本發(fā)明涉及一種顯示裝置，并且更具體地，涉及一種包括發(fā)光元件的顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著信息技術(shù)發(fā)展，顯示裝置作為用戶和信息之間的連接媒介的重要性日益突出。例如，諸如液晶顯示裝置(lcd)、有機(jī)發(fā)光顯示裝置(oled)、等離子體顯示裝置(pdp)和量子點顯示裝置的顯示裝置的使用正在增加。

2、量子點顯示裝置可以包括量子點發(fā)光元件。量子點發(fā)光元件具有高色度、高發(fā)光效率和多色性的優(yōu)點。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、實施例提供一種具有改進(jìn)的發(fā)光效率的顯示裝置。

2、根據(jù)一實施例的顯示裝置包括：第一電極；第二電極，設(shè)置在所述第一電極上并且面向所述第一電極；發(fā)光層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括量子點；金屬氧化物層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括金屬氧化物；輔助膜，設(shè)置在與所述第一電極相同的水平處并且包括無機(jī)材料；以及像素限定層，所述像素限定層覆蓋所述輔助膜的至少一部分并且限定暴露所述第一電極的一部分的像素開口。

3、在一實施例中，所述輔助膜可以包括氫。

4、在一實施例中，當(dāng)所述輔助膜被加熱到約50℃至約550℃之間的溫度范圍時，所述輔助膜可以具有足以釋放約1.0e+20分子/cm3或更多的氫氣的氫含量。

5、在一實施例中，被包括在所述輔助膜中的所述無機(jī)材料可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一種。

6、在一實施例中，所述輔助膜可以連續(xù)地連接在多個像素區(qū)之間，所述多個像素區(qū)彼此相鄰設(shè)置并且由所述像素開口限定。

7、在一實施例中，被包括在所述輔助膜中的所述無機(jī)材料可以包括硅半導(dǎo)體材料。

8、在一實施例中，所述輔助膜可以在多個像素區(qū)之間斷開，所述多個像素區(qū)彼此相鄰設(shè)置并且由所述像素開口限定。

9、在一實施例中，所述輔助膜可以覆蓋所述第一電極的一部分并且可以暴露所述第一電極的另一部分。

10、在一實施例中，所述輔助膜可以設(shè)置成與所述第一電極間隔開。

11、在一實施例中，被包括在所述金屬氧化物層中的所述金屬氧化物可以包括含鋅氧化物。

12、在一實施例中，所述金屬氧化物層可以包括摻雜mg的zno(znmgo)。

13、在一實施例中，所述像素限定層可以具有液體排斥性。

14、在一實施例中，所述顯示裝置可以進(jìn)一步包括位于所述第一電極和所述第二電極之間的電子傳輸區(qū)，其中所述金屬氧化物層可以被包括在所述電子傳輸區(qū)中，并且其中所述電子傳輸區(qū)可以設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間或在所述第二電極和所述發(fā)光層之間。

15、在一實施例中，所述電子傳輸區(qū)可以包括緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個層，并且所述金屬氧化物層可以是所述緩沖層、所述空穴阻擋層、所述電子控制層、所述電子傳輸層和所述電子注入層中的至少一個。

16、根據(jù)一實施例的顯示裝置包括：第一電極；第二電極，設(shè)置在所述第一電極上并且面向所述第一電極；發(fā)光層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括量子點；金屬氧化物層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括金屬氧化物；輔助膜，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括無機(jī)材料；以及像素限定層，所述像素限定層覆蓋所述輔助膜的至少一部分并且限定暴露所述第一電極的一部分的像素開口。

17、在一實施例中，所述輔助膜可以包括氫。

18、在一實施例中，當(dāng)所述輔助膜被加熱到約50℃至約550℃之間的溫度范圍時，所述輔助膜可以具有足以釋放約1.0e+20分子/cm3或更多的氫氣的氫含量。

19、在一實施例中，被包括在所述輔助膜中的所述無機(jī)材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和硅半導(dǎo)體中的至少一種。

