本公開關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，特別是關(guān)于一種包括凹槽晶體管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)用于各種電子應(yīng)用，而半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的尺寸不斷縮小以滿足當(dāng)前的應(yīng)用要求。然而，在縮小尺寸的過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)各種問(wèn)題，并影響最終的電氣特性、品質(zhì)、成本和產(chǎn)量。典型的存儲(chǔ)器元件(如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)元件)包括信號(hào)線，如字元線和與字元線交叉的位元線。隨著dram元件的縮小，信號(hào)線的尺寸和/或間距越來(lái)越小，漏電流將成為一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。

2、上文的“先前技術(shù)”說(shuō)明僅是提供背景技術(shù)，并未承認(rèn)上文的“先前技術(shù)”說(shuō)明揭示本公開的標(biāo)的，不構(gòu)成本公開的先前技術(shù)，且上文的“先前技術(shù)”的任何說(shuō)明均不應(yīng)作為本案的任一部分。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的一方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。該制備方法包括：提供一元件，其中該元件包括一基底與多個(gè)字元線及一字元線氮化層，其中該字元線氮化層覆蓋該基底的一頂面并延伸至該多個(gè)字元線；形成至少一個(gè)外溝槽，延伸穿過(guò)該字元線氮化層并延伸至該基底；以及在該至少一個(gè)外溝槽中形成至少一個(gè)凹槽晶體管。

2、上文已相當(dāng)廣泛地概述本公開的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，使下文的本公開詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實(shí)施例可作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或過(guò)程而實(shí)現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無(wú)法脫離后附的權(quán)利要求所界定的本公開的精神和范圍。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中形成該至少一個(gè)外溝槽包括：

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該遮罩層上形成該犧牲層包括：

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該遮罩層上形成該犧牲層以覆蓋該圖案化光阻層的該多個(gè)剩余部分的步驟中，該犧牲層覆蓋該圖案化光阻層的該多個(gè)剩余部分的多個(gè)頂面，并且該制備方法更包括：

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該減薄該犧牲層的步驟之后，該犧牲層的一頂面與該圖案化光阻層的該多個(gè)剩余部分的該多個(gè)頂面實(shí)質(zhì)共面。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該至少一個(gè)外溝槽中形成該至少一個(gè)凹槽晶體管包括：

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該絕緣層上形成該多晶硅層的步驟中，該多晶硅層更覆蓋該字元線氮化層的該頂面，該制備方法更包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法。該制備方法包括：提供一元件，其中該元件包括一基底與多個(gè)字元線及一字元線氮化層，其中該字元線氮化層覆蓋該基底的一頂面并延伸至該多個(gè)字元線；形成至少一個(gè)外溝槽，延伸穿過(guò)該字元線氮化層并延伸至該基底；以及在該至少一個(gè)外溝槽中形成至少一個(gè)凹槽晶體管。

技術(shù)研發(fā)人員：莊英政
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南亞科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9