本公開關(guān)于一種存儲(chǔ)器元件的制備方法。特別是有關(guān)于一種具有一錐形位元線接觸點(diǎn)的存儲(chǔ)器元件的制備方法。

背景技術(shù)：

1、由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)可以在每單位晶片面積上提供比其他類型的存儲(chǔ)器(例如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram))更多的存儲(chǔ)器單元。一dram由多個(gè)dram單元所構(gòu)成，每一個(gè)dram單元包括用于存儲(chǔ)信息的電容器以及耦接到電容器以調(diào)節(jié)電容器何時(shí)充電或放電的晶體管。在一讀取操作期間，字元線(wl)被有效化(asserted)，并開啟(turning?on)晶體管。啟用的晶體管允許一感測(cè)放大器經(jīng)由位元線(bl)而讀取電容器兩端的電壓。在一寫入操作期間，寫入的數(shù)據(jù)在bl上提供，同時(shí)wl被有效化。

2、為了滿足更大存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的需求，dram存儲(chǔ)器單元的尺寸不斷縮小，使得這些dram的封裝密度大幅增加。然而，存儲(chǔ)器元件的制造以及整合包含許多復(fù)雜的步驟與操作。在存儲(chǔ)器元件中的整合變得越來越復(fù)雜。存儲(chǔ)器元件的制造與整合的復(fù)雜性的增加可能導(dǎo)致缺陷。因此，需要不斷改善存儲(chǔ)器元件的結(jié)構(gòu)與制造流程，以解決其缺陷并提高效能。

3、上文的“先前技術(shù)”說明僅提供背景技術(shù)，并未承認(rèn)上文的“先前技術(shù)”說明揭示本公開的標(biāo)的，不構(gòu)成本公開的先前技術(shù)，且上文的“先前技術(shù)”的任何說明均不應(yīng)作為本案的任一部分。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器元件的制備方法。該制備方法包括形成一摻雜區(qū)在一半導(dǎo)體基底中；以及形成一字元線以跨經(jīng)該摻雜區(qū)，使得一第一源極/漏極區(qū)與一第二源極/漏極區(qū)形成在該摻雜區(qū)中以及在該字元線的相對(duì)兩側(cè)上。該制備方法亦包括形成一介電罩蓋層以覆蓋該字元線、該第一源極/漏極區(qū)以及該第二源極/漏極區(qū)；以及形成一第一開口而穿過該介電罩蓋層以暴露該第一源極/漏極區(qū)。該第一開口沿著從該介電罩蓋層的一上表面向該第一源極/漏極區(qū)的一方向而具有錐形輪廓。該制備方法還包括形成一位元線接觸點(diǎn)在該第一開口中；以及形成一第二開口而穿過該介電罩蓋層以暴露該第二源極/漏極區(qū)。此外，該制備方法包括形成一電容器接觸點(diǎn)在該第二開口中。

2、在一實(shí)施例中，該第一開口的一上寬度大于該第一開口的一下寬度。在一實(shí)施例中，該字元線包括一柵極電極以及圍繞該柵極電極的一柵極介電層，且該柵極介電層借由該第一開口而暴露。在一實(shí)施例中，形成該第一開口的步驟包括使用包含ch4/chf3的一第一蝕刻氣體而在該介電罩蓋層上執(zhí)行一第一蝕刻制程。在一實(shí)施例中，形成該第一開口的步驟包括在執(zhí)行該第一蝕刻制程之后使用包含ch4/ch2f2的一第二蝕刻氣體而在該介電罩蓋層上執(zhí)行一第二蝕刻制程。

3、在一實(shí)施例中，該制備方法還包括在形成該第一開口之后，沉積一間隙子層在該介電罩蓋層上；以及部分移除該間隙子層以暴露該第一源極/漏極區(qū)，借此形成覆蓋該第一開口的一側(cè)壁的一位元線接觸點(diǎn)間隙子。在一實(shí)施例中，在形成該位元線接觸點(diǎn)間隙子之后，該第一開口的一剩余部分被該位元線接觸點(diǎn)所填充。在一實(shí)施例中，該制備方法還包括形成一位元線在該位元線接觸點(diǎn)上，其中該位元線接觸點(diǎn)從該位元線到該第一源極/漏極區(qū)而逐漸變細(xì)。在一實(shí)施例中，該制備方法還包括形成一位元線間隙子以覆蓋該位元線的一側(cè)壁。在一實(shí)施例中，該制備方法還包括形成一介電層在該介電罩蓋層上，其中該位元線與該位元線間隙子被該介電層所覆蓋。此外，該制備方法包括形成該第二開口而穿過該介電層與該介電罩蓋層，以暴露該第二源極/漏極區(qū)。

4、本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器元件及其制備方法的實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器元件包括具有一錐形輪廓的一位元線接觸點(diǎn)。因此，可以減少覆蓋或?qū)?zhǔn)失敗問題，并且可以避免源極/漏極區(qū)之間的漏電流。結(jié)果，可以提高整體元件效能，并且可以提高存儲(chǔ)器元件的良率。

5、上文已相當(dāng)廣泛地概述本公開的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，使下文的本公開詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實(shí)施例可作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或制程而實(shí)現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無法脫離后附的權(quán)利要求所界定的本公開的精神和范圍。

技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)器元件的制備方法，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中該第一開口的一上寬度大于該第一開口的一下寬度。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中該字元線包括一柵極電極以及圍繞該柵極電極的一柵極介電層，且該柵極介電層借由該第一開口而暴露。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其中形成該第一開口的步驟包括：

5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其中形成該第一開口的步驟還包括：

6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，還包括：

7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其中在形成該位元線接觸點(diǎn)間隙子之后，該第一開口的一剩余部分被該位元線接觸點(diǎn)所填充。

8.如權(quán)利要求1所述的制備方法，還包括：

9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，還包括：

10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種存儲(chǔ)器元件的制備方法。該制備方法包括：形成一摻雜區(qū)在一半導(dǎo)體基底中；形成一字元線以跨經(jīng)該摻雜區(qū)，使得一第一源極/漏極區(qū)與一第二源極/漏極區(qū)形成在該摻雜區(qū)中以及在該字元線的相對(duì)兩側(cè)上；形成一介電罩蓋層以覆蓋該字元線、該第一源極/漏極區(qū)以及該第二源極/漏極區(qū)；形成一第一開口而穿過該介電罩蓋層以暴露該第一源極/漏極區(qū)，其中該第一開口沿著從該介電罩蓋層的一上表面向該第一源極/漏極區(qū)的一方向而具有錐形輪廓；形成一位元線接觸點(diǎn)在該第一開口中；形成一第二開口而穿過該介電罩蓋層以暴露該第二源極/漏極區(qū)；以及形成一電容器接觸點(diǎn)在該第二開口中。

技術(shù)研發(fā)人員：黃至偉,樊旭誠(chéng),顏志羽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南亞科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9