20、在一實施例中，被包括在所述金屬氧化物層中的所述金屬氧化物可以包括含鋅氧化物。

21、在一實施例中，所述金屬氧化物層可以包括摻雜mg的zno(znmgo)。

22、在一實施例中，所述顯示裝置可以進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的空穴傳輸區(qū)，并且所述輔助膜可以設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間或在所述第二電極和所述發(fā)光層之間。

23、在一實施例中，所述顯示裝置可以進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間的電子傳輸區(qū)，其中所述金屬氧化物層可以被包括在所述電子傳輸區(qū)中，并且其中所述電子傳輸區(qū)可以設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間或在所述第二電極和所述發(fā)光層之間。

24、在一實施例中，所述電子傳輸區(qū)可以包括緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個層，并且所述金屬氧化物層可以是所述緩沖層、所述空穴阻擋層、所述電子控制層、所述電子傳輸層和所述電子注入層中的至少一個。

25、根據(jù)一實施例的顯示裝置包括：基板；像素電路層，設(shè)置在所述基板上并且包括至少一個晶體管和覆蓋所述晶體管的平坦化層；以及發(fā)光元件層，設(shè)置在所述像素電路層上，其中所述發(fā)光元件層包括：第一電極，設(shè)置在所述平坦化層上；第二電極，設(shè)置在所述第一電極上并且面向所述第一電極；發(fā)光層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括量子點；金屬氧化物層，設(shè)置在所述第一電極和所述第二電極之間并且包括金屬氧化物；輔助膜，設(shè)置在與所述第一電極相同的水平以及位于所述第一電極和所述第二電極之間的水平中的至少一個上并且包括無機(jī)材料；以及像素限定層，所述像素限定層覆蓋所述輔助膜的至少一部分并且限定暴露所述第一電極的一部分的像素開口。

26、在一實施例中，所述輔助膜可以包括氫，并且被包括在所述金屬氧化物層中的所述金屬氧化物可以包括含鋅氧化物。

27、在一實施例中，被包括在所述輔助膜中的所述無機(jī)材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和硅半導(dǎo)體中的至少一種。

28、根據(jù)一實施例的顯示裝置可以包括包含氫的輔助膜。相應(yīng)地，氫可以從輔助膜流入發(fā)光元件中。

29、在一實施例中，當(dāng)氫從輔助膜流入發(fā)光元件的金屬氧化物層中時，金屬氧化物層的氧空位可以減少。相應(yīng)地，可以減少或防止由于氧空位導(dǎo)致的金屬氧化物層的劣化。相應(yīng)地，可以減少或防止發(fā)光元件的劣化，并且可以提高顯示裝置的發(fā)光效率。

30、具體地，根據(jù)一實施例，輔助膜可以設(shè)置在與第一電極(例如，像素電極)相同的水平處。此外，輔助膜可以設(shè)置在第一電極和第二電極(例如，公共電極)之間。相應(yīng)地，與輔助膜設(shè)置在第一電極下方的情況相比，輔助膜和金屬氧化物層之間的距離可以減小。相應(yīng)地，可以縮短從輔助膜流入金屬氧化物層中的氫的流入路徑。相應(yīng)地，氫可以更順暢地從輔助膜流入金屬氧化物層中，并且可以進(jìn)一步減少或防止發(fā)光元件的劣化。

31、在一實施例中，由于輔助膜設(shè)置在與第一電極相同的水平以及第一電極與第二電極之間的水平中的至少一個上，因此從輔助膜供應(yīng)到金屬氧化物層的氫可以不被第一電極阻擋。相應(yīng)地，氫可以更順暢地從輔助膜流到發(fā)光元件，并且可以進(jìn)一步減少或防止發(fā)光元件的劣化。

32、應(yīng)理解，前述總體描述和以下詳細(xì)描述兩者都是示例性和解釋性的，并且旨在提供對所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。