與本公開一致的裝置和器件涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，特別地，涉及包括垂直溝道晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

背景技術(shù)：

1、由于電子技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件的按比例縮小正在迅速進(jìn)行，因此，已經(jīng)提出了一種具有采用氧化物半導(dǎo)體材料的溝道層的晶體管，以減少經(jīng)由溝道區(qū)的泄漏電流。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一方面是提供一種通過在兩個(gè)階段中執(zhí)行溝道形成工藝而具有改善的器件特性和改善的可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

2、另一方面是提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

3、根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式的一方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：襯底；下導(dǎo)電線，設(shè)置在襯底上；水平溝道部分，其接觸下導(dǎo)電線的上表面且在平行于襯底的第一方向上延伸；分離絕緣層，設(shè)置在水平溝道部分上并且包括溝道溝槽；垂直溝道部分，在溝道溝槽中在下導(dǎo)電線上，垂直溝道部分沿著分離絕緣層的側(cè)壁在垂直于襯底的第二方向上延伸且接觸水平溝道部分和下導(dǎo)電線；第一柵極絕緣層，形成在下導(dǎo)電線的上表面上且包含第一材料；第二柵極絕緣層，在溝道溝槽中并且在第二方向上覆蓋垂直溝道部分，第二柵極絕緣層包含與第一材料相同的第二材料；上導(dǎo)電線，設(shè)置在第二柵極絕緣層上在溝道溝槽中；在垂直溝道部分上的導(dǎo)電接觸圖案；和電容器結(jié)構(gòu)，包括連接到導(dǎo)電接觸圖案的下電極。水平溝道部分中的材料具有與垂直溝道部分中的材料不同的組成。

4、根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式的另一方面，提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：襯底；設(shè)置在襯底上的導(dǎo)電線；水平溝道部分，在導(dǎo)電線上在第一方向上延伸并且部分地覆蓋導(dǎo)電線；設(shè)置在水平溝道部分上的分離絕緣層；柵極絕緣層，包括在導(dǎo)電線上的第一部分和在垂直于襯底的第二方向上延伸的第二部分；在柵極絕緣層和分離絕緣層之間的垂直溝道部分，垂直溝道部分在第二方向上延伸；以及在柵極絕緣層的第一部分上的間隔物。包含在水平溝道部分中的第一材料不同于包含在垂直溝道部分中的第二材料。

5、根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式的又一方面，提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：襯底；位線，在襯底上沿第一方向延伸；提供在位線上的溝道結(jié)構(gòu)；柵極絕緣層，圍繞溝道結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和位線的上表面；間隔物，設(shè)置在柵極絕緣層的水平部分上；以及字線，接觸間隔物的上表面并且在垂直于襯底的第二方向上沿著柵極絕緣層的側(cè)壁延伸；設(shè)置在溝道結(jié)構(gòu)上的落著焊盤；電容器結(jié)構(gòu)，包括連接到落著焊盤的下電極。溝道結(jié)構(gòu)包括平行于位線的水平溝道部分和從位線的上表面垂直突出的垂直溝道部分，并且垂直溝道部分的組成不同于水平溝道部分的組成。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述水平溝道部分在所述第二方向上的厚度不同于所述垂直溝道部分在所述第一方向上的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述水平溝道部分中的所述材料包含igzo(ingazno)、ito(insno)、iwo(inwo)或n型多晶硅或其組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述垂直溝道部分中的所述材料包含igzo(ingazno)、ito(insno)、iwo(inwo)或多晶硅或其組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一柵極絕緣層上的間隔物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第一柵極絕緣層在所述第二方向上的厚度等于所述第二柵極絕緣層在所述第一方向上的厚度，所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層彼此一體地形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第二柵極絕緣層的最上表面在所述第二方向上接觸所述導(dǎo)電接觸圖案。

11.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第一材料包含igzo(ingazno)、ito(insno)、iwo(inwo)或n型多晶硅或其組合。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述第二材料包含igzo(ingazno)、ito(insno)、iwo(inwo)或多晶硅或其組合。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述水平溝道部分在所述第二方向上的厚度不同于所述垂直溝道部分在所述第一方向上的厚度。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

17.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中包含于所述水平溝道部分中的材料具有比包含于所述垂直溝道部分中的材料低的接觸電阻率。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述水平溝道部分在所述第二方向上的厚度不同于所述垂直溝道部分在所述第一方向上的厚度。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其包括：襯底；設(shè)置在所述襯底上的導(dǎo)電線；在導(dǎo)電線上沿第一方向延伸并部分地覆蓋導(dǎo)電線的水平溝道部分；設(shè)置在水平溝道部分上的分離絕緣層；包括在導(dǎo)電線上的第一部分和在垂直于襯底的第二方向上延伸的第二部分的柵極絕緣層；在柵極絕緣層和分離絕緣層之間的垂直溝道部分，垂直溝道部分在第二方向上延伸；以及在柵極絕緣層的第一部分上的間隔物。包含在水平溝道部分中的第一材料不同于包含在垂直溝道部分中的第二材料。

技術(shù)研發(fā)人員：李周昊,柳民泰,樸榮奭,卞誠(chéng)載,宋映槿
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9