本公開涉及半導(dǎo)體裝置，并且更具體地，涉及包括屏蔽線和屏蔽接觸線的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體存儲器裝置的性能和成本可通過增加裝置的集成而被改善。在二維半導(dǎo)體存儲器裝置或平坦區(qū)域半導(dǎo)體存儲器裝置的情況下，其集成可通過由單位存儲器單元占據(jù)的面積而被確定，并且可被精細(xì)圖案形成技術(shù)的水平影響。然而，由于圖案小型化可需要昂貴的設(shè)備，因此2d半導(dǎo)體存儲器裝置的集成可被限制。

2、為了降低制造半導(dǎo)體存儲器裝置的成本，已經(jīng)提出了包括其中溝道沿垂直方向延伸的垂直溝道晶體管的半導(dǎo)體存儲器裝置，這包括精細(xì)地形成構(gòu)成這樣的半導(dǎo)體存儲器裝置的圖案。然而，隨著精細(xì)圖案的寬度逐漸減小，寄生電容可增大，并且半導(dǎo)體存儲器裝置的性能可被劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一個方面是提供一種具有提高的可靠性和生產(chǎn)率的半導(dǎo)體裝置。

2、根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括：基底，包括單元陣列區(qū)域和圍繞單元陣列區(qū)域的外圍區(qū)域；位線，位于單元陣列區(qū)域中，并且沿第一方向延伸；屏蔽線，沿第一方向從單元陣列區(qū)域延伸到外圍區(qū)域，并且沿與第一方向交叉的第二方向與位線鄰近地布置；屏蔽接觸線，位于外圍區(qū)域中，沿第二方向延伸，并且連接到屏蔽線；溝道圖案，位于位線上，并且沿與位線垂直的方向延伸；字線，沿第二方向延伸，并且位于溝道圖案上；柵極絕緣圖案，位于溝道圖案與字線之間；絕緣圖案，位于字線上；接合墊，連接到溝道圖案；以及數(shù)據(jù)存儲圖案，連接到接合墊。

3、根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括：基底，包括單元陣列區(qū)域和圍繞單元陣列區(qū)域的外圍區(qū)域；多條位線，位于單元陣列區(qū)域中，并且沿第一方向延伸；多條屏蔽線，沿第一方向從單元陣列區(qū)域延伸到外圍區(qū)域，并且與所述多條位線交替地布置；第一屏蔽接觸線，在外圍區(qū)域中沿與第一方向相交的第二方向延伸，并且連接到所述多條屏蔽線中的第一屏蔽線的端部；第二屏蔽接觸線，在外圍區(qū)域中沿第二方向延伸，并且連接到所述多條屏蔽線中的第二屏蔽線的端部；溝道圖案，位于所述多條位線上，并且沿與所述多條位線的上表面垂直的方向延伸；字線，沿第二方向延伸，并且位于溝道圖案上；柵極絕緣圖案，位于溝道圖案與字線之間；絕緣圖案，位于字線上；接合墊，連接到溝道圖案；以及數(shù)據(jù)存儲圖案，連接到接合墊。

4、根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括：基底，包括單元陣列區(qū)域和圍繞單元陣列區(qū)域的外圍區(qū)域；多條位線，位于單元陣列區(qū)域中，并且沿第一方向延伸；多條屏蔽線，沿第一方向從單元陣列區(qū)域延伸到外圍區(qū)域，并且與所述多條位線交替地布置；屏蔽接觸線，在外圍區(qū)域中沿與第一方向相交的第二方向延伸，并且連接到所述多條屏蔽線；溝道圖案，位于所述多條位線上，并且沿與所述多條位線的上表面垂直的方向延伸；字線，沿第二方向延伸；柵極絕緣圖案，位于溝道圖案與字線之間；絕緣圖案，位于字線上；接合墊，連接到溝道圖案；數(shù)據(jù)存儲圖案，連接到接合墊；以及導(dǎo)電過孔，連接到外圍區(qū)域中的屏蔽接觸線的一部分。

5、根據(jù)一個實(shí)施例，通過將連接到位于位線之間的多條屏蔽線的屏蔽接觸線布置在圍繞單元陣列區(qū)域的外圍區(qū)域中，改善構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的組件與屏蔽接觸線之間的接觸面積是可行的。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

14.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

19.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體裝置包括：基底，包括單元陣列區(qū)域和外圍區(qū)域；位線，位于單元陣列區(qū)域上，并且沿第一方向延伸；屏蔽線，沿第一方向從單元陣列區(qū)域延伸到外圍區(qū)域，并且沿與第一方向交叉的第二方向與位線鄰近地布置；屏蔽接觸線，位于外圍區(qū)域上，沿第二方向延伸，并且連接到屏蔽線；溝道圖案，位于位線上，并且沿與位線垂直的方向延伸；字線，沿第二方向延伸，并且位于溝道圖案上；柵極絕緣圖案，位于溝道圖案與字線之間；絕緣圖案，位于字線上；接合墊，連接到溝道圖案；以及數(shù)據(jù)存儲圖案，連接到接合墊。

技術(shù)研發(fā)人員：樸桐湜,羅載元,全智姬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6