存儲器設(shè)備的方法，該方法包括：通過在第一方向上交替堆疊多個第一材料層和多個第二材料層來形成初步堆疊結(jié)構(gòu)，初步堆疊結(jié)構(gòu)包括單元區(qū)域和接觸區(qū)域，接觸區(qū)域從單元區(qū)域延伸并且具有臺階結(jié)構(gòu)；在接觸區(qū)域中形成穿透初步堆疊結(jié)構(gòu)的多個開口；通過用多個第三材料層替代多個第一材料層來形成堆疊結(jié)構(gòu)；形成多個下柱，每個下柱包括襯墊層和柱結(jié)構(gòu)，襯墊層與堆疊結(jié)構(gòu)接觸，柱結(jié)構(gòu)由襯墊層圍繞，使得用多個第三材料層形成的臺階在臺階結(jié)構(gòu)中被暴露；以及在多個開口中的多個下柱上形成多個接觸插塞，該多個接觸插塞分別與多個第三材料層的臺階接觸。

3、依照本公開的又一方面，提供了一種制造存儲器設(shè)備的方法，該方法包括：形成初步堆疊結(jié)構(gòu)，在初步堆疊結(jié)構(gòu)中，多個第一材料層和多個第二材料層以臺階結(jié)構(gòu)堆疊；形成多個對，每個對包括多個第一材料層中的一個第一材料層和多個第二材料層中的一個第二材料層；在初步堆疊結(jié)構(gòu)之上形成上絕緣層；形成穿透上絕緣層和初步堆疊結(jié)構(gòu)的多個開口；通過用多個第三材料層替代多個第一材料層來形成堆疊結(jié)構(gòu)；在多個開口的第一區(qū)域中形成多個下柱，每個下柱包括襯墊層和柱結(jié)構(gòu)；以及在多個開口的在第一區(qū)域上方的第二區(qū)域中形成多個接觸插塞。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器設(shè)備，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述多個下柱中的每個下柱分別位于穿透所述堆疊結(jié)構(gòu)的多個開口中，并且

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器設(shè)備，其中所述多個接觸插塞中的每個接觸插塞的至少一部分具有大于所述第二寬度的第三寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器設(shè)備，其中所述襯墊層沿所述多個開口中的每個開口的內(nèi)壁形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述柱結(jié)構(gòu)包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述柱結(jié)構(gòu)通過所述襯墊層與所述堆疊結(jié)構(gòu)間隔開。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述柱結(jié)構(gòu)的頂表面與所述多個接觸插塞當(dāng)中的相應(yīng)接觸插塞的底表面接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述多個下柱中的每個下柱進(jìn)一步包括覆蓋所述柱結(jié)構(gòu)的頂表面的覆蓋圖案，并且

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器設(shè)備，其中所述多個接觸插塞當(dāng)中的第一接觸插塞：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，其中所述第一接觸插塞包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器設(shè)備，其中所述第一接觸插塞的所述延伸部與所述第一導(dǎo)電層的頂表面接觸。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器設(shè)備，其中所述第一接觸插塞的所述突出部與所述第一導(dǎo)電層的由開口暴露的內(nèi)壁接觸，并且與所述第一下柱的頂表面接觸。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器設(shè)備，其中所述第一接觸插塞的所述突出部與所述第一下柱之間的邊界表面位于所述第一導(dǎo)電層的頂表面與底表面之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器設(shè)備，進(jìn)一步包括覆蓋所述堆疊結(jié)構(gòu)的上絕緣層，

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器設(shè)備，其中所述多個導(dǎo)電層進(jìn)一步包括位于所述第一導(dǎo)電層下方的第二導(dǎo)電層，并且

16.一種制造存儲器設(shè)備的方法，所述方法包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述多個開口中的每個開口包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第二延伸部的寬度大于所述第一延伸部的寬度。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述堆疊結(jié)構(gòu)包括：

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中形成所述多個下柱中的每個下柱包括：

22.一種制造存儲器設(shè)備的方法，所述方法包括：

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中形成所述堆疊結(jié)構(gòu)包括：

24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中形成所述多個下柱包括：

25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中移除每個初步柱層的所述一部分和每個初步襯墊層的所述一部分包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及存儲器設(shè)備和該存儲器設(shè)備的制造方法。一種存儲器設(shè)備可以包括：堆疊結(jié)構(gòu)，其包括沿第一方向交替堆疊的多個導(dǎo)電層和多個層間絕緣層，該堆疊結(jié)構(gòu)包括單元區(qū)域和接觸區(qū)域，接觸區(qū)域從單元區(qū)域延伸并且具有臺階結(jié)構(gòu)；在接觸區(qū)域中分別與多個導(dǎo)電層接觸的多個接觸插塞，多個接觸插塞在第一方向上延伸；以及分別與接觸插塞接觸的多個下柱，多個下柱在堆疊結(jié)構(gòu)中位于接觸插塞的底部上。多個下柱中的每個下柱可以包括與堆疊結(jié)構(gòu)接觸的襯墊層以及由襯墊層圍繞的柱結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：崔元根,郭魯珪,張晶植
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9