背景技術(shù)：

1、本公開的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

2、集成電路技術(shù)允許在硅管芯上創(chuàng)建多種類型的器件。最常見的器件是晶體管、二極管、電阻器或電容器。電容器是在半導(dǎo)體器件中用于存儲(chǔ)電荷的元件。電容器包括兩個(gè)由絕緣材料隔開的導(dǎo)電板。電容器用于諸如電子濾波器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、存儲(chǔ)器件、控制應(yīng)用以及許多其他類型的半導(dǎo)體器件應(yīng)用之類的應(yīng)用中。

3、各種類型的電容器設(shè)計(jì)已被用于集成片上電容器中以減小電容器所占據(jù)的管芯面積并增加電容密度，所述電容器設(shè)計(jì)包括例如金屬-絕緣體-金屬(mim)電容器、金屬-氧化物-金屬(mom)電容器、金屬-氧化物-半導(dǎo)體(mos)電容器、金屬邊緣電容器、溝槽電容器和結(jié)電容器，僅舉幾例。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本文公開了半導(dǎo)體器件及其形成方法的實(shí)施例。

2、在一個(gè)示例中，一種半導(dǎo)體器件包括：至少一個(gè)電介質(zhì)層對(duì)，其包括第一電介質(zhì)層和與第一電介質(zhì)層不同的第二電介質(zhì)層；與至少一個(gè)電介質(zhì)層對(duì)接觸的層間電介質(zhì)(ild)層；以及一個(gè)或多個(gè)電容器，每個(gè)電容器垂直延伸穿過ild層并與至少一個(gè)電介質(zhì)層對(duì)接觸。

3、在另一示例中，一種三維(3d)存儲(chǔ)器件包括半導(dǎo)體層、在半導(dǎo)體層的一側(cè)上的存儲(chǔ)堆疊層、以及設(shè)置在3d存儲(chǔ)器件的在存儲(chǔ)堆疊層外部的外圍區(qū)域中的多個(gè)第一觸點(diǎn)。存儲(chǔ)堆疊層包括多個(gè)導(dǎo)電/電介質(zhì)層對(duì)，每個(gè)導(dǎo)電/電介質(zhì)層對(duì)包括導(dǎo)電層和第一電介質(zhì)層。

4、在又一示例中，公開了一種用于形成3d存儲(chǔ)器件的方法。在襯底上方形成電介質(zhì)堆疊層。電介質(zhì)堆疊層包括多個(gè)電介質(zhì)層對(duì)，每個(gè)電介質(zhì)層對(duì)包括第一電介質(zhì)層和不同于第一電介質(zhì)層的第二電介質(zhì)層。蝕刻電介質(zhì)堆疊層以在器件區(qū)域中形成階梯結(jié)構(gòu)，在外圍區(qū)域中留下至少一個(gè)電介質(zhì)層對(duì)。在外圍區(qū)域中的至少一個(gè)電介質(zhì)層對(duì)上形成ild層。在至少一個(gè)電介質(zhì)層對(duì)上方形成與之接觸的多個(gè)第一觸點(diǎn)，每個(gè)第一觸點(diǎn)垂直延伸穿過ild層。

技術(shù)特征：

1.一種用于形成三維(3d)存儲(chǔ)器件的方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述堆疊結(jié)構(gòu)包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，蝕刻所述電介質(zhì)堆疊層包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一數(shù)量大于所述第二數(shù)量。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一堆疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一電介質(zhì)層對(duì)，每個(gè)所述第一電介質(zhì)層對(duì)包括所述第一電介質(zhì)層在所述器件區(qū)域中的一部分和所述第二電介質(zhì)層在所述器件區(qū)域的一部分，所述第二堆疊結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)所述電介質(zhì)層對(duì)，所述電介質(zhì)層對(duì)包括所述第一電介質(zhì)層在所述外圍區(qū)域中的一部分和所述第二電介質(zhì)層在所述外圍區(qū)域的一部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，還包括：用導(dǎo)電層替換所述器件區(qū)域的所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的所述第二電介質(zhì)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，還包括：形成多個(gè)第二觸點(diǎn)，每個(gè)所述第二觸點(diǎn)對(duì)應(yīng)連接一個(gè)所述階梯結(jié)構(gòu)處相應(yīng)的一個(gè)導(dǎo)電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一觸點(diǎn)和第二觸點(diǎn)在相同工藝中形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述ild層部分位于所述階梯結(jié)構(gòu)上，且部分位于所述第一堆疊結(jié)構(gòu)和所述第二堆疊結(jié)構(gòu)之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述ild層的厚度大于或等于所述第一堆疊結(jié)構(gòu)的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括：在所述ild層上形成互連層，所述互連層和第一觸點(diǎn)連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，還包括：在所述第二堆疊結(jié)構(gòu)的第二側(cè)形成半導(dǎo)體層，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對(duì)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一觸點(diǎn)沿第三方向延伸，所述第三方向與所述第一方向和第二方向垂直。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一觸點(diǎn)包括導(dǎo)電材料。

15.一種用于形成三維(3d)存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述外圍區(qū)域在所述3d存儲(chǔ)器件的邊緣處，所述3d存儲(chǔ)器件的接觸焊盤設(shè)置在所述邊緣中。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，還包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述多個(gè)第一觸點(diǎn)連接至所述外圍電路中的至少一個(gè)。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一觸點(diǎn)沿第三方向延伸，所述第三方向與所述第一方向和第二方向垂直。

技術(shù)總結(jié)
公開了半導(dǎo)體器件及其形成方法的實(shí)施例。在示例中，半導(dǎo)體器件包括：至少一個(gè)電介質(zhì)層對(duì)，其包括第一電介質(zhì)層和不同于第一電介質(zhì)層的第二電介質(zhì)層；與該至少一個(gè)電介質(zhì)層對(duì)接觸的層間電介質(zhì)(ILD)層；以及一個(gè)或多個(gè)電容器，所述一個(gè)或多個(gè)電容器中的每個(gè)垂直延伸穿過ILD層并與至少一個(gè)電介質(zhì)層對(duì)接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：薛磊,劉威,陳亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/